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SpectrumView跨域分析加速EMI診斷
在電源管理芯片、隔離芯片等模擬集成電路中，很多電路元件之間(如變壓器、功率管等)以及導線(xiàn)上都會(huì )不斷地產(chǎn)生各種電流電壓的變化(即dv/dt 節點(diǎn)和高 dI/dt 環(huán)路)，以及受高頻寄生參數的影響，這些元件通過(guò)電磁感應效應不斷地產(chǎn)生各種電磁波，經(jīng)電源線(xiàn)傳導或形成天線(xiàn)效應對外輻射，影響到正常的電路功能，導致設備性能下降、通訊中斷或故障，甚至對周?chē)渌舾须娮釉O備正常工作造成嚴重干擾，重則會(huì )引發(fā)事故。如電源管理芯片等模擬IC器件，因其高靈敏度、系統集成度及布線(xiàn)布局設計等因素，極易受到EMI(電磁干擾)的影響。
2024-06-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統優(yōu)勢發(fā)揮到極致
DAH Solar的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統采用了Transphorm氮化鎵平臺，該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽(yáng)能電池板系統，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開(kāi)關(guān)頻率和功率密度。更值得一提的是，系統中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅動(dòng)器配對，從而幫助 DAH Solar 縮短了設計時(shí)間。
2023-10-16
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RS瑞森半導體LLC恒流方案的應用市場(chǎng)
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓撲，帶有半橋驅動(dòng)恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內部集成的模塊包括：邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過(guò)壓保護電路、過(guò)溫保護電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過(guò)零檢測電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動(dòng)設置死區時(shí)間，防止高端和低端輸出功率管的同時(shí)導通，使方案設計更簡(jiǎn)單可靠，同時(shí)對功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開(kāi)路保護、短路保護、過(guò)溫保護等保護功能。
2023-02-17
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Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數據
加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數據。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶(hù)現場(chǎng)應用中失效的器件數。迄今為止，基于超過(guò)850億小時(shí)的現場(chǎng)應用數據，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評估中，這一失效率是業(yè)界報道過(guò)的最好的評估結果之一。
2022-12-20
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IGBT和MOSFET該用誰(shuí)？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱(chēng)是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。隨著(zhù)新能源汽車(chē)、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來(lái)了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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4個(gè)MOS管驅動(dòng)的全橋電路原理
電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅動(dòng)才能也是有限的，所以單片機普通做驅動(dòng)信號，驅動(dòng)大的功率管如MOS管，來(lái)產(chǎn)生大電流從而驅動(dòng)電機，且占空比大小能夠經(jīng)過(guò)驅動(dòng)芯片控制加在電機上的均勻電壓到達轉速調理的目的。
2021-11-24
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簡(jiǎn)單智能的高密度電源芯片
隨著(zhù)效率優(yōu)化及高端處理器、FPGA和ASIC等復雜電源的需求呼聲越來(lái)越高,有源功率管理逐漸成為數據中心服務(wù)器、電信系統和網(wǎng)絡(luò )設備應用中的關(guān)鍵設計要求。同時(shí)還希望電源設計工程師能夠不斷縮短開(kāi)發(fā)周期,減小電路板尺寸。
2021-03-09
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數字電源的兩種調制方式分析
數字電源的調制方式可以分為脈沖寬度調制和脈沖頻率調制模式。脈沖寬度調制（簡(jiǎn)稱(chēng)脈寬調制）是在不改變頻率的情況下，通過(guò)調節脈沖的占空比來(lái)調節功率管的開(kāi)關(guān)時(shí)間；而脈沖頻率調制（脈頻調制）模式是在不改變脈沖占空比的情況下，通過(guò)調節脈沖頻率來(lái)控制開(kāi)管的開(kāi)啟時(shí)間。兩種調制模式各有其優(yōu)缺點(diǎn)。
2020-12-28
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反激拓撲RCD吸收之變壓器漏感
反激電源的RCD吸收，對電源研發(fā)行業(yè)從業(yè)者來(lái)說(shuō)是非常常見(jiàn)的電路，一般認為為了處理反激電源變壓器漏感帶來(lái)的功率管電壓尖峰，需要通過(guò)RCD電路進(jìn)行處理。
2020-12-11
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開(kāi)關(guān)電源Buck電路CCM與DCM工作模式有什么區別？
CCM（Continuous Conduction Mode），連續導通模式：在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內，電感電流從不會(huì )到0?；蛘哒f(shuō)電感從不“復位”，意味著(zhù)在開(kāi)關(guān)周期內電感磁通從不回到0，功率管閉合時(shí)，線(xiàn)圈中還有電流流過(guò)。
2020-01-22
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DDR5插槽連接器助力下一代技術(shù)
對于許多的數據中心運營(yíng)商來(lái)說(shuō)，降低功耗都是他們的首當要務(wù)，從而降低運營(yíng)費用。雙數據速率 5內存，其官方簡(jiǎn)稱(chēng)為 DDR5，目標就是提供數據中心所需的增強性能以及功率管理功能，為400GE的網(wǎng)絡(luò )速度提供良好支持。
2019-10-25
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為什么有些變頻器負載要加制動(dòng)電阻？
對于提升負載、頻繁啟停及快速制動(dòng)的場(chǎng)合，例如電梯、收放卷機、離心機等，需要配置制動(dòng)電阻，這樣可將電動(dòng)機在負載下降及制動(dòng)過(guò)程中產(chǎn)生的電能通過(guò)調速系統中的制動(dòng)電阻或制動(dòng)單元消耗掉(稱(chēng)為能耗制動(dòng))。制動(dòng)單元作為接通制動(dòng)電阻的“開(kāi)關(guān)”，由功率管、電壓采樣比較電路和驅動(dòng)電路等組成。
2019-05-17
- 電容選型避坑手冊：參數、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
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