產(chǎn)品上市前，必須符合EMC規定。將變壓器和所需的電路集成到更小的封裝中會(huì )產(chǎn)生EMI，因此需要采用復雜且成本高昂的RE抑制技術(shù)，以滿(mǎn)足電磁兼容性（EMC）法規的要求。據報道，50%的產(chǎn)品首次EMC測試都以失敗告終。這可能是因為缺乏相關(guān)知識，且未能在產(chǎn)品設計階段的早期應用EMC設計技術(shù)。想要最大限度地縮短設計時(shí)間和降低項目成本，在項目開(kāi)始時(shí)就進(jìn)行EMC設計是至關(guān)重要的。組件的選擇和放置也很重要。將符合行業(yè)標準的器件納入選擇和設計可以提高合規性。

 

EMC抑制技術(shù)亟需更好的方法

與使用分立式變壓器的傳統方法相比，將變壓器和電路集成到芯片級封裝中可減少組件數量，進(jìn)而大大節省PCB空間，但可能會(huì )引入更高的輻射發(fā)射。輻射發(fā)射抑制技術(shù)會(huì )使PCB的設計更加復雜，或需要額外組件，因此可能會(huì )抵消集成變壓器所節省的成本和空間。例如，在PCB級別抑制輻射發(fā)射的一種常見(jiàn)方法是為CM電流形成一個(gè)從次級端至初級端的低阻抗路徑，從而降低RE水平。要實(shí)現這一點(diǎn)，可以在初級端和次級端之間使用旁路電容。該旁路電容可以是分立式電容，也可以是嵌入式夾層電容。

 

 

分立式電容是最簡(jiǎn)單的解決方案，可能是有引線(xiàn)或表面安裝組件。它還具有適用于2層PCB的優(yōu)點(diǎn)，但分立式電容價(jià)格昂貴且體積龐大，會(huì )占用寶貴的PCB空間，特別是在可能堆疊了多個(gè)組件的隔離柵旁。

 

另一個(gè)不是很理想的解決方案是使用嵌入式旁路電容，當PCB中的兩個(gè)面重合時(shí)就會(huì )形成該電容。此類(lèi)電容具有一些非常有用的特性，原因在于平行板電容的電感極低，因此在更大的頻率范圍內都有效。它可以提高發(fā)射性能，但因為需要自定義層厚來(lái)獲得正確的電容，且PCB需要四層或更多層，所以設計復雜性和成本都會(huì )增高。此外，還必須通過(guò)隔離的方式，確保內部重疊層的間距滿(mǎn)足相關(guān)隔離標準所規定的最低距離標準。

 

無(wú)論是分立式還是嵌入式，使用旁路電容都不是理想的抑制技術(shù)。它雖然可以幫助減少輻射發(fā)射，卻要以增加組件、采用復雜的PCB布局和提高瞬態(tài)敏感性為代價(jià)。理想的抑制技術(shù)不需要采用旁路電容，因此可以降低成本和PCB設計的復雜性。

 

ADI新一代isoPower系列產(chǎn)品

新一代isoPower系列產(chǎn)品采用創(chuàng )新的設計技術(shù)，可以避免產(chǎn)生大量輻射發(fā)射，甚至在沒(méi)有旁路電容的2層板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量滿(mǎn)足CISPR22/EN55022B類(lèi)限制的同時(shí)，可以分別跨隔離柵提供500mW和330mW功率。

 

 

ADuM5020采用16引腳寬體SOIC封裝，而對于A(yíng)DuM5028，可以選擇的最小封裝是8引腳SOIC。ADuM5020/ADuM5028提供3V和5V兩種電源選項，以及3kV rms額定隔離。

 

為了減少輻射發(fā)射，ADuM5020/ADuM5028具有出色的線(xiàn)圈對稱(chēng)性和線(xiàn)圈驅動(dòng)電路，有助于將通過(guò)隔離柵的CM電流傳輸最小化。擴頻技術(shù)也被用來(lái)降低某一特定頻率的噪聲濃度，并將輻射發(fā)射能量擴散到更廣泛的頻段。在次級端使用低價(jià)鐵氧體磁珠會(huì )進(jìn)一步減少輻射發(fā)射。在RE合規測試期間，這些技術(shù)可以改善峰值和準峰值測量水平。

 

 

（來(lái)源：亞德諾半導體）