<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
你的位置:首頁(yè) > 測試測量 > 正文

IPOSIM的今昔——從器件級的計算到基于系統的仿真

發(fā)布時(shí)間:2022-06-22 來(lái)源:英飛凌 責任編輯:wenwei

【導讀】選擇合適的功率半導體器件是功率電路設計的核心,需要通過(guò)計算獲得器件的損耗、系統溫度,有時(shí)還需要估算器件的壽命。這是個(gè)系統工程,一般需要專(zhuān)業(yè)團隊和多種仿真軟件實(shí)現。這對于大多數的設計團隊的項目很難實(shí)現,為此英飛凌25年前就提供的基于器件的損耗和溫度計算工具IPOSIM,這一平臺發(fā)展到今天已經(jīng)實(shí)現基于英飛凌器件模型庫和PLECS的云仿真。


IPOSIM的誕生


IPOSIM—IGBT Power Simulation for eupec IGBT,誕生于上世紀的90年代末期,它是完全基于Excel Sheet的IGBT和續流二極管損耗和熱仿真的計算書(shū),早期只支持100多個(gè)型號的NPT型第二代IGBT。


1655123251548860.png

我的珍藏版


這樣簡(jiǎn)單易用的“仿真”,結束了工程師需要代公式手算的歷史,把工程師從繁瑣重復的計算中解放出來(lái)。不少企業(yè)從此脫離了不會(huì )算,熱設計靠毛估估的時(shí)代,但這一試算表的定位是產(chǎn)品選型工具


它是假設流過(guò)器件電流是正弦的,并做線(xiàn)性近似。


1655123236564466.png


IPOSIM Excel版歷經(jīng)6次大改版,到它退出歷史舞臺時(shí)功能已經(jīng)很強大了,它可以比較多個(gè)器件的損耗,結溫,殼溫,紋波,給出最大輸出有效值電流能力等。甚至可以按照變化的負載工況,算出變化的損耗和溫度,但歸根到底它還是基于器件的計算。


1655123222957809.png


開(kāi)啟云仿真


網(wǎng)絡(luò )版IPOSIM是英飛凌數字化仿真平臺的一個(gè)重要轉折點(diǎn),進(jìn)入2010年代,英飛凌開(kāi)始利用半導體行業(yè)網(wǎng)上設計方案供應商Transim Technology推出IPOSIM網(wǎng)上設計仿真工具,后臺仿真軟件是Portunus。這一仿真平臺免安裝,友好的GUI用戶(hù)界面,一步一步幫你快速出結果,功能比IPOSIM Excel版本強多了,它是基于系統的仿真,可以支持多種拓撲結構和4種DC/AC調制策略,精度也比用公式計算高。


4.jpg


IPOSIM的新時(shí)代


2018年英飛凌開(kāi)始采用的PLECS作為web版的IPOSIM后臺仿真平臺,這樣做的好處是提高了仿真性能。我們?yōu)榭蛻?hù)開(kāi)放器件PLECS模型,所以工程師可以以在線(xiàn)和離線(xiàn)方式使用電路模板和熱/電模型進(jìn)行仿真。


1655123201711529.png


今天的IPOSIM支持19種不同的功率電路拓撲,包括三電平中的ANPC,器件庫包括IGBT/SiC模塊,單管,功率二級管和晶閘管等。


系統的調制方法非常豐富,三相兩電平的調制方式包括正弦調制、六種空間矢量方式等9種調制方式,負載可選感性負載和容性負載。輸出頻率低至0.1Hz。


仿真包括靜態(tài)工況,周期負載和模塊器件壽命估算。


6.jpg


最大和最小的IGBT:


在IPOSIM的器件庫里有小到1A 600V SOT-223封裝的單管,這是業(yè)內最小的IGBT,大到750A 6500V IGBT模塊,業(yè)內最大的IGBT模塊,散熱面尺寸差1200多倍,實(shí)際系統中IGBT損耗差1萬(wàn)多倍。


7.jpg

8.jpg


我們可以通過(guò)IPOSIM在不同的拓撲和調制策略下做損耗和熱仿真,我們也開(kāi)放仿真用的PLECS模型,注冊myinfineon就可以下載。



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


DC-DC升壓穩壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化

MEMS壓力傳感器解決人機界面新痛點(diǎn)

變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量

具備出色穩定性的CoolSiC MOSFET M1H

面對電磁輻射干擾,如何輕松進(jìn)行電子線(xiàn)路設計布局?

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>