【導讀】可控硅整流器的導通電壓一般由其器件參數決定，具體的可控硅導通電壓取決于其型號、制造商以及應用需求。因此，在具體的應用中，應該根據實(shí)際情況選擇相應的可控硅型號和規格，以滿(mǎn)足電路要求。
可控硅整流器的導通電壓一般由其器件參數決定，具體的可控硅導通電壓取決于其型號、制造商以及應用需求。因此，在具體的應用中，應該根據實(shí)際情況選擇相應的可控硅型號和規格，以滿(mǎn)足電路要求。
以下是一些常見(jiàn)的導通電壓范圍：
1. 低壓可控硅（Low Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為1V至40V。
2. 中壓可控硅（Medium Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為40V至1000V。
3. 高壓可控硅（High Voltage Thyristor）：一般導通電壓范圍為1000V以上，最高可達幾千伏特。
晶閘管操作
SCR-符號
SCR 在正向偏置時(shí)開(kāi)始導通。為此目的，陰極保持在負電壓，陽(yáng)極保持在正電壓。當正向偏置電壓施加到 SCR 時(shí)，結 J1 和 J3 變?yōu)檎蚱?，而結 J2 變?yōu)榉聪蚱?。當在柵極上施加正電壓時(shí)，結 J2 變?yōu)檎蚱貌⑶?SCR 開(kāi)啟。
在操作中，晶閘管可被視為背靠背連接的 NPN 和 PNP 晶體管，在器件內形成正反饋回路。發(fā)射極連接晶閘管陰極的晶體管是NPN器件，而發(fā)射極連接晶閘管陽(yáng)極的晶體管是PNP器件。柵極連接到 NPN 晶體管的基極。一個(gè)晶體管的輸出被饋送到第二個(gè)晶體管的輸入，第二個(gè)晶體管的輸出又被反饋到第一個(gè)晶體管的輸入。這意味著(zhù)當電流開(kāi)始流動(dòng)時(shí)，它會(huì )迅速增加，直到兩個(gè)晶體管都完全導通或飽和。
可控硅整流器常見(jiàn)故障及處理
可控硅整流器常見(jiàn)的故障包括：
1. 可控硅損壞：可控硅在工作過(guò)程中可能會(huì )受到過(guò)電流、過(guò)電壓、過(guò)溫等因素的影響而受損?？煽毓钃p壞后可能無(wú)法導通或失去控制，導致整流器無(wú)法正常工作。
2. 觸發(fā)電路故障：觸發(fā)電路是用于觸發(fā)可控硅導通的關(guān)鍵部分。觸發(fā)電路故障可能導致可控硅無(wú)法正常觸發(fā)，使整流器無(wú)法工作或無(wú)法實(shí)現預期的控制。
3. 整流器過(guò)熱：整流器在長(cháng)時(shí)間高負載工作或散熱不良的情況下可能會(huì )過(guò)熱。過(guò)熱可能導致可控硅損壞或觸發(fā)電路故障，影響整流器的正常運行。
4. 過(guò)電流保護觸發(fā)：當可控硅所能承受的電流超過(guò)額定值時(shí)，過(guò)電流保護回路會(huì )觸發(fā)并切斷電源。此時(shí)整流器可能無(wú)法正常工作，需要排除過(guò)電流原因并修復相關(guān)問(wèn)題。
處理可控硅整流器故障的方法包括：
1. 檢查可控硅：檢查可控硅是否損壞，可使用測試儀器進(jìn)行測試并替換損壞的器件。
2. 檢查觸發(fā)電路：檢查觸發(fā)電路的連接和元件是否正常。修復或替換故障的元件。
3. 改善散熱條件：檢查整流器的散熱系統，確保散熱良好，可以通過(guò)增加散熱器或風(fēng)扇等方式改善散熱條件。
4. 排查過(guò)電流問(wèn)題：檢查整流器輸入電流是否超過(guò)額定值，查找引起過(guò)電流的原因并修復。
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