F-RAM存儲器的產(chǎn)品特性：

• 對稱(chēng)性的讀/寫(xiě)范圍和讀/寫(xiě)速率
• 無(wú)限次的讀寫(xiě)耐用性與超低功耗
• 具有抗伽馬輻射的特性

F-RAM存儲器的應用范圍：

• 電子收費系統

目前市場(chǎng)上的存儲器種類(lèi)非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應商Ramtron的MaxArias™系列無(wú)線(xiàn)存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標準無(wú)線(xiàn)存取功能相結合，使創(chuàng )新型的數據采集能力應用更廣泛的領(lǐng)域。

MaxArias無(wú)線(xiàn)存儲器是高價(jià)值資產(chǎn)跟蹤、制造和維護歷史數據記錄收集，能夠實(shí)現高容量和數據豐富的資產(chǎn)與信息追蹤系統，用于智能電表、航天/工業(yè)制造、庫存控制、維護歷史追蹤、藥物和醫療設備跟蹤、建筑安全，以及產(chǎn)品認證等應用。

Ramtron亞太區副總裁劉勝強先生指出，與EEPROM相比，F-RAM存儲器具有對稱(chēng)性的讀/寫(xiě)范圍和讀/寫(xiě)速率；更能達到無(wú)限次的讀寫(xiě)耐用性與超低功耗，,其耐寫(xiě)性是EEPROM的一億倍，寫(xiě)功耗是EEPROM的三千分之一；F-RAM存儲器還具有抗伽馬輻射的特性；極高的可靠性。這些獨特賣(mài)點(diǎn)是其他任何非易失性存儲器所無(wú)法企及的。

在應用中，F-RAM的等能量、等距離讀寫(xiě)有何特別優(yōu)勢？舉例說(shuō)明，在電子道路收費中，傳統的汽車(chē)RFID標簽采用的是EEPROM，它的寫(xiě)入速度比較慢，寫(xiě)入距離也比較近，必須采用更高頻率的信號以延長(cháng)信號輻射距離，從而為讀寫(xiě)數據贏(yíng)得時(shí)間，而且對車(chē)速也有一定限制，這對于車(chē)輛密集的擁堵路段來(lái)說(shuō)是難以接受的。如果汽車(chē)RFID標簽采用F- RAM，很多設計變成被動(dòng)式的，不需要電池，可以長(cháng)距離對F-RAM做讀寫(xiě)，當汽車(chē)自動(dòng)收費站以標準的860M-960MHz數據采集頻率，由于F-RAM將寫(xiě)入距離從5m延長(cháng)到15m，同時(shí)具有非?？鞂?xiě)入速率，從而可以大幅節省自動(dòng)收費系統的部署成本和通關(guān)時(shí)間，此外，F-RAM寫(xiě)入電壓只需1.6V，EEPROM的寫(xiě)入電壓高達13V，所以采用EEPROM的存儲器的應答器還需要額外的電池供電，而F-RAM不需要，因此可以節省許多功耗。因此，在整個(gè)電子道路收費系統上是一場(chǎng)新的革命，成本降低非常多，不單單是電池，包括之后的電池反修、更換等等……

在交談過(guò)程中，劉勝強先生透露，Ramtron的鐵電存儲器是采用其自身專(zhuān)利的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體，正是這種獨特的結構，使鐵電存儲器在掉電后仍能夠繼續保存數據，寫(xiě)入速度快且具有無(wú)限次寫(xiě)入壽命，不容易寫(xiě)壞。雖然現在MaxArias的應用是初期階段，但是有很多公司已進(jìn)入實(shí)測階段，預計在兩年時(shí)間會(huì )形成一個(gè)成熟的市場(chǎng)。Ramtron未來(lái)的產(chǎn)品方向是大容量，屆時(shí)還會(huì )將加密芯片加進(jìn)去，同時(shí)也會(huì )把其他一些類(lèi)似周邊測體溫、測水壓也做進(jìn)去。

最后，劉勝強先生表示，中國市場(chǎng)對于Ramtron是一個(gè)十分重要的市場(chǎng)，在RFID產(chǎn)業(yè)提供對稱(chēng)的讀寫(xiě)距離、對稱(chēng)的讀寫(xiě)速度、對稱(chēng)的讀寫(xiě)能量獨特的F-RAM技術(shù)，目前為止，沒(méi)有任何一家半導體廠(chǎng)家可以提供這種技術(shù)。