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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶(hù)用光伏逆變器提頻增效
戶(hù)用光伏每年裝機都在高速增長(cháng)，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經(jīng)過(guò)逆變器中DC/DC，DC/AC電路實(shí)現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無(wú)核變壓器CT技術(shù)驅動(dòng)IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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派恩杰SiC驅動(dòng)設計新探索：如何避免誤開(kāi)通？
隨著(zhù)SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數量級的優(yōu)勢正逐漸普及，獲得越來(lái)越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開(kāi)關(guān)速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數據中心通信電源，新能源汽車(chē)車(chē)載充電機，電機驅動(dòng)器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類(lèi)能源變換系統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過(guò)程中的常見(jiàn)問(wèn)題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場(chǎng)強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車(chē)的車(chē)載充電機、充電樁、計算機電源、風(fēng)電逆變器、光伏逆變器、大型服務(wù)器電源、空調變頻器等領(lǐng)域，根據Yole估計，未來(lái)市場(chǎng)將有每年30% 左右的高速增長(cháng)。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場(chǎng)需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過(guò)程中，客戶(hù)常常會(huì )遇到一些疑問(wèn)或者使用問(wèn)題，為此，派恩杰針對客戶(hù)的問(wèn)題進(jìn)行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實(shí)現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。
2022-02-08
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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經(jīng)過(guò)多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來(lái)越實(shí)用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來(lái)了許多挑戰，包括柵極驅動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時(shí)會(huì )關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動(dòng)設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn)，機身二極管壓降較高，因此對空轉時(shí)間和打開(kāi)/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴格。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰(shuí)？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱(chēng)是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著(zhù)新能源汽車(chē)、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來(lái)了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過(guò)額定電壓會(huì )發(fā)生什么？
我們常常被告誡：實(shí)際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過(guò)額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心：如果我只超了一點(diǎn)點(diǎn)呢，1210V就會(huì )擊穿嗎？如果只是一個(gè)非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒(méi)那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動(dòng)電路可以極大的簡(jiǎn)化驅動(dòng)電源的設計，只需要一路電源就可以驅動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管的驅動(dòng)，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著(zhù)新能源受到全球政府的推動(dòng)與支持，與新能源相關(guān)的半導體芯片需求激増，導致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng )新應用是實(shí)現碳中和目標的重要一環(huán)，碳化硅是應用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠(chǎng)商的新選擇。不過(guò)，SiC MOSFET的驅動(dòng)與Si MOSFET到底有什么區別，替代時(shí)電路設計如何調整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現負壓？》一文中已經(jīng)分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動(dòng)常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功率因數校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無(wú)任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓撲是 PFC 最常見(jiàn)的拓撲。在效率和功率密度的表現上，必須要走向無(wú)橋型，才能進(jìn)一步減少器件使用，減少功率器件數量與導通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓撲結構，其控制法亦趨于成熟。
2021-11-25
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分析無(wú)芯變壓器柵極驅動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統的設計中起著(zhù)決定性的作用。為了滿(mǎn)足這些應用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專(zhuān)有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器，以實(shí)現穩健的隔離，這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應用中，包括太陽(yáng)能逆變器，所有類(lèi)型的高壓電源和汽車(chē)車(chē)載電池充電器。
2021-11-15
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類(lèi)以及應用場(chǎng)景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數十年的發(fā)展，占據了絕對領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò)，隨著(zhù)新能源汽車(chē)、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續關(guān)注。
2021-11-10
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功率半導體的進(jìn)步實(shí)現3級直流快速充電，解決電動(dòng)汽車(chē)的里程焦慮
目前，電動(dòng)汽車(chē)的使用仍受到阻礙，主要在于 “里程焦慮”問(wèn)題，并且車(chē)主不愿在道路上等待數小時(shí)充電時(shí)間。然而，隨著(zhù)全國各地部署越來(lái)越多的充電樁，“直流快速充電”有望將等待時(shí)間縮短至數分鐘。這些額定功率達350 kW的大功率充電樁，必須利用最新的電源轉換拓撲結構和半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)，以盡可能提高電能效來(lái)實(shí)現成本效益。本文將介紹這些大功率充電樁的典型設計方法，對功率器件的一些選擇，以及最新的寬禁帶半導體可帶來(lái)的優(yōu)勢。
2021-11-03
- 貿澤電子上線(xiàn)機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)
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