【導讀】由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過(guò)仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區時(shí)間可以通過(guò)仿真工具的PWM控制器參數TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設置。
關(guān)鍵要點(diǎn)
?橋式電路中的死區時(shí)間設置與損耗和安全性有關(guān)，因此需要充分確認。
?死區時(shí)間的理想值是不直通的最短時(shí)間。
?由于開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)速度會(huì )受溫度和批次變化等因素影響而發(fā)生波動(dòng)，因此在設計過(guò)程中，除了最短時(shí)間外，還應留有余量。
在本文中，我們將探討如何估算橋式電路中理想的死區時(shí)間。
電路示例
電路以Power Device Solution Circuit/AC-DC PFC的一覽表中的仿真電路“A-6. PFC CCM Synchro Vin=200V Iin=2.5A”為例（參考圖1）。關(guān)于更詳細的電路圖，還可以通過(guò)這里查看。
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過(guò)仿真來(lái)探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區時(shí)間可以通過(guò)仿真工具的PWM控制器參數TD1（HS）和TD2（LS）來(lái)分別設置。
圖1：PFC仿真電路“A-6. PFC CCM Synchro Vin=200V Iin=2.5A”
死區時(shí)間內的損耗
圖2表示死區時(shí)間內的電流流動(dòng)情況。在橋式結構的電路中，要防止直通電流，就需要確保足夠的死區時(shí)間長(cháng)度，但如果將死區時(shí)間設置得過(guò)長(cháng)，會(huì )導致?lián)p耗增加。這是因為在死區時(shí)間內，SiC MOSFET處于OFF狀態(tài)，因此電流會(huì )流過(guò)體二極管。通常，體二極管的導通損耗比較大，其導通時(shí)間越長(cháng)，損耗越大。
圖2：死區時(shí)間內的電流流動(dòng)情況
死區時(shí)間和功率因數
圖3表示死區時(shí)間長(cháng)度與電感電流IL之間的關(guān)系。如果死區時(shí)間過(guò)長(cháng)，低電壓區域可能會(huì )變?yōu)閿嗬m工作狀態(tài)，電感電流波形可能會(huì )失真，功率因數可能會(huì )惡化。因此，從功率因數的角度來(lái)看，將死區時(shí)間設置得過(guò)長(cháng)并非好事。
圖3：死區時(shí)間長(cháng)度與電感電流IL的關(guān)系
探討理想的死區時(shí)間
圖4表示使死區時(shí)間變化時(shí)SiC MOSFET的損耗仿真結果。
圖4：表示使死區時(shí)間變化時(shí)SiC MOSFET的損耗仿真結果
從圖中可以看出，當死區時(shí)間在50ns以下時(shí)，損耗會(huì )因流過(guò)直通電流而急劇增加。反之，當延長(cháng)死區時(shí)間時(shí)，HS SiC MOSFET的體二極管的導通時(shí)間會(huì )變長(cháng)，因此在這種條件下?lián)p耗也會(huì )增加。SiC MOSFET的損耗最小時(shí)，正是死區時(shí)間最短（沒(méi)有直通電流）時(shí)，在本例中為100ns時(shí)。但是，由于開(kāi)關(guān)速度會(huì )隨溫度和批次差異等因素而波動(dòng)，因此通常需要留100ns左右的余量。也就是說(shuō)，在這種情況下，200ns是理想的死區時(shí)間。
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