【導讀】本應用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓撲中平均 LED 電流的依賴(lài)性來(lái)源。由于其設計工作在低于 150 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補償網(wǎng)絡(luò )解決相關(guān)性。
本應用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓撲中平均 LED 電流的依賴(lài)性來(lái)源。由于其設計工作在低于 150 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補償網(wǎng)絡(luò )解決相關(guān)性。
理論：開(kāi)關(guān)延遲
由于內部傳播延遲而導致的延遲
在上圖中（圖 1），線(xiàn)圈電流的 IREF/VREF 引腳上定義的閾值達到 1。但是，MLX10803 在檢測到RSense 上的閾值（為 1），DRVOUT 上的 FET 實(shí)際開(kāi)關(guān)為 2。
備注：該延遲與去抖時(shí)間 (Tdeb ~ 30 ns) 無(wú)關(guān)。Tdeb 旨在消除由于 RSense 引腳上的振鈴而導致的任何問(wèn)題。
由于驅動(dòng)器 FET 的下降斜率導致的延遲
關(guān)閉 FET 所需的時(shí)間會(huì )產(chǎn)生額外的延遲：T_FEToff_delay
例如：
使用 EVB10803_1 降壓評估板時(shí)，其中 SOT223 BSP318 由 R2 = 100 Ω 驅動(dòng)，FET 關(guān)閉延遲約為 30 ns。
相比之下，SOT23 PMV213SN 具有較小的柵極電容，與 100 Ω 驅動(dòng)電阻相結合會(huì )增加約 120 ns 的延遲（參見(jiàn)圖 2）。
由于開(kāi)關(guān)延遲而導致 ILED 的電源依賴(lài)性
平均 LED 電流的誤差取決于電源。
[tex] I _ {error}=frac{V_ {sup}-V_ {LED}}{L}times T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay} [/tex]
和：
[tex] T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay}=T_ {內部
延遲}+T_ {FEToffDelay} [/tex]
評論：
FET 的下降沿通常是主要因素。減少 T_FETToffDelay 將增加 FM 無(wú)線(xiàn)電頻段的 EMC 噪聲。FM 無(wú)線(xiàn)電頻段中的這種噪聲可以通過(guò)在 FET 源路徑中添加鐵氧體磁珠來(lái)改善。
增大電感值 L 也會(huì )減小 Ierror。
通過(guò)在 Rsense (R7) 上的電壓之上添加一個(gè)依賴(lài)于電源的電壓來(lái)實(shí)現補償。當電源電壓上升時(shí)，RSENSE 輸入引腳上的電壓會(huì )增加。當電源電壓上升時(shí)，這會(huì )降低峰值電流閾值，從而穩定 LED 電流。
實(shí)際實(shí)現是通過(guò)添加 2 個(gè)電阻器 R1 和 R6 來(lái)完成的。這會(huì )產(chǎn)生補償電流，近似為：
[tex] I_ {VCMP}=-[frac{R_ {6}/(R_ {6}+R_ {1})× V_ {S}}{R_ {7}}] [/tex]
電流補償斜率由 –R6/(R6+R1) 確定，可用于補償由于非零關(guān)斷延遲而導致的 ILED 上升。需要進(jìn)行一些實(shí)驗才能找到正確的值。
下面的應用示意圖中的補償網(wǎng)絡(luò )已將電源依賴(lài)性降低至 ±1% 以下。
* R1 = 引腳 8 和引腳 5 之間的 47 kΩ MLX10803
* R6 = R3 和引腳 5 MLX10803 之間的 200 Ω 電阻
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