瑞薩電子低通態(tài)電阻功率MOSFET µPA2766T1A
 

新產(chǎn)品的30V電壓通態(tài)電阻為0.72m?（典型值），較瑞薩電子之前的產(chǎn)品降低了50%，達到業(yè)內最低水平。此外，產(chǎn)品的高效性以及小型表面封裝包（8-針HVSON）等功能可使得在更小規格的封裝內完成高電流控制，從而降低了功耗、實(shí)現了相對大型服務(wù)器存儲系統所用電源的微型化。

對于任務(wù)關(guān)鍵系統，常見(jiàn)的功能是提供冗余功率輸出，即：通過(guò)帶有對服務(wù)器存儲系統保持高可靠性的多電源裝置的ORing FET來(lái)完成。這些ORing FET被連接到每個(gè)電源裝置的功率輸出線(xiàn)上。在正常運行過(guò)程中，它們能夠保持接通狀態(tài)。但是，如果其中一個(gè)電源失效，相應裝置的ORing FET將會(huì )切換到斷開(kāi)狀態(tài)，以確保將其與其他電源裝置隔離開(kāi)，并保證失效電源裝置不會(huì )中斷系統電源。

在正常運行過(guò)程中，功率輸出線(xiàn)路能夠處理幾十到幾百安培的強大電流。ORing FET必須擁有低通態(tài)電阻特性以防止增加傳導損耗或降低電源電壓。

為了滿(mǎn)足這種需要，瑞薩電子在本公司新型低通態(tài)電阻工藝的基礎上，研發(fā)了一套（三件）MOSFET產(chǎn)品。新型µPA2764T1A、µPA2765T1A 和 µPA2766T1A能夠滿(mǎn)足上述需要，能以更小的規格提供行業(yè)領(lǐng)先的電源裝置內的低通態(tài)電阻。

新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的主要特點(diǎn)

(1) 業(yè)內最低的通態(tài)電阻
 
新型的µPA2766T1A 可為5 mm × 6 mm 封裝內的30V應用程序提供0.72 m?的業(yè)內最低通態(tài)電阻，通過(guò)降低智能領(lǐng)域關(guān)鍵應用程序——網(wǎng)絡(luò )服務(wù)器和存儲系統中所使用的電源裝置的傳導損耗，提高了系統的總體功率效率。此外，該項功能使我們能夠抑制隨大電流產(chǎn)生的較大壓降。而且，即使在電源裝置出現大幅度電流波動(dòng)的情況下，也能獲得高精度電源電壓。

(2)帶小面積安裝和大電流控制支持功能的8針HVSON封裝

由于金屬板用于將封裝內的FET模具連接到引腳上，所以8針HVSON 封裝可提供低封裝電阻。此項功能，加上FET模具的低通態(tài)電阻，使得即使在尺寸為5 mm × 6 mm的緊湊型封裝內，也能實(shí)現對高達130 A (ID (DC))大電流的控制。此外，在多個(gè)ORing FET以并聯(lián)的形式連接到每個(gè)電源裝置上以供應較大電流的情況下，產(chǎn)品的這一特征通過(guò)實(shí)現最少數量的并聯(lián)連接，還有助于縮小設備尺寸。

這三種新型MOSFET產(chǎn)品，包括 µPA2766T1A，擁有0.72 m?至1.05 m?（標準值）的通態(tài)電阻額定值。這一范圍可實(shí)現更好的產(chǎn)品選擇，從而能夠以最佳的狀態(tài)滿(mǎn)足用戶(hù)在運行電流或環(huán)境條件方面的要求。而且，它還使得客戶(hù)能夠提供最佳產(chǎn)品，有助于提高功率效率、降低空間要求。

瑞薩電子計劃進(jìn)一步加強產(chǎn)品線(xiàn)的拓展，繼續努力降低通態(tài)電阻、開(kāi)發(fā)更小規格的封裝，以滿(mǎn)足客戶(hù)不斷變化的需求。
 
定價(jià)與供貨情況

本公司目前可提供新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的樣品。樣品的價(jià)格將會(huì )有所變動(dòng)。µPA2764T1A的樣品價(jià)格將為1.20美元/單位，µPA2765T1A為1.00美元/單位，µPA2766T1A為1.80美元/單位。我們計劃在2013年2月開(kāi)始新產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，預計到2013年10月，三種產(chǎn)品的總體產(chǎn)量將會(huì )達到5,000,000個(gè)單位/月（定價(jià)和供貨情況如有變化，恕不另行通知）。

新型低通態(tài)電阻功率MOSFET產(chǎn)品的規格