-
三大因素促USB 3.0需求明年將明顯增長(cháng)
TrendForce預期NAND Flash合約價(jià)的上漲動(dòng)將持續至11月份,10月下旬合約價(jià)格仍上漲了7-12%,但11月過(guò)后的價(jià)格走勢面臨較大的下滑壓力。同時(shí)受三大因為影響USB 3.0市場(chǎng)將自明年開(kāi)始加溫。
2012-11-01
-
NAND閃存單元結構
NAND閃存單元結構
2012-10-31
-
美光在NAND閃存市場(chǎng)的份額首次超過(guò)20%
在NAND閃存市場(chǎng),三星是絕對的老大,所占市場(chǎng)份額趨近一半。由于營(yíng)業(yè)收入增長(cháng),使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距,份額首次突破20%大關(guān)。在第三季,東芝有可能陷入反復下降的狀態(tài),而美光第二季度取得的勝利仍有待檢驗。
2012-09-21
-
蘋(píng)果A6與A7處理器代工將花落誰(shuí)家?
蘋(píng)果三星專(zhuān)利大戰已經(jīng)結束,但硝煙卻遲遲沒(méi)有散去,除了三星需賠付高額美金外,蘋(píng)果已經(jīng)確定降低各領(lǐng)域采購三星零組件比例。在面板、NAND Flash、行動(dòng)式記憶體等領(lǐng)域,三星在蘋(píng)果供應鏈比重已呈下降趨勢,A6與A7可能是蘋(píng)果在行動(dòng)運算裝置最后一個(gè)去三星化的關(guān)鍵零組件,它將花落誰(shuí)家呢?
2012-09-10
-
未來(lái)四年全球芯片市場(chǎng)的CAGR可達8%,NAND增速最高
市場(chǎng)調研公司ICInsights近日發(fā)布報告稱(chēng),2011年至2016年期間全球芯片市場(chǎng)的復合年均增長(cháng)率(CAGR)可達8%,其中NAND閃存芯片市場(chǎng)增速最高,將達到16.6%。
2012-08-17
-
專(zhuān)業(yè)SSD廠(chǎng)商處境艱難,NAND閃存后來(lái)居上
股價(jià)下跌,專(zhuān)業(yè)SSD廠(chǎng)商面臨著(zhù)更大的內部挑戰與市場(chǎng)難題,SSD產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入強調規模、質(zhì)量和效率的時(shí)代,而不是依靠單個(gè)產(chǎn)品的性能。NAND供應增加和爭奪超級本設計訂單的競爭加劇,促使今年SSD價(jià)格大幅下降,這將讓自身存在局限的專(zhuān)業(yè)SSD廠(chǎng)商處境更加艱難,尤其是面對規模較大的存儲領(lǐng)域競爭對手的時(shí)候。
2012-07-09
-
緩存SSD仍是超級本中的王者,東芝NAND業(yè)績(jì)出色
對于越來(lái)越受歡迎的超級本來(lái)說(shuō),含有內置NAND閃存層的混合型硬盤(pán)(HDD),可能具有整合存儲的優(yōu)勢,但緩存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)仍將是超級本的主流存儲解決方案。緩存SSD已然是超級本的主要存儲形式,今年出貨量將從去年的86.4萬(wàn)個(gè)增長(cháng)到2390萬(wàn)個(gè),暴增2660%。明年出貨量將上升到6770萬(wàn)個(gè),2015年將突破一億大關(guān),到2016年達到1.63億個(gè)。
2012-06-26
-
Spansion推出40nm級浮柵工藝的3.0V單層單元NAND閃存樣品
SLC NAND的主要特點(diǎn)為:存儲容量在1Gb-8Gb;25μs隨機存取,25ns順序存取,200μs編程速度,10萬(wàn)次寫(xiě)入周期;1位錯誤校正碼(ECC);工作溫度范圍在-40℃至85℃;10年使用壽命。適于車(chē)載信息娛樂(lè )、機頂盒/電視等及無(wú)線(xiàn)通信基站的嵌入式數據存儲。
2012-06-11
-
閃存領(lǐng)先廠(chǎng)商面臨新競爭,三星在手機市場(chǎng)領(lǐng)跑
生產(chǎn)穩健和價(jià)格激進(jìn),幫助美光和海力士半導體第四季度在全球NAND閃存市場(chǎng)中取得良好業(yè)績(jì),縮小了與市場(chǎng)領(lǐng)先廠(chǎng)商之間的市場(chǎng)份額差距,并為2012年進(jìn)一步擴大份額奠定了基礎。而三星電子第一季度取代諾基亞,首次成為全球最大的手機品牌。但三星在智能手機市場(chǎng)仍然排名第二,在蘋(píng)果之后。
2012-05-11
-
Spansion與SK海力士宣布NAND戰略合作
Spansion公司與SK海力士公司近日宣布結成戰略同盟,并針對嵌入式應用市場(chǎng)發(fā)布4x、3x、2x節點(diǎn)Spansion SLC NAND產(chǎn)品?;陔p方合作開(kāi)發(fā)的首款Spansion? SLC NAND產(chǎn)品將于2012年第二季度面世。作為合作的一部分,雙方將同時(shí)簽訂專(zhuān)利交互授權協(xié)議。
2012-04-11
-
UFS出現并不能威脅到eMMC NAND閃存的統治地位
雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規范的產(chǎn)品出現,2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)引發(fā)新的技術(shù)競爭,但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統治地位,屆時(shí)出貨量將強勁增長(cháng)37%。
2012-03-31
-
存儲技術(shù)變局為中國制造帶來(lái)了什么機遇?
縱觀(guān)半導體發(fā)展歷史,一種新興技術(shù)的出現,影響的不只是個(gè)別公司的興衰,更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉型,新技術(shù)是變革者趕超傳統技術(shù)列強的利器,也是產(chǎn)業(yè)升級的動(dòng)力源,現在,我們又將迎來(lái)新一輪的存儲技術(shù)變局——以NAND FLASH為代表的半導體存儲技術(shù)會(huì )給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機遇?這里結合自己的體會(huì )聊做分析。
2012-03-29
- 挑戰極限溫度:高溫IC設計的環(huán)境溫度與結溫攻防戰
- 聚焦成渝雙城經(jīng)濟圈:西部電博會(huì )測試測量專(zhuān)區引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級
- 專(zhuān)為STM32WL33而生:意法半導體集成芯片破解遠距離無(wú)線(xiàn)通信難題
- 隔離式精密信號鏈定義、原理與應用全景解析
- 隔離式精密信號鏈的功耗優(yōu)化:從器件選型到系統級策略
- GaN如何攻克精密信號鏈隔離難題?五大性能優(yōu)勢與典型場(chǎng)景全揭秘
- 模擬芯片原理、應用場(chǎng)景及行業(yè)現狀全面解析
- 高功率鍍膜新突破!瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運行
- 安森美SiC Cascode技術(shù):共源共柵結構深度解析
- 晶振如何起振:深入解析石英晶體的壓電效應
- 精度?帶寬?抗噪!三大維度解鎖電壓放大器場(chǎng)景適配密碼
- 低排放革命!貿澤EIT系列聚焦可持續技術(shù)突破
- 車(chē)規與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰
- 汽車(chē)模塊拋負載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng )新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall