【導讀】領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場(chǎng)的NCP1680臨界導通模式(CrM)無(wú)橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，很高興地宣布，其領(lǐng)先市場(chǎng)的NCP1680臨界導通模式(CrM)無(wú)橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。這些獎項授予極少數幫助工程師創(chuàng )造勝選設計的電子電力產(chǎn)品，和表彰那些幫助實(shí)現這些設計的人，盡管2021年是極具挑戰性的(又一)年。
安森美的NCP1680獲該獎項，是因其采用一個(gè)混合信號控制器獨一無(wú)二地實(shí)現了無(wú)橋圖騰柱PFC，為設計人員提供了一個(gè)很好的工具，可提高高性能電源的能效，降低成本和設計復雜性。該控制器非常適用于超高密度離線(xiàn)電源，在通用電源（90-265 Vac）下工作的功率水平高達350 W。
無(wú)橋圖騰柱PFC拓撲省去了傳統PFC電路輸入端的二極管橋，在240 W電源的傳統PFC電路中中使用該二極管橋會(huì )產(chǎn)生約4 W損耗(約占總損耗的20%)，因而顯著(zhù)提高功率級能效。NCP1680為以脈寬調制(PWM)開(kāi)關(guān)頻率驅動(dòng)的快速開(kāi)關(guān)支路和以交流電頻率工作的支路提供控制信號。該控制器幾乎可用于任何開(kāi)關(guān)器件，從傳統的超級結硅MOSFET到基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)晶體管的寬禁帶器件。
NCP1680采用新穎的限流結構和線(xiàn)路相位檢測機制，簡(jiǎn)化了無(wú)橋圖騰柱PFC的設計。其控制回路支持帶有谷底開(kāi)關(guān)的恒定導通時(shí)間的CrM架構。為滿(mǎn)足當今全球輕載運行能效標準，它在頻率反走運行期間以谷底同步導通的非連續導通模式(DCM)工作。
采用NCP1680，在外部只需要一些簡(jiǎn)單的元器件就可實(shí)現全功能的圖騰柱PFC，從而節省了空間和元器件成本。進(jìn)一步減少元器件數量，無(wú)需采用霍爾效應傳感器即可實(shí)現逐周期電流限制。
NCP1680采用SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開(kāi)發(fā)和調試先進(jìn)的圖騰柱PFC設計。
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