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IGBT柵極驅動(dòng)設計,關(guān)鍵元件該怎么選?

發(fā)布時(shí)間:2022-10-12 責任編輯:lina

【導讀】柵極驅動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執行此功能,在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì )導致不必要的振鈴和不良EMI,而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì )增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。


柵極驅動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標是快速執行此功能,在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò),上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì )導致不必要的振鈴和不良EMI,而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì )增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。


IGBT柵極驅動(dòng)設計,關(guān)鍵元件該怎么選?

圖1:DGD0216 的柵極驅動(dòng)組件


上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅動(dòng)器組件。通過(guò)仔細選擇RG和RRG,可以有選擇地控制IGBT柵極驅動(dòng)器的上升和下降時(shí)間。開(kāi)啟時(shí),所有電流將通過(guò)RG流過(guò)IC,并對IGBT柵極電容充電,因此增加或減少RG將相應地增加或減少應用中的上升時(shí)間。隨著(zhù)DRG的添加,下降時(shí)間可以獨立控制,因為關(guān)斷電流從IGBT柵極電容通過(guò)RRG和DRG流向集成電路中的驅動(dòng)器到GND。因此,增加或減少RRG將相應地增加或減少下降時(shí)間。有時(shí)不需要這種精細控制,在這種情況下,您可以只使用RG。


增加導通和關(guān)斷可以限制由寄生電感引起的振鈴和噪聲,因此在噪聲環(huán)境中,可能需要增加柵極電阻。柵極元件的選擇是一個(gè)折衷方案,即一方面,上升時(shí)間越快,振鈴越多,電磁干擾越差,但效率越高;而另一方面,上升時(shí)間越慢,電磁干擾和噪聲性能越好,而效率越差。


柵極元件的精確值取決于應用程序的參數和系統要求。RG值通常在5Ω到50Ω之間,最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅動(dòng)器的驅動(dòng)電流決定。RRG值通常在3Ω和20Ω之間,最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅動(dòng)器的驅動(dòng)電流決定。


更多有關(guān)晶體管的技術(shù)信息, 參見(jiàn)digikey.cn以下內容:


· 晶體三級管基礎

· 并聯(lián)雙極型晶體管

· 如何尋找BJT、MOSFET和IGBT晶體管的替代物料

· 如何確定元件是否具有極性

· 快速計算BJT額定功率?記住這個(gè)公式就夠了

(來(lái)源:得捷電子DigiKey ,作者Digi-Key)



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