近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長(cháng)期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。其采用的碳化硅（SiC）晶體管成為一大亮點(diǎn)。SiC 作為新型半導體材料，具備耐高溫、高頻率特性以及卓越導電性能。相較于傳統硅基材料，它能夠承受更高工作溫度，擁有更快開(kāi)關(guān)速度，這大幅提升了能量效率與工藝穩定性，有效減少了能量損失和熱管理難題，提供靈活且穩定的鍍膜過(guò)程，有力確保了鍍膜質(zhì)量的一致性 。

HiPSTER 25 雙極模式

HiPSTER 25搭載的雙極HiPIMS技術(shù)，無(wú)需基底偏壓即可實(shí)現離子加速，簡(jiǎn)化工藝步驟，提升鍍膜質(zhì)量與均勻性。通過(guò)精確調控離子能量和方向，它能在各類(lèi)基材上形成光滑致密的涂層，顯著(zhù)增強產(chǎn)品耐磨性、耐腐蝕性和光學(xué)性能。此外，該設備集成豐富的工藝參數調整選項，用戶(hù)可按需精細調節氣體流量、放電電壓和脈沖頻率等，無(wú)論是硬質(zhì)涂層、光學(xué)鍍膜還是電氣涂層，都能實(shí)現良好效果。其外部觸發(fā)多個(gè)電源的功能，更為復雜的多層鍍膜和復合結構鍍膜創(chuàng )造了可能。

新型開(kāi)關(guān)技術(shù)的應用，讓 HiPSTER 25的HiPIMS脈沖頻率達到150kHz，高頻脈沖不僅提升鍍膜效率，還能促進(jìn)薄膜均勻致密沉積，尤其在處理復雜三維結構時(shí)優(yōu)勢顯著(zhù)。增強的脈沖控制功能，可精準調節脈沖形狀、寬度和能量分布，成為研發(fā)新型材料和優(yōu)化現有工藝的得力工具。

HiPSTER 25 優(yōu)勢

為進(jìn)一步保障鍍膜質(zhì)量，HiPSTER 25集成了Ionautics的反應過(guò)程控制系統。該系統實(shí)時(shí)監測和調節鍍膜化學(xué)反應，精確控制鍍膜成分與結構，減少缺陷和雜質(zhì)，提升鍍膜穩定性和沉積率。經(jīng)過(guò)廣泛測試和優(yōu)化，HiPSTER 25在反應式 HiPIMS 及其他各類(lèi)磁控管工藝中均表現優(yōu)異。

從具體性能參數來(lái)看，HiPSTER 25輸出平均功率小于 25KW，支持電壓、電流、功率等多種調節模式，脈沖電流電弧控制反應時(shí)間小于2μs；輸入電壓靈活適配100-240VAC，支持RS 232、RS 485等多種遠程通信方式。無(wú)論是單極模式下的高電壓大電流輸出，還是可選的雙極模式和脈沖模式直流，都能滿(mǎn)足多樣化的工藝需求。

廣泛應用范圍

HiPSTER 25的應用場(chǎng)景廣泛。在擴散屏障和電氣涂層制備中，它能增加涂層密度，提升擴散屏障阻隔性能，防止材料相互滲透；通過(guò)優(yōu)化涂層厚度和熱負荷，提高導電材料導電性與絕緣體隔離效果，為電子封裝和電力傳輸提供高效方案。在航空航天、醫療器械和汽車(chē)制造等對三維涂層要求嚴苛的行業(yè)，HiPSTER 25憑借出色的鍍膜均勻性，可在復雜形狀基材上實(shí)現薄膜均勻覆蓋，助力高端制造升級。

瑞典Ionautics以推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步為使命，未來(lái)，我們將繼續深耕HiPIMS技術(shù)領(lǐng)域，以HiPSTER 25為新起點(diǎn)，持續優(yōu)化產(chǎn)品性能，拓展應用邊界。同時(shí)，我們希望通過(guò)HiPSTER 25搭建與全球客戶(hù)緊密合作的橋梁，共同探索離子鍍膜技術(shù)。