-
憑借存儲密集型產(chǎn)品的支持，NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住日本地震的打擊
日本災害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線(xiàn)希望，即災害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等需要大量存儲的應用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續增長(cháng)。
2012-03-16
-
2012年平板計算機銷(xiāo)量上看億萬(wàn)臺 iPad市占將維持60%左右
在蘋(píng)果的iPad 3即上市的的之際，2012年平板計算機市場(chǎng)的爭奪戰才算正式開(kāi)打，根據產(chǎn)業(yè)研究機集邦科技(TrendForce)統合旗下WitsView(面板)、DRAMeXchange(NAND Flash)的研究數據，預估在2012年時(shí)全球平板計算機銷(xiāo)量將可望達到9,400萬(wàn)臺，比起2011年的6,200萬(wàn)臺，年成長(cháng)達53.1%。
2012-02-24
-
3D電視滲透率分析及電視出貨量情況
據DisplaySearch不同的消費行為和電視品牌的市場(chǎng)策略使全球電視產(chǎn)品呈現多元化，區域性差異也日益突出。根據NPDDisplaySearch最新季度報告QuarterlyTVDesignandFeaturesReport指出，西歐和中國是3D電視最具發(fā)展活力的地區；而在北美，第三季度3D電視出貨有所下降。
2011-12-31
-
簡(jiǎn)化設計 UniNand增強SOC對閃存兼容性
如何簡(jiǎn)化SOC的設計，降低閃存對SOC的技術(shù)要求，增強SOC對閃存的兼容性，是閃存設計中值得考慮的問(wèn)題。硅格半導體“UniNand”嵌入式智能閃存控制器通過(guò)創(chuàng )新的UniNand2.0接口，將SOC對閃存(Flash)的訪(fǎng)問(wèn)操作轉變?yōu)镾OC對該控制芯片的訪(fǎng)問(wèn)操作，而由該控制芯片本身來(lái)完成對閃存的管理，成功解決上述問(wèn)題，使SOC無(wú)需關(guān)注ECC及Flash兼容性管理，簡(jiǎn)化SOC的設計。
2011-05-04
-
電子供應鏈修復至少4月以上
針對日本強震對電子供應鏈的影響，美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘 (Daniel Heyler)近日表示，由于BT樹(shù)脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現在已停止接單，而兩家占BT樹(shù)脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴重，目前預估這次震災對NAND、LCD面板、太陽(yáng)能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預期這次電子供應鏈修復期至少4-6個(gè)月。
2011-03-21
-
日本地震影響電子元件供應與價(jià)格
日本地震與海嘯可能導致某些電子元件嚴重短缺，進(jìn)而推動(dòng)這些元件的價(jià)格大幅上漲。雖然目前幾乎沒(méi)有關(guān)于電子工廠(chǎng)實(shí)際損失的報道，但運輸與電力設施受到破壞將導致供應中斷，造成元件供應短缺和價(jià)格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標準邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
-
F-RAM會(huì )帶來(lái)RFID標簽的革命嗎？
目前市場(chǎng)上的存儲器種類(lèi)非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線(xiàn)存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標準無(wú)線(xiàn)存取功能相結合，使創(chuàng )新型的數據采集能力應用更廣泛的領(lǐng)域。
2011-03-01
-
2010年半導體設備產(chǎn)業(yè)將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動(dòng) 2010年半導體資本設備市場(chǎng)的成長(cháng)。對40奈米和45奈米設備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(cháng)動(dòng)能。
2010-06-21
-
內存晴雨表-NAND價(jià)格穩定帶來(lái)正面環(huán)境
NAND價(jià)格持續透明，導致2009年第四季度營(yíng)業(yè)收入創(chuàng )出最高記錄，使得多數NAND供應商對于2010年持有非常樂(lè )觀(guān)的看法。在智能手機和microSD卡等高密度應用的推動(dòng)下，市場(chǎng)對于NAND閃存的需求不斷增長(cháng)，也增強了廠(chǎng)商的信心。這種旺盛需求已促使廠(chǎng)商逐步重新啟動(dòng)和重新裝備其閑置的工廠(chǎng)。
2010-04-02
- 挑戰極限溫度：高溫IC設計的環(huán)境溫度與結溫攻防戰
- 聚焦成渝雙城經(jīng)濟圈：西部電博會(huì )測試測量專(zhuān)區引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級
- 專(zhuān)為STM32WL33而生：意法半導體集成芯片破解遠距離無(wú)線(xiàn)通信難題
- 隔離式精密信號鏈定義、原理與應用全景解析
- 隔離式精密信號鏈的功耗優(yōu)化：從器件選型到系統級策略
- GaN如何攻克精密信號鏈隔離難題？五大性能優(yōu)勢與典型場(chǎng)景全揭秘
- 模擬芯片原理、應用場(chǎng)景及行業(yè)現狀全面解析
- 高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
- 安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結構深度解析
- 晶振如何起振：深入解析石英晶體的壓電效應
- 精度?帶寬?抗噪！三大維度解鎖電壓放大器場(chǎng)景適配密碼
- 低排放革命！貿澤EIT系列聚焦可持續技術(shù)突破
- 車(chē)規與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰
- 汽車(chē)模塊拋負載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng )新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
