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程序猿必需:如何簡(jiǎn)化DSP自動(dòng)加載過(guò)程及程序燒寫(xiě)?

發(fā)布時(shí)間:2015-03-15 責任編輯:sherryyu

【導讀】如何簡(jiǎn)化DSP自動(dòng)加載過(guò)程及程序燒寫(xiě)?本文采用的燒寫(xiě)方法不需要格式轉換到外部輔助設備,同時(shí)DSP程序不再進(jìn)行二次加載,簡(jiǎn)化了燒寫(xiě)及程序自動(dòng)加載的過(guò)程。
 
TMS320C6701(以下簡(jiǎn)稱(chēng)C6701)是一款浮點(diǎn)運算DSP,適用于需要大量運算且實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)合,如導航解算等。在浮點(diǎn)DSP芯片中,C6701是一款可應用于惡劣環(huán)境并具有高可靠性的產(chǎn)品,因此該型DSP芯片雖然推出較早,卻依然在某些領(lǐng)域具有重要應用價(jià)值。
 
DSP應用程序需脫離開(kāi)發(fā)系統獨立工作,在實(shí)時(shí)DSP應用系統中,通常將應用程序存儲在外部非易失性存儲器(如FLASH、EEPROM、PROM等)中。系統上電后,DSP將外部程序存儲器的程序代碼加載到可高速存取的RAM中,加載完成后自動(dòng)跳轉到零地址開(kāi)始運行。因此DSP程序燒寫(xiě)及自動(dòng)加載是實(shí)時(shí)DSP系統設計的重要部分。本文采用的燒寫(xiě)方法不需要格式轉換到外部輔助設備,同時(shí)DSP程序不再進(jìn)行二次加載,簡(jiǎn)化了燒寫(xiě)及程序自動(dòng)加載的過(guò)程。
 
1 加載方案及電路設計

1.1 外圍電路設計
 
C6701有三種加載模式:不加載(No Boot)、ROM加載(Rom Boot)、主機加載(Host Boot)。這三種加載模式由C6701的BOOTMODE[4:0]引腳電平設定,由這5個(gè)引腳的設置共同決定使用何種存儲空間映射模式。
 
在惡劣環(huán)境及高可靠應用場(chǎng)合中,可使用不加載方式,也可使用程序從ROM中加載到DSP片外高可靠RAM存儲器中的運行方式。FLASH、EEPROM、PROM等程序存儲芯片多為8位或16位,在高可靠應用環(huán)境中8位比較常見(jiàn)。本文中設置BOOTMODE[4:0]為01010B,即程序由外部8位程序存儲器加載到外部32位SRAM中,LENDIAN引腳接高電平。
 
外部程序存儲器選用FLASH芯片AM29LV160,32位SRAM芯片選用ACT—S512K32V。FLASH和SRAM芯片與C6701的硬件連接如圖1和圖2所示。
DSP與8位FLASH芯片接口示意圖
圖1 DSP與8位FLASH芯片接口示意圖
DSP與32位SRAM芯片接口示意圖
圖2 DSP與32位SRAM芯片接口示意圖
 
1.2 加載方案設計
 
在BOOTMODE[4:0]為01010B的設置下,程序由外部8位程序存儲器加載到外部32位SRAM中。C6701具體加載過(guò)程為:DMA按默認時(shí)序從CE1地址(0x01000000)復制64 KB到零起始地址外部SRAM芯片中,加載完成后,從零地址處開(kāi)始執行。C6701加載過(guò)程與C6713稍有不同,C6713只復制1 KB到零起始地址。64 KB應用程序可以滿(mǎn)足部分應用需求,本例中應用程序小于64 KB,C6701的DMA自動(dòng)加載即可滿(mǎn)足要求。當應用程序大于64 KB時(shí),開(kāi)發(fā)人員需要在前64 KB中編寫(xiě)將DSP應用程序從外部ROM搬移到指定存儲空間的二級引導程序,詳細過(guò)程可參考文獻。
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2 DSP應用程序設計
 
一個(gè)C語(yǔ)言工程通常包括.c文件、.cmd文件、.asm文件、.h文件和.lib文件。其中.cmd文件既是內存定位文件,又是鏈接器命令文件,在鏈接過(guò)程中起著(zhù)重要作用。鏈接時(shí),鏈接器把所有目標文件中的同名段合并,并按鏈接器命令文件給各段分配地址。中斷向量表決定加載完成后的C語(yǔ)言程序入口,通常中斷向量表用.asm文件實(shí)現。.cmd文件和中斷向量表的編寫(xiě)是決定DSP程序加載成功與否的關(guān)鍵和難點(diǎn)。
 
2.1 .cmd文件設計
 
.cmd文件的作用是實(shí)現應用程序和數據在DSP映射存儲空間中的定位,存儲空間的分配與硬件設計密切相關(guān)。本文BOOTMODE[4:0]為01010B,即存儲空間為MAP0映射模式,由CE0片選的RAM空間起始地址為0x00000000,由CE1片選的FLASH空間起始地址為0x01000000,用戶(hù)程序小于64KB。.cmd文件如下:
cmd文件
2.2 中斷向量表設計
 
本文中斷向量表如下:
本文中斷向量表
上電或復位完成后,DMA按默認時(shí)序從CE1地址復制64 KB到零起始地址處,加載完成后,DSP從零地址開(kāi)始執行。本文中斷向量表從程序空間0地址開(kāi)始存放,每個(gè)中斷向量8個(gè)字節,總計大小為0x200字節。加載完成后程序從0地址開(kāi)始執行,直接跳轉到DSP主程序入口~c_int 00處。
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3 燒寫(xiě)程序設計
 
應用程序編寫(xiě)完成后,需要將程序燒寫(xiě)到程序存儲器中。程序燒寫(xiě)主要有以下幾種方法:
 
①采用通用燒寫(xiě)器進(jìn)行燒寫(xiě);
 
②使用CCS中自帶FlashBurn工具燒寫(xiě);
 
③用戶(hù)自己編寫(xiě)燒寫(xiě)程序,由DSP將加載到片上的應用程序燒寫(xiě)到程序存儲器中。
 
使用通用燒寫(xiě)器燒寫(xiě)時(shí),需要程序存儲器為可插拔的,這樣給設計帶來(lái)不便。FlashBurn支持的存儲器種類(lèi)有限,對于使用國產(chǎn)存儲器芯片的場(chǎng)合不一定合適,另外FlashBurn不能識別目標文件,需要將目標文件轉換為二進(jìn)制文件后才可燒寫(xiě)。
 
采用用戶(hù)自己編寫(xiě)燒寫(xiě)程序的方法較為靈活。具體方法為:?jiǎn)为毥⒁粋€(gè)燒寫(xiě)工程文件,燒寫(xiě)時(shí),先把應用程序工程編譯生成的目標文件加載到目標DSP電路的RAM中,再把燒寫(xiě)工程文件生成的目標文件加載到目標DSP電路RAM的另一個(gè)地址空間中,運行main函數后執行燒寫(xiě)程序直到燒寫(xiě)完成。這種燒寫(xiě)方法可以避免兩次加載可能造成的覆蓋,防止第二次加載時(shí)修改第一次加載的內容。
 
3.1 燒寫(xiě)程序的.cmd文件和中斷向量表設計
 
燒寫(xiě)程序的.cmd文件與用戶(hù)應用程序的.cmd文件相同,但程序地址分配空間須嚴格區分開(kāi)來(lái)。本文將用戶(hù)程序地址空間安排在從0開(kāi)始的0xB400空間內,燒寫(xiě)程序安排在從0xC000開(kāi)始的0x3400空間內。燒寫(xiě)程序.cmd文件地址空間分配如下:
 
MEMORY{
 
VECS: o=0000C000h l=00000400h
 
PMEM: o=0000C400h l=00003000h
 
}
 
如果需要優(yōu)化程序空間,可以通過(guò)編譯生成的.map文件得到用戶(hù)程序和燒寫(xiě)程序實(shí)際占用的空間,通過(guò)修改,.cmd文件進(jìn)一步優(yōu)化。
 
燒寫(xiě)程序沒(méi)有中斷,可以只保留_c_int00,簡(jiǎn)單起見(jiàn),也可以采用與應用程序完全相同的中斷向量表。
 
3.2 燒寫(xiě)程序設計
 
在設計燒寫(xiě)程序前,需要充分了解程序存儲芯片的操作過(guò)程。本文使用的FLASH芯片AM29LV160的操作碼,有寫(xiě)操作、讀操作、芯片擦除、塊擦除、鎖定等十余種操作。FLASH芯片在寫(xiě)操作前需要先進(jìn)行擦除操作。燒寫(xiě)程序如下:
燒寫(xiě)程序
燒寫(xiě)程序設計和燒寫(xiě)操作中有以下幾點(diǎn)需要注意:
 
①燒寫(xiě)時(shí),一定要先把應用程序目標文件加載到RAM中,再把燒寫(xiě)程序目標文件加載到RAM中,然后運行main函數執行燒寫(xiě)。
 
②程序中FLASH_ADDRS為自動(dòng)加載前程序存儲的FLASH芯片地址,本文為0X01000000;RAM_ADDRS為加載后程序存儲的地址,本文為外部SRAM芯片地址0x00000000。
 
③進(jìn)行FLASH芯片操作前需對EMIF進(jìn)行初始化,程序中my_EmifCog為7個(gè)32位二進(jìn)制數組成的數組,分別配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM這7個(gè)控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片,CE2接8位FLASH芯片,分別設置CECTL0為0xFFFF3F23、CECTL1為0xFFFF3F03,其他控制寄存器需要根據應用情況來(lái)確定。
 
④FLASH芯片可整片擦除,也可塊擦除,需擦除完成后才能對FLASH芯片進(jìn)行寫(xiě)操作。FLASH芯片擦除時(shí)間較長(cháng),需要在擦除子程序后設置斷點(diǎn),等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空間全為0xFF為參考)后,再進(jìn)行程序燒寫(xiě)操作。
 
⑤程序中PRO_LEN為用戶(hù)程序長(cháng)度,為用戶(hù)應用程序,.cmd文件設置中斷向量、程序等分配的總長(cháng)度,本文為0xB400。
 
⑥程序加載到的外部SRAM為32位,FLASH芯片為8位,LENDIAN為高電平。燒寫(xiě)程序從SRAM中讀取的程序為32位,32位數據需要按照從低到高的順序燒寫(xiě)到8位FLASH芯片中。
 
結語(yǔ)
 
實(shí)際工程應用驗證了上述燒寫(xiě)及自動(dòng)加載方法的可行性。本文所述的加載過(guò)程比二次加載節省了DSP系統啟動(dòng)時(shí)間,但因加載過(guò)程中FLASH芯片讀寫(xiě)等待時(shí)間為默認設置,用戶(hù)不能更改,程序加載時(shí)間仍達120 ms,在某些看門(mén)狗時(shí)間較短的應用中需要特別考慮。本文的程序燒寫(xiě)方法還可以推廣應用于其他的DSP系統中。
 
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