【導讀】電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
圖1：BESS 實(shí)施概覽
BESS 的優(yōu)勢
最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因此非?？煽壳页杀据^低。隨著(zhù)鋰離子電池價(jià)格的持續下降，其在儲能系統中的使用不斷增加。使用帶有儲能電池的并網(wǎng)/離網(wǎng)太陽(yáng)能逆變器系統，為住宅和商業(yè)用戶(hù)帶來(lái)諸多好處，包括：
價(jià)格：當公用事業(yè)提供商的電價(jià)較高時(shí)，儲存能量可以降低電費。
自給自足：儲存能量可以減少（或消除）對電網(wǎng)的依賴(lài)。
備用電源：儲存的電力可在主電源出現故障時(shí)用作替代電源。
BESS主要構建模塊
BESS通常包括四大構建模塊：
可充電電池模塊：其中包括機架式電池單元，其標稱(chēng)電壓從50V到1000V以上不等。
電池管理系統 (BMS)：BMS用于‘保護和管理可充電電池，確保電池在安全工作參數范圍內運行。
變流器 (PCS)：PCS將電池組連接到電網(wǎng)和負載，是影響B(tài)ESS成本、尺寸和整體性能的一個(gè)重要因素。
能源管理系統 (EMS)：EMS軟件用于監測、控制和優(yōu)化發(fā)電或輸電系統。
住宅BESS
與BESS搭配使用的變流器可以按照耦合能量的方式（交流或直流）分類(lèi)，也可以按照功率等級（住宅或商業(yè)）分類(lèi)。直流耦合系統或混合逆變器僅需要一個(gè)電源轉換步驟。然而，對于現有太陽(yáng)能或風(fēng)力發(fā)電系統而言，雖然交流耦合儲能是一種簡(jiǎn)單的升級方案，但它需要額外的電源轉換步驟來(lái)對電池充電和放電，因此可能會(huì )損失更多功率。例如，住宅變流器可以添加到現有太陽(yáng)能逆變器系統中，以使用產(chǎn)生的能量為備用電池充電或為家用電器供電。
圖2：住宅交流耦合（左）和直流耦合（右）ESS
雙向DC-DC轉換器用于連接電池組和直流鏈路。單相系統的母線(xiàn)電壓通常小于600V，而充放電功率不會(huì )超過(guò)10kW。在這種情況下，降壓-升壓轉換器是最常見(jiàn)的雙向DC-DC拓撲，因為它需要的組件少且易于控制。在此類(lèi)雙向系統中，兩個(gè)帶有并聯(lián)二極管的650V IGBT或MOSFET就足夠了。例如，安森美650V FS4 IGBT FGH4L75T65MQDC50集成了SiC二極管，可在這種應用中實(shí)現低導通和低開(kāi)關(guān)損耗。
圖3：雙向DC-DC的降壓-升壓
隔離可以確保BESS用戶(hù)的安全，雙有源橋轉換器 (DAB) 或CLLC拓撲結構為BESS提供了隔離型雙向DC-DC轉換器方案。如果電池電壓發(fā)生顯著(zhù)變化，級聯(lián)前端降壓-升壓電路可以提供更寬范圍的輸入和輸出電壓。這種方法還降低了無(wú)功功率，并增加了軟開(kāi)關(guān)區的大小。NTP5D0N15MC 150 V N溝道屏蔽柵極PowerTrench MOSFET非常適合這些拓撲。
商業(yè)和企業(yè)場(chǎng)所及具有較大功率需求的家庭通常采用標準的三相電源。在三相應用中，電源開(kāi)關(guān)必須能夠承受所需的工作電壓和電流，以提供高達15kW 的輸出功率，而且還要能夠承受高于住宅裝置所用的直流鏈路電壓（高達1000V）。為此，可以將之前考慮的650V開(kāi)關(guān)替換為1200V器件，作為三電平對稱(chēng)降壓-升壓拓撲的一部分。這樣，開(kāi)關(guān)損耗會(huì )更低，因為只有一半的輸出電壓出現在開(kāi)關(guān)和二極管上。它的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是所需的電感更小，并且EMI性能得到改善。遺憾的是，這種方法需要更多組件，導致設計復雜性、控制難度和系統成本增加。
商用儲能系統的輸入和輸出功率范圍通常在100kW至2MW之間。這些大型裝置可能由若干個(gè)三相子系統組成，功率范圍從幾十千瓦到超過(guò)100kW不等。在這類(lèi)應用中，最大直流電壓是一項關(guān)鍵參數，它取決于現有太陽(yáng)能系統的母線(xiàn)電壓或電池電壓。標準商用太陽(yáng)能逆變器的直流母線(xiàn)電壓通常為1100V，但在公用事業(yè)規模系統中可能高達1500V。對于給定功率水平，提高直流母線(xiàn)電壓會(huì )降低電流，從而降低互連電纜的成本。
交流耦合系統更常用于商用BESS，因為它可以輕松添加到現有設計中。直流耦合系統對電氣改造的要求相對較高，尤其是商用場(chǎng)合，因為必須將其連接到直流母線(xiàn)，而直流母線(xiàn)通常位于原系統內部，具有高電壓和高電流。三電平I-NPC是大功率工業(yè)應用中常常與逆變器配合使用的拓撲結構。它有四個(gè)開(kāi)關(guān)、四個(gè)反向二極管和兩個(gè)鉗位二極管，擊穿電壓低于實(shí)際直流鏈路電壓，這意味著(zhù)650V開(kāi)關(guān)在1100V系統中就足夠了。
圖4：三相I-NPC拓撲結構
使用三電平拓撲結構有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先，其開(kāi)關(guān)損耗較低（與施加到開(kāi)關(guān)和二極管的電壓的平方成正比）。其次，其電流紋波較低，并且峰峰值電壓為總輸出的一半，因而更容易利用較小、成本較低的電感進(jìn)行濾波。最后，與電流紋波相關(guān)的傳導EMI更低，電磁輻射也更低。升級到A-NPC拓撲可提供更好的性能，因為它用兩個(gè)更低損耗的有源開(kāi)關(guān)取代了兩個(gè)鉗位二極管。然而，對于這種架構，驅動(dòng)器配對和延遲匹配至關(guān)重要，但這在某些應用中可能是一個(gè)不利因素。
SiC方案有助于改善BESS性能
SiC具有比硅更優(yōu)越的性能特征，例如：更寬的帶隙、更高的擊穿場(chǎng)強和更高的熱導率。這些特性使SiC器件能夠在更高的頻率下工作，而無(wú)需權衡輸出功率與電感尺寸。憑借SiC帶來(lái)的更高工作效率，在某些情況下，可使用自然散熱來(lái)代替強制風(fēng)冷。安森美的650 V EliteSiC MOSFET NTH4L015N065SC1和NTBL045N065SC是取代儲能系統應用中硅基開(kāi)關(guān)的理想選擇。同時(shí)，EliteSiC功率集成模塊采用1200V NXH40B120MNQ0雙升壓和NXH010P120MNF1 2件裝半橋，可以在公用事業(yè)規模系統中提供更高的功率密度。安森美還提供其他幾種組件，包括柵極驅動(dòng)器、電流檢測放大器和MACPHY以太網(wǎng)控制器，都可用于BESS應用。
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