<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
你的位置:首頁(yè) > 電路保護 > 正文

在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量

發(fā)布時(shí)間:2022-01-27 來(lái)源:泰克科技技術(shù)大咖 責任編輯:wenwei

【導讀】在經(jīng)過(guò)多年研究和設計之后,碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來(lái)越實(shí)用。這些器件盡管性能很高,但它們也帶來(lái)了許多挑戰,包括柵極驅動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多,在負偏置電壓時(shí)會(huì )關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多,要求嚴格的柵極驅動(dòng)設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn),機身二極管壓降較高,因此對空轉時(shí)間和打開(kāi)/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴格。


準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關(guān)鍵,以便能夠及時(shí)制訂正確的設計決策。提高設計裕量和過(guò)度設計只會(huì )推動(dòng)成本上升,導致性能下降。此外,這些器件一般會(huì )涉及超過(guò)200 V的高壓,因此確保人身安全,防止觸電非常關(guān)鍵。


高壓器件測試


高壓半導體器件基本表征一般需要研究擊穿電壓和漏流。這兩個(gè)參數幫助器件設計人員迅速確定器件是否正確制造,確定其能否有效地用于目標應用中。


擊穿電壓測量


在測量擊穿電壓時(shí),我們要對被測器件施加一個(gè)不斷提高的反向電壓,直到達到一定的測試電流,表明器件被擊穿。圖1是使用源測量單元(SMU)儀器在高壓二極管上進(jìn)行擊穿測量,比如使用Keithley 2470 高壓源表SourceMeter? SMU儀器。注意SMU儀器怎樣連接到二極管的負極上應用反向電壓。對高壓二極管,使用安全三同軸電纜和正確接地的安全配線(xiàn)箱。


15.jpg

圖1. 使用2470 高壓SMU儀器對高壓二極管進(jìn)行的典型擊穿電壓測量。


在判斷擊穿電壓時(shí),一般會(huì )在遠高出被測器件預計額定值的水平上進(jìn)行測量,以保證被測器件強健可靠。SMU儀器(如2470擁有1100 V源功能)一般足夠高,可以測試當今SiC和GaN 器件及未來(lái)器件設計。


人身安全考慮因素


16.png

圖2: 正確接地的測試夾具。            


17.png

圖3: 安全互鎖連接在Keithley 2470 SMU儀器后面板上的位置。


在進(jìn)行高壓測試時(shí),人身安全至關(guān)重要,必須提前預防,避免觸電:


把被測器件(DUT)和任何暴露的連接密封在正確接地的夾具中,如圖2所示的夾具。


在理想情況下,SMU儀器要有安全互鎖,如圖3中的2470后面板所示。2470可以完全互鎖,在互鎖無(wú)效(互鎖開(kāi)關(guān)閉合)時(shí)高壓輸出會(huì )關(guān)閉。SMU儀器的互鎖電路應連接到正常開(kāi)路的開(kāi)關(guān),只有在系統中的用戶(hù)接入點(diǎn)閉合時(shí)開(kāi)關(guān)才會(huì )閉合,以保證操作人員不會(huì )接觸DUT的高壓連接。例如,一旦打開(kāi)測試夾具蓋,開(kāi)關(guān)/繼電器就會(huì )開(kāi)路,脫離2470 SMU的互鎖。


使用額定值達到系統最大電壓的電纜和連接器。吉時(shí)利TRX-1100 V高壓三同軸電纜是專(zhuān)為2470設計的,滿(mǎn)足了當今高壓安全標準。


在處理通電元件上的高壓時(shí),一直戴上正確的安全手套,如圖4所示。


18.jpg

圖4. 在處理通電元件上的高壓時(shí)使用正確的安全手套。


漏流測量


在典型的功率轉換應用中,半導體器件作為開(kāi)關(guān)使用。漏流測量表明了半導體接近理想開(kāi)關(guān)的程度。此外,在測量器件的可靠性時(shí),漏流測量用來(lái)表明器件劣化,預測器件的使用壽命。


半導體研究人員正在尋找各種材料,以制作質(zhì)量更高的開(kāi)關(guān),生產(chǎn)漏流很小的高功率器件。SMU儀器(如Keithley 2470)提供了精密弱電測量功能,測量分辨率最低可達10 fA。


在測量<1 μA電流時(shí),為了防止不想要的測量誤差,可以使用三同軸電纜和靜電屏蔽裝置。三同軸電纜非常重要,部分原因是它們允許承載來(lái)自電流測量?jì)x器的保護端子。保護功能消除了系統漏流影響,使其繞過(guò)測量端子。使用靜電屏蔽裝置,可以使靜電電荷避開(kāi)測量端子。靜電屏蔽裝置是一種金屬配線(xiàn)箱,放在電路和任何暴露的連接周?chē)?。安全測試配線(xiàn)箱可以作為靜電屏蔽裝置使用。


使用Keithley 2470 SMU儀器和KickStart軟件表征SiC功率二極管,2470 SMU儀器與吉時(shí)利KickStart軟件相結合,可以準確安全地快速測試高壓半導體器件上的擊穿電壓和反向漏流。


如需了解這一組合怎樣成功地解決固有的挑戰,請下載應用指南:使用Keithley 2470 SourceMeter?源測量單元(SMU)儀器和KickStart軟件在高壓半導體器件上進(jìn)行擊穿和漏流測量。


關(guān)于泰克科技


泰克公司總部位于美國俄勒岡州畢佛頓市,致力提供創(chuàng )新、精確、操作簡(jiǎn)便的測試、測量和監測解決方案,解決各種問(wèn)題,釋放洞察力,推動(dòng)創(chuàng )新能力。70多年來(lái),泰克一直走在數字時(shí)代前沿。歡迎加入我們的創(chuàng )新之旅,敬請登錄:tek.com.cn



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


擔心柵極驅動(dòng)器的絕緣能力?采用'BIER'測試吧

談一談電源系統噪聲來(lái)源

PMDE封裝的實(shí)機評估

大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性

IGBT和MOSFET該用誰(shuí)?你選對了嗎?

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>