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LED驅動(dòng)模塊RSC6218A 5W-18W迷你高效驅動(dòng)電源應用
REASUNOS(瑞森半導體)通過(guò)持續投入研發(fā)，提升LLC應用技術(shù)，集成控制芯片與功率轉換，成功推出新一代產(chǎn)品RSC6218A WSOP-16，延續瑞森LLC拓撲方案，時(shí)機趨勢完全迎合我國雙碳政策，電氣特性契合新版國標GB/T 17625.1-2022和歐盟新版ERP認證EU2019/2020雙重法規，專(zhuān)為中小功率的產(chǎn)品提供優(yōu)秀的方案；接下來(lái)會(huì )分幾個(gè)篇章持續介紹新方案產(chǎn)品的應用資料和設計實(shí)例分享。
2024-04-28
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瑞森半導體新品攻略—小功率、小體積、高效率！LED驅動(dòng)模塊RSC6218A
瑞森半導體（REASUNOS）推出應用在5W-18W LED電源上的LED驅動(dòng)模塊RSC6218A。LED驅動(dòng)模塊RSC6218A是一款LLC 諧振拓撲功率模塊，帶有半橋驅動(dòng)的控制電路和功率轉化器件，適用于 LED 恒流控制線(xiàn)路，電路工作頻率可達200KHz。
2024-04-12
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更高能效、穩定可靠的工業(yè)驅動(dòng)模塊和開(kāi)箱即用的電機開(kāi)發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅動(dòng)、泵、暖通空調 (HVAC)、能源轉換等各個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現對能源的調制及高效利用。安森美半導體的創(chuàng )新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹(shù)脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統實(shí)現更高能效、更長(cháng)的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機驅動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應用。
2020-12-09
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LED驅動(dòng)模塊在汽車(chē)照明中的新機遇
隨著(zhù)LED照明在汽車(chē)電子領(lǐng)域的飛速發(fā)展，新的LED挑戰也接踵而至。本文介紹了當今照明電源設計師面臨的主要限制因素，并探討了如何利用MPS新型汽車(chē)LED模塊 —— MPM6010-AEC1 解決這些問(wèn)題。
2020-02-05
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典型功率MOSFET驅動(dòng)保護電路設計方案
功率場(chǎng)效應晶體管由于承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅動(dòng)與保護電路的設計要求，計算了MOSFET驅動(dòng)器的功耗及MOSFET驅動(dòng)器與MOSFET的匹配之后，在此基礎上設計了基于IR2130驅動(dòng)模塊的MOSFET驅動(dòng)保護電路。該電路具有結構簡(jiǎn)單，實(shí)用性強，響應速度快等特點(diǎn)。在驅動(dòng)無(wú)刷直流電機的應用中證明，該電路驅動(dòng)能力及保護功能效果良好。
2016-07-15
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elmos推出72V集成模式BLDC直流無(wú)刷電機驅動(dòng)解決方案
德國elmos公司日前宣布推出一款適用于直流無(wú)刷電機(BLDC)控制的單芯片方案E523.52。該芯片的最大輸入電壓為72V，集成了一個(gè)16bit的微控制器，為馬達控制特別設計的硬件外設，多路電源發(fā)生器，MOSFET預驅動(dòng)模塊以及運算放大器。在使用N溝道MOSFET的情況下，E523.52最大可驅動(dòng)1000W左右的直流無(wú)刷電機。
2015-06-04
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電機驅動(dòng)模塊的電路設計與實(shí)現,全速運轉是關(guān)鍵
驅動(dòng)電路采用H型橋式PWM脈寬調制驅動(dòng)形式，如圖1所示。電路主要由大功率三極管B772、D882、三極管8050和光電耦合器等元件組成。該驅動(dòng)電路可控制電機的正轉、反轉和停止。
2014-09-27
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基于2SD315模塊的IGBT驅動(dòng)保護電路設計
IGBT 驅動(dòng)保護電路是IGBT可靠、穩定、高效運行的基礎，也是IGBT所構成系統可靠運行所必不可少的。本文所提出的IGBT驅動(dòng)保護電路是應用于二極管箝位式的三電平變頻器當中，在介紹IGBT主要特性的前提下，介紹應用CONCEPT公司的2SD315模塊設計具有高可靠性、高集成度，高效率等特點(diǎn)的 IGBT驅動(dòng)保護電路，最后給出以型號為2SD315AI-33驅動(dòng)模塊的實(shí)際驅動(dòng)電路。
2013-08-24
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解讀各種IGBT驅動(dòng)電路和IGBT保護方法
保證IGBT的可靠工作，驅動(dòng)電路起著(zhù)至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅動(dòng)電路和IGBT的保護，包括驅動(dòng)電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅動(dòng)電路、2SD315A集成驅動(dòng)模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過(guò)流保護方法。
2013-08-08
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如何解決驅動(dòng)單元設計中的電磁兼容問(wèn)題
驅動(dòng)單元的主電路都有可能對電磁環(huán)境存在干擾，所以在設計驅動(dòng)模塊時(shí)，電磁兼容性問(wèn)題就是我們必須考慮的問(wèn)題，從而避免驅動(dòng)單元對外界的干擾。本文介紹了電磁兼容基本原理、電磁兼容的實(shí)施辦法，并且主對諧波電流的抑制方法進(jìn)行了具體闡述，同時(shí)對其它干擾也介紹了處理方法。
2013-04-19
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充分發(fā)揮MOSFET優(yōu)點(diǎn)的電機保護電路設計
如何設計出可靠和合理的驅動(dòng)與保護電路，對于充分發(fā)揮MOSFET功率管的優(yōu)點(diǎn)，起著(zhù)至關(guān)重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和關(guān)鍵。文中用IR2130驅動(dòng)模塊為核心，設計了功率MOSFET驅動(dòng)保護電路應用與無(wú)刷直流電機控制系統中，同時(shí)也闡述了本電路各個(gè)部分的設計要求。該設計使系統功率驅動(dòng)部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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實(shí)例分析，MOSFET驅動(dòng)電路的設計
本文以IR2130驅動(dòng)模塊為核心，分析了MOSFET器件驅動(dòng)與保護電路的設計要求，并且計算了MOSFET驅動(dòng)器的功耗以及MOSFET驅動(dòng)器與MOSFET的匹配，而且還設計了基于IR2130驅動(dòng)模塊的MOSFET驅動(dòng)保護電路。
2013-03-15
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