【導讀】電源系統設計工程師總想在更小電路板面積上實(shí)現更高的功率密度,對需要支持來(lái)自耗電量越來(lái)越高的FPGA、ASIC和微處理器等大電流負載的數據中心服務(wù)器和LTE基站來(lái)說(shuō)尤其如此。為達到更高的輸出電流,多相系統的使用越來(lái)越多。
電源系統設計工程師總想在更小電路板面積上實(shí)現更高的功率密度,對需要支持來(lái)自耗電量越來(lái)越高的FPGA、ASIC和微處理器等大電流負載的數據中心服務(wù)器和LTE基站來(lái)說(shuō)尤其如此。為達到更高的輸出電流,多相系統的使用越來(lái)越多。為在更小電路板面積上達到更高的電流水平,系統設計工程師開(kāi)始棄用分立電源解決方案而選擇電源模塊。這是因為電源模塊為降低電源設計復雜性和解決與DC/DC轉換器有關(guān)的印刷電路板(PCB)布局問(wèn)題提供了一種受歡迎的選擇。
本文討論了一種使用通孔布置來(lái)化雙相電源模塊散熱性能的多層PCB布局方法。其中的電源模塊可以配置為兩路20A單相輸出或者單路40A雙相輸出。使用帶通孔的示例電路板設計來(lái)給電源模塊散熱,以達到更高的功率密度,使其無(wú)需散熱器或風(fēng)扇也能工作。

圖1:包括兩個(gè)20A輸出的ISL8240M電路
那么該電源模塊如何才能實(shí)現如此高的功率密度?圖1電路圖中顯示的電源模塊提供僅有8.5°C/W的極低熱阻θ,這是因為其襯底使用了銅材料。為給電源模塊散熱,電源模塊安裝在具有直接安裝特性的高效導熱電路板上。該多層電路板有一個(gè)頂層走線(xiàn)層(電源模板安裝于其上)和利用通孔連接至頂層的兩個(gè)內埋銅平面。該結構有非常高的導熱系數(低熱阻),使電源模塊的散熱很容易。
為理解這一現象,我們來(lái)分析一下ISL8240MEVAL4Z評估板的實(shí)現(圖2)。這是一個(gè)在四層電路板上支持雙路20A輸出的電源模塊評估板

圖2:ISL8240MEVAL4Z電源模塊評估板
該電路板有四個(gè)PCB層,標稱(chēng)厚度為0.062英寸(±10%),并且采用層疊排列,如圖3所示。
圖3:ISL8240M電源模塊使用的四層0.062”電路板的層疊排列
該PCB主要由FR4電路板材料和銅組成,另有少量焊料、鎳和金。表1列出了主要材料的導熱系數。

SAC305* 是的無(wú)鉛焊料,由96.5%錫、3.0%銀和0.5%銅組成。 W = 瓦特,in = 英寸,C = 攝氏度,m = 米,K =開(kāi)氏度
我們使用式1 來(lái)確定材料的熱阻。

式1:計算材料的熱阻
為確定圖3中電路板頂部銅層的熱阻,我們取銅層的厚度(t)并除以導熱系數與截面積之積。為計算方便,我們使用1平方英寸作為截面積,這時(shí)A=B=1英寸。銅層的厚度為2.8密耳(0.0028英寸)。這是2盎司銅沉積在1平方英寸電路板區域的厚度。系數k是銅的W/(in-°C)系數,其值等于9。因此,對于這1平方英寸2.8密耳銅的熱流,熱阻為0.0028/9=0.0003°C/W。我們可使用圖3顯示的每層尺寸和表1中的相應k系數,來(lái)計算每層1平方英寸電路板區域的熱阻。結果如圖4所示。

圖4:1平方英寸電路板層的熱阻
從這些數字,我們可知33.4密耳(t5)層的熱阻是的。圖4中的所有數字顯示了從頂層至底層的這四層1平方英寸電路板的總熱阻。如果我們添加一個(gè)從電路板頂層至底層的通孔連接會(huì )怎樣?我們來(lái)分析添加該通孔連接的情況。
電路板使用的通孔的成孔尺寸約為12密耳(0.012英寸)。制造該通孔時(shí)先鉆一個(gè)直徑為0.014英寸的孔,然后鍍銅,這會(huì )在孔內側增加約1密耳(0.001英寸)厚的銅壁。該電路板還使用了ENIG電鍍工藝。這在銅外表面上增加約200微英寸鎳和約5微英寸金。我們在計算中忽略這些材料,只使用銅來(lái)確定通孔的熱阻。
式2是計算圓柱形管熱阻的公式。

式2:計算圓柱形管熱阻
變量l是圓柱形管的長(cháng)度,k是導熱系數,r1是較大半徑,r0是較小半徑。
對12密耳(直徑)成孔使用該式,我們有r0=6密耳(0.006英寸)、r1=7密耳(0.007英寸)和K=9(鍍銅)。

圖5:12密耳通孔的表面尺寸
變量l是通孔的長(cháng)度(從頂面銅層到底面銅層)。電路板上焊接電源模塊的地方?jīng)]有阻焊層,但對其他區域,PCB設計工程師可能要求在每個(gè)通孔的頂部放置阻焊層,否則通孔上面的區域會(huì )空缺。由于通孔只連接外銅層,所以其長(cháng)度為63.4密耳(0.0634英寸)??偼组L(cháng)度本身的熱阻是167°C/W,如式3所示。

式3:計算一個(gè)通孔(12密耳)的熱阻
圖6列出了連接電路板各層的每段通孔的熱阻。

圖6:連接電路板各層的通孔段的熱阻
請注意,這些值只是一個(gè)通孔本身的熱阻,并未考慮穿過(guò)電路板的每一段與圍繞它的材料是橫向連接的。
如果我們分析圖4中各個(gè)電路板層的熱阻值,并將它們與一個(gè)通孔的熱阻值進(jìn)行比較,似乎該通孔的熱阻比每層的熱阻高很多,但是請注意,一個(gè)通孔只占1平方英寸電路板區域的1/5000不到。如果我們決定比較更小的電路板區域,比如0.25英寸x0.25英寸(這是前面電路板區域的1/16),則圖4中的每個(gè)熱阻值將增加到原來(lái)的16倍。例如,t4和33.4密耳厚FR4層的熱阻會(huì )從5.21875°C/W增加至83.5°C/W。僅對該0.25英寸x0.25英寸區域添加一個(gè)通孔就會(huì )使穿過(guò)該33.4密耳FR4層的熱阻減少近一半(83.5°C/W和90.91°C/W)。0.25英寸x0.25英寸方塊的面積是一個(gè)通孔的面積的約400倍。那么如果在該區域布置16個(gè)通孔會(huì )怎樣?與一個(gè)通孔相比,所有平行通孔的有效熱阻將減小16倍。圖7比較了各個(gè)0.25英寸x0.25英寸電路板層與16個(gè)通孔的熱阻。0.25英寸x0.25英寸電路板的33.4密耳厚FR4層的熱阻為83.5°C/W。16個(gè)平行通孔具有5.6821°C/W的等效熱阻。
這16個(gè)通孔只占0.25英寸x0.25英寸電路板區域面積的不到1/25,但可顯著(zhù)減小從頂面到低層的熱阻連接。

圖7:熱阻值比較
請注意,當熱向下流過(guò)通孔并達到另一層時(shí),特別是另一個(gè)銅層時(shí),其將橫向擴散到該材料層。添加越來(lái)越多通孔終會(huì )降低效果,因為從一個(gè)通孔橫向擴散到附近材料的熱終會(huì )與來(lái)自另一個(gè)方向(源自從另一通孔)的熱相遇。ISL8240MEVAL4Z評估板的尺寸是3英寸x4英寸。電路板上的頂層和底層有2盎司銅,還有兩個(gè)內層各包含2盎司銅。為使這些銅層發(fā)揮作用,電路板有917個(gè)12密耳直徑的通孔,它們全都有助于將熱從電源模塊擴散到下面的銅層。
結束語(yǔ)
為適應電壓軌數目的增多和更高性能的微處理器和FPGA,諸如ISL8240M電源模塊等先進(jìn)的電源管理解決方案,通過(guò)提供更大功率密度和更小功耗來(lái)幫助提高效率。通孔在電源模塊電路板設計中的實(shí)現,已成為實(shí)現更高功率密度的一個(gè)越來(lái)越重要的因素。
(來(lái)源:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng))
免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請電話(huà)或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。