【導讀】追求更低損耗、更高可靠性、更高性?xún)r(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實(shí)現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。

基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結構，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降V_F和結電荷Q_C，可以降低應用端的導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

圖（1）碳化硅二極管的JBS結構簡(jiǎn)圖

第三代產(chǎn)品縮小了芯片面積，并沿用6英寸晶圓量產(chǎn)，產(chǎn)量將大大提高。

圖（2）4英寸晶圓 & 6英寸晶圓

產(chǎn)品參數對比

01 正向導通壓降

●    在常溫25°C和高溫120°C條件下，通過(guò)額定電流，測量二極管的V_F值；

●    相比之下，Gen3產(chǎn)品不論是在常溫25℃還是在高溫120℃的條件下V_F都比Gen1、Gen2更優(yōu)。

   ○V_F @25℃：Gen1> Gen2 > Gen3

   ○V_F @120℃ ：Gen1> Gen2 > Gen3

02 電源效率對比

碳化硅肖特基二極管應用在1500W電源的PFC電路中（位置如下圖）。

測試條件：

   ○輸入電壓 100V、220V

   ○輸出電壓 48V 輸出電流30A

圖（3）PFC電路中二極管所在位置

圖（4）1500W電源中二極管位置

●    二極管在1500W電源上工作1小時(shí)，待熱穩定后的滿(mǎn)載效率對比；

●    在輸入電壓220V條件下，Gen3相比Gen1產(chǎn)品滿(mǎn)載效率提高0.1% 。

03 溫升測試

●    二極管在1500W電源上工作1小時(shí)，待熱穩定后進(jìn)行溫度對比；

圖（5）溫升測試平臺

圖（6）溫箱環(huán)境

圖（7）溫度測試點(diǎn)

●    從下圖可以看出，雖然第三代產(chǎn)品芯片面積減小了，但溫升效果并未因此變差，而是與前兩代產(chǎn)品基本持平。

04通流測試

●    二極管固定在120°C的加熱平臺，通過(guò)額定電流（直流），溫度穩定后測量V_F和溫度；

●    相比之下，第三代產(chǎn)品的通流溫度和V_F比Gen1、Gen2更優(yōu)：

   ○ 溫度：Gen1> Gen2 > Gen3

   ○V_F：Gen1> Gen2 > Gen3

產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)

綜上所述，基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優(yōu)點(diǎn)：

●    更低V_F：第三代二極管具有更低V_F，同時(shí)VF隨溫度的增長(cháng)率也更低，使應用導通損耗更低。

●    更低Q_C：第三代二極管具有更低Q_C，使應用開(kāi)關(guān)損耗更低。

●    更高性?xún)r(jià)比：芯片面積減小后，第三代二極管具有更高性?xún)r(jià)比。

●    更高產(chǎn)量：使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產(chǎn)出提升至4英寸平臺的2倍以上。

來(lái)源：基本半導體

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。

推薦閱讀：

針對SiC串擾抑制方法的測試報告

焦耳偷竊電路 

開(kāi)關(guān)電源設計中的頻率選擇（下）

識別并消除次諧波振蕩

如何控制原邊振鈴