<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
你的位置:首頁(yè) > 電路保護 > 正文

【原創(chuàng )】網(wǎng)友針對防雷保護接地方案的犀利點(diǎn)評

發(fā)布時(shí)間:2014-03-31 責任編輯:cicy

【導讀】之前寫(xiě)的一篇文章:關(guān)于RS485防雷保護中四種接地方案對比。引發(fā)眾多網(wǎng)友的爭議,孰對孰錯,并不重要,重要的是從爭論的觀(guān)點(diǎn)中,我們能夠學(xué)到更多有用的知識。想知道網(wǎng)友們都在說(shuō)些什么嗎?可以看看電子元件技術(shù)網(wǎng)論壇點(diǎn)評,相信一定會(huì )受益匪淺的。

論壇點(diǎn)評來(lái)源:化二犀利點(diǎn)評:關(guān)于RS485防雷保護中四種接地方案對比

網(wǎng)友化二為一點(diǎn)評:

由于TVS共模保護是要保護后面的電路或者芯片,所以TVS的地和后端電路的信號地是連接在一起的,這樣才有保護意義”――說(shuō)得不錯,化二很支持!

EMC經(jīng)驗老到的高手創(chuàng )作,了解接地與防護的原理!――化二去年才領(lǐng)悟到其中的精妙之處!

方案二的殘壓比第四種的殘壓要稍微低點(diǎn),當接地良好的時(shí)候選用第二種比較好;如果接地情況不良,從地面過(guò)來(lái)的地反擊電壓很容易造成后端電路的異常;從前端過(guò)來(lái)的大電流大電壓,GDT與TVS組成回路,也可能與從后端電路組成回路,這個(gè)時(shí)候就要看后面芯片的耐壓。經(jīng)過(guò)測試,一般485芯片的耐壓是40V到50V,不同廠(chǎng)家的芯片質(zhì)量也不盡相同,耐壓有高有低。當地電壓超過(guò)芯片的耐壓值,芯片會(huì )被打死??梢钥闯龇桨付€定性不夠好!

(1)第四種方案,比較適合于隔離型的RS485。
——總體來(lái)說(shuō),如果作者加入隔離防護與安規耐壓的技術(shù),應該是很完美的。將三極性放電管去掉(很難通過(guò)10/700us的雷擊測試),SPC090F更換成1000V的氣體放電管。
(2)RS485芯片內部沒(méi)有集成TVS管,或耐壓可達40~50V,否則該類(lèi)電路會(huì )打壞接口芯片——實(shí)際存在bug!!非屏蔽的信號線(xiàn)浪涌(1.2/50us),必須過(guò)??!鐵路有這種要求。主要是器件成本過(guò)高,如果過(guò)1.2/50 us 、4KV的浪涌測試,前級的三極型氣體放電管,我們是直接去掉的。——但是雷擊(2歐、10/700us),沒(méi)有三極性放電管,是通不過(guò)的。

網(wǎng)友Evanma點(diǎn)評:

真心覺(jué)得很一般!作者還沒(méi)弄明白RS485是什么類(lèi)型的接口,需要過(guò)什么樣的浪涌波形,1.2/50 和 8/20 組合波,是RS485需要過(guò)的嗎?依據是什么?哪一個(gè)標準里面規定的?請知道的同學(xué)明示!

什么是雷擊?什么事浪涌?有啥區別? 如果一定要分開(kāi)的話(huà),世界上主流的,存在爭議的雷擊波形應該是8/20和10/350(直擊雷)的波形,換算的話(huà),10/350是8/20能量的25倍,非常大,是自然界目前為止被人類(lèi)所監控到最大直接雷波形。

網(wǎng)友walterP點(diǎn)評:

從殘壓來(lái)比較,2<4<1<3。

1)比較電路2和電路4,4后級gnd和pgnd之間多了一個(gè)氣體放電管,我們量的是CD的tvs之間的殘壓,殘壓和流過(guò)tvs的電流是有關(guān)的,電流越高,殘壓越高。也就是說(shuō),電路4多了一個(gè)氣體放電管后,在共模支路上的電流更大了?

2)再比較電路2和電路1,電路1的tvs是直接對gnd進(jìn)行防護,沒(méi)有連接pgnd,電路中的gnd和pgnd一般會(huì )有電容連接或者寄生電容,對于浪涌這也是一個(gè)通路,但是這個(gè)通路的阻抗肯定是要大于直連,這也會(huì )導致施加在tvs上面的電壓變大?

3)比較電路3和電路4,差別在初級的氣體放電管接地方式不通,電路3通過(guò)另外一個(gè)放電管接地,電路4直連,電路3的殘壓明顯會(huì )大,說(shuō)明流過(guò)CD之間的TVS的電流會(huì )大一些,這又是怎么引起的?

電子元件技術(shù)網(wǎng)原創(chuàng )內容,禁止轉載,謝謝!

【相關(guān)閱讀】

點(diǎn)評四大手機平臺 解讀手機設計發(fā)展趨勢
點(diǎn)評超低電容TVS二極管陣列

 

要采購TVS二極管么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

久久无码人妻精品一区二区三区_精品少妇人妻av无码中文字幕_98精品国产高清在线看入口_92精品国产自产在线观看481页
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<s id="eoqoe"><xmp id="eoqoe">
<button id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><strong id="eoqoe"></strong></wbr>
<wbr id="eoqoe"><label id="eoqoe"></label></wbr>
<button id="eoqoe"></button>
<wbr id="eoqoe"></wbr>