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保護USB的電源開(kāi)關(guān)設計方案
本文設計的USB電源開(kāi)關(guān)采用自舉電荷泵，為N型功率管提供2倍于電源的柵驅動(dòng)電壓。在負載出現異常時(shí)，過(guò)流保護電路能迅速限制功率管電流，以避免熱插拔對電路造成損壞。
2011-09-08
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實(shí)現智能手機USB 2.0端口共享的方案
典型的智能手機包含一個(gè)通信處理器、一個(gè)應用處理器和一個(gè)功率管理IC，它們都必需共享單個(gè)USB端口，并以480Mbps的高速USB數據速率進(jìn)行通信。而很多移動(dòng)設備需要許多信號處理集成電路（IC）以滿(mǎn)足用戶(hù)各種不同的功能要求。各種新奇的玩意兒正在讓智能手機變得越來(lái)越娛樂(lè )化，沒(méi)有更好的應用就會(huì )落后，市場(chǎng)銷(xiāo)售就不理想。本文介紹一些能夠解決該問(wèn)題的方案，并對從USB集線(xiàn)器到簡(jiǎn)單模擬開(kāi)關(guān)的各種不同解決方案進(jìn)行比較。
2011-07-21
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大功率電源模塊的散熱設計
用傳統的熱設計理論及經(jīng)驗公式對電源模塊內的四個(gè)50W大功率管進(jìn)行了散熱設計，應用熱分析軟件Icepak對理論計算進(jìn)行了校核,并對方案進(jìn)行了優(yōu)化設計。
2011-04-01
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MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置
飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。
2010-11-16
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數字控制技術(shù)
在一個(gè)電源系統中有許多地方可以采用數字技術(shù)，一個(gè)是電源內部電路本身，還有就是在系統級實(shí)現功率管理和監控功能。本文將針對第一種情況進(jìn)行詳細討論。文中比較了板載電源(BMPS)的內部控制功能采用數字技術(shù)和更傳統的模擬方法的系統級實(shí)現效果。
2010-08-31
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多媒體SOC的低功耗設計方法
本文對多媒體中視頻應用的編碼特征以及負載特性進(jìn)行分析，從系統設計及優(yōu)化的層次，將功率管理模塊嵌入至多媒體SOC系統中。同時(shí)，將系統的運行狀態(tài)按不同的IP配置情況組合成一系列微狀態(tài)，在前人所做工作的基礎上，利用F-ARIMA模型預測負載，同時(shí)利用多媒體應用中衡量服務(wù)質(zhì)量的重要指標——最后期限缺失率(deadlinemissrate，DMR)作為反饋控制信息，兩者相結合的方式，實(shí)時(shí)調整多媒體SOC系統的運行狀態(tài)，實(shí)現移動(dòng)多媒體SOC設計過(guò)程中的功耗優(yōu)化。
2010-07-12
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50V RF LDMOS：飛思卡爾推出高功率密度功率管
飛思卡爾半導體日前推出一款RF LDMOS功率管，工作頻率為1.8至600 MHz ，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。
2010-05-28
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飛兆半導體榮獲Power One戰略供應商大獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)榮獲Power One公司頒發(fā)戰略供應商獎項(Strategic Supplier Award)，Power One公司是數字電源技術(shù)(DPT)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，提供可再生能源和高能效功率轉換及功率管理解決方案。
2010-05-20
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功率半導體發(fā)展趨勢
在過(guò)去的數年間，功率產(chǎn)品格局發(fā)生了最為重大的轉變，那就是功率半導體器件從用于諸如電動(dòng)機、磁盤(pán)驅動(dòng)器、電視線(xiàn)圈、熒光燈等的各種機電負載，向用于IC的純電子負載轉變。這種市場(chǎng)趨勢曾經(jīng)主要集中在功率半導體的產(chǎn)品創(chuàng )新，同時(shí)也創(chuàng )造了許多新的控制IC機會(huì )，從而誕生了一個(gè)新的代表性名詞來(lái)描述這種市場(chǎng)：功率管理。功率管理市場(chǎng)不僅巨大，而且正在不斷增長(cháng)。 本文主要講述功率半導體發(fā)展趨勢
2010-02-18
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用于有源電力濾波器的IGBT驅動(dòng)及保護研究
絕緣柵場(chǎng)效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著(zhù)廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅動(dòng)器的設計進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動(dòng)電路。
2008-10-02
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電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析
1970-01-01
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NPN三極管工作原理
NPN三極管具有壽命長(cháng)、安全可靠、沒(méi)有機械磨損、開(kāi)關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。NPN三極管可以用很小的電流，控制大電流的通斷，有較廣泛的應用。小功率開(kāi)關(guān)管可以用在電源電路、驅動(dòng)電路、開(kāi)關(guān)電路等；大功率管可用于彩色電視機、通信設備的開(kāi)關(guān)電源；也可用于低頻功率放大電路、電流調整等；高反壓大功率開(kāi)關(guān)管可用于彩色電視機行輸出管。
1970-01-01
- 電容選型避坑手冊：參數、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
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