<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

設計高能效AC-DC電源不再需要MCU(和編碼)

發(fā)布時(shí)間:2023-08-16 來(lái)源:安森美 責任編輯:wenwei

【導讀】電網(wǎng)因為諸多原因而被設計成交流電,但幾乎每臺設備都需要直流電才能運行。因此,AC-DC 電源幾乎無(wú)處不在,隨著(zhù)環(huán)保意識的加強和能源價(jià)格的上漲,此類(lèi)電源的效率對于降低運行成本和合理利用能源至關(guān)重要。


簡(jiǎn)單地說(shuō),效率就是輸入功率與輸出功率之比。但是,必須要考慮輸入功率因數 (PF),即所有 AC 供電設備(包括電源)的有用(實(shí)際)功率與總(視在)功率之比。


對于純阻性負載,PF 將為 1.00(“單位”),但隨著(zhù)視在功率的升高,無(wú)功負載會(huì )降低 PF,從而導致效率降低。小于 1 的 PF 由異相電壓和電流引起,在開(kāi)關(guān)型電源 (SMPS) 等不連續電子負載中常常會(huì )出現諧波含量高或電流波形失真的情況。


PF校正


考慮到低 PF 對效率的影響,當功率水平高于 70W 時(shí),法規要求設計人員通過(guò)電路將 PF 校正到接近 1。通常,有源 PF 校正 (PFC) 采用升壓轉換器,將整流電源轉換為高直流電平。然后使用脈寬調制 (PWM) 或其他技術(shù)對該電源軌進(jìn)行調節。


此方法通常有效且易于部署。然而,如今有關(guān)效率的諸多要求,如具有挑戰性的“80+ Titanium標準”,規定了整個(gè)寬工作功率范圍內的效率,要求半負載時(shí)的峰值效率需達到 96%。這意味著(zhù)線(xiàn)路整流和 PFC 級必須達到 98%,因為接下來(lái)的 PWM DC-DC 將會(huì )進(jìn)一步損耗 2%。要做到這一點(diǎn)非常難,因為橋式整流器中的二極管也會(huì )出現損耗。


用同步整流器替換升壓二極管會(huì )有所幫助,或者,也可以更換兩個(gè)線(xiàn)性整流二極管,以進(jìn)一步提高效率。這種拓撲結構被稱(chēng)為圖騰柱 PFC (TPPFC),理論上,使用理想的電感和開(kāi)關(guān),效率將會(huì )接近 100%。雖然硅 MOSFET 具有良好的性能,但寬禁帶 (WBG) 器件的性能更接近“理想”水平。


14.png

圖 1:簡(jiǎn)化的圖騰柱 PFC 拓撲結構


處理?yè)p耗


隨著(zhù)設計人員不斷增加頻率以減小磁性組件的尺寸,開(kāi)關(guān)器件的動(dòng)態(tài)損耗也隨之增加。由于硅 MOSFET 的這些損耗可能很大,設計人員正轉而考慮使用 WBG 材料,其中包括碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN),特別是對于 TPPFC 應用。


臨界導通模式 (CrM) 通常是功率水平高達幾百瓦的 TPPFC 設計的首選方法,它可以平衡效率和 EMI 性能。在千瓦級設計中,連續導通模式 (CCM) 可進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)內的 RMS 電流,從而減少導通損耗。


15.png

圖 2:典型 PFC 電路:傳統升壓(左)和無(wú)橋圖騰柱(右)


即使是 CrM,在輕載下的效率也會(huì )下降近10%,不利于實(shí)現“80+ Titanium標準”。箝位(“折返”)最大頻率迫使電路在輕載下進(jìn)入 非連續導通模式(DCM),從而顯著(zhù)降低峰值電流。


解決設計復雜性


由于需要同步驅動(dòng)四個(gè)有源器件,并且需要檢測電感的零電流交越以強制 CrM,因此 TPPFC 設計絕非易事。此外,電路必須能夠切換進(jìn)/出 DCM,同時(shí)保持一個(gè)高功率因數并生成一個(gè) PWM 信號來(lái)調節輸出,并且提供電路保護(例如過(guò)流和過(guò)壓)。


要解決這些復雜難題,最顯而易見(jiàn)的方法是部署微控制器 (MCU) 來(lái)執行控制算法。但這需要生成和調試代碼,反而會(huì )增加設計的工作量和風(fēng)險。


基于 CrM 的 TPPFC 無(wú)需編碼


不過(guò),使用完全集成的 TPPFC 控制方案就可以免去費時(shí)的編碼工作。這些器件具有多種優(yōu)勢,包括高性能、更短的設計時(shí)間和更低的設計風(fēng)險,因為它們不再需要部署 MCU 和相關(guān)代碼。


安森美 (onsemi) 的NCP1680 混合信號 TPPFC 控制器就是這類(lèi)器件的典范,它可以在具有恒定導通時(shí)間的 CrM 下工作,確保在整個(gè)寬負載范圍內帶來(lái)出色的效率。該集成器件在輕載下具有頻率折返“谷底開(kāi)關(guān)”功能,可通過(guò)在最低電壓下進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作來(lái)提高效率。數字電壓控制環(huán)路經(jīng)過(guò)內部補償,可優(yōu)化整個(gè)負載范圍內的性能,同時(shí)能夠確保設計過(guò)程仍簡(jiǎn)單。


16.png

圖 3:NCP1680 混合信號 TPPFC 控制器


這款創(chuàng )新的 TPPFC 控制器采用新穎的低損耗方法進(jìn)行電流檢測和逐周期限流,無(wú)需外部霍爾效應傳感器即可提供出色的保護,從而降低復雜性、尺寸和成本。


17.png

圖 4:NCP1680 典型應用原理圖


全套控制算法都嵌入在該 IC 中,為設計人員提供了低風(fēng)險、經(jīng)過(guò)試用和測試驗證的方案,以高性?xún)r(jià)比實(shí)現高性能。



免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


ADALM2000實(shí)驗:使用窗口比較器實(shí)施溫度控制

使用新型160V MOTIX三相柵極驅動(dòng)器IC實(shí)現更好的電池供電設計(第一部分)

燧原科技趙立東:抓住通用人工智能發(fā)展機遇,加速建設算力底座

如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)?這款I(lǐng)C方案推薦給您

提供機器人動(dòng)力的無(wú)刷電機驅動(dòng)器

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>