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電子負載儀簡(jiǎn)介
電子負載，顧名思義，是用電子器件實(shí)現的“負載”功能，其輸出端口符合歐姆定律。具體地說(shuō)，電子負載是通過(guò)控制內部功率器件MOSFET或晶體管的導通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設備。
2012-11-30
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富士通明年量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件，滿(mǎn)足高效電源單元供應市場(chǎng)需求，可使服務(wù)器電源單元實(shí)現2.5kW的高輸出功率，這些器件可廣泛用于電源增值應用。
2012-11-22
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GaN在電子器件的應用
為了滿(mǎn)足產(chǎn)品小型化、低功耗的要求，電子元器件也在進(jìn)行著(zhù)新一代的變革，用GaN材料制作的電子元器件日益受到各廠(chǎng)家的關(guān)注。富士通科技也宣布，將于2013年量產(chǎn)GaN功率器件。
2012-11-21
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科銳碳化硅功率器件, 可降低總體系統成本
科銳推出新型碳化硅高頻率功率模組，新型高頻率模組額定電流100A，額定阻斷電壓1200V，可實(shí)現更高效、更小尺寸及更輕重量的系統，相比傳統的硅技術(shù)可以幫助降低總體系統成本。
2012-11-19
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可實(shí)現2.5kW電源GaN功率器件
【導讀】富士通半導體量產(chǎn)可實(shí)現2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領(lǐng)域實(shí)現優(yōu)化應用，并在電路設計方面給予技術(shù)支持，為開(kāi)發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。
2012-11-13
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關(guān)于功率二極管的15個(gè)小問(wèn)題
【導讀】二極管的額定電流是二極管的主要標稱(chēng)值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通過(guò)的額定平均電流。但是有些的測試前是方波，也就是可以通過(guò)平均值為5A的方波電流。有些得測試前提是直流，也就是能通過(guò)5A的直流電流。 1. 什么是二極管的正向額定電流? 二極管的額定電流是二極管的主要標稱(chēng)值，比如5A/100V的二極管，5A就是額定電流。通常額定電流的定義是該二極管所能通過(guò)的額定平均電流。但是有些的測試前是方波，也就是可以通過(guò)平均值為5A的方波電流。有些得測試前提是直流，也就是能通過(guò)5A的直流電流。理論上來(lái)說(shuō)，對于硅二極管，以方波為測試條件的二極管能通過(guò)更大的直流電流，因為同樣平均電流的方波較于直流電流，會(huì )給二極管帶來(lái)更大損耗。那么5A的二極管是否一定能通過(guò)5A的電流?不一定，這個(gè)和溫度有關(guān)，當你的散熱條件不足夠好，那么二極管能通過(guò)的電流會(huì )被結溫限制。、 2. 什么是二極管的反向額定電壓? 二極管反向截止時(shí)，可以承受一定的反壓，那么其最高可承受的反壓就是額定電壓。比如5A/100V的二極管，其額定反壓就是100V。雖然，所有二極管廠(chǎng)家都會(huì )留一定的裕量，100V的二極管通常用到110V都不會(huì )有問(wèn)題，但是不建議這么用，因為超過(guò)額定值，廠(chǎng)家就不會(huì )保證其可靠性，出了問(wèn)題就是你的問(wèn)題了。而且很多電源設計公司，為了保障可靠性，還會(huì )降額設計。 3. 什么是二極管的正向沖擊電流? 開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)機或者其他瞬態(tài)情況下，需要二極管能夠承受很大的沖擊電流而不壞，當然這種沖擊電流應該是不重復性，或者間隔時(shí)間很長(cháng)的。通常二極管的數據手冊都有定義這個(gè)沖擊電流，其測試條件往往是單個(gè)波形的沖擊電流，比如單個(gè)正弦波，或者方波。其電流值往往可達幾百。 4. 什么是二極管的正向導通壓降? 二極管在正向導通，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì )產(chǎn)生壓降。這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。 5. 什么是二極管的反向漏電流? 二極管在反向截止的時(shí)候，并不是完全理想的截止。在承受反壓得時(shí)候，會(huì )有些微小的電流從陰極漏到陽(yáng)極。這個(gè)電流通常很小，而且反壓越高，漏電流越大，溫度越高，漏電流越大。大的漏電流會(huì )帶來(lái)較大的損耗，特別在高壓應用場(chǎng)合。 6. 什么是二極管的反向恢復時(shí)間和反向恢復電流? 這個(gè)是二極管的重要指標，所謂的快恢復，慢恢復二極管就是以此為標準。二極管 在從正偏轉換到反偏的時(shí)候，會(huì )出現較大的反向恢復電流從陰極流向陽(yáng)極，其反向電流先上升到峰值，然后下降到零。那么其上升下降的時(shí)間就是反向恢復時(shí)間，峰值電流就是反向恢復電流。這個(gè)在高頻率的應用中會(huì )帶來(lái)很大損耗。而反向恢復時(shí)間和電流和二極管截止時(shí)，正向電流的下降速率正相關(guān)。解決這個(gè)問(wèn)題，一就是用恢復時(shí)間更快的二極管，二是采用ZCS方式關(guān)斷二極管。 7. 什么是軟恢復二極管? 二極管在反向恢復的時(shí)候，反向電流下降的比較慢的，稱(chēng)為軟恢復二極管。軟恢復對減小EMI有一定的好處。 8. 什么是二極管的結電容? 結電容是二極管的一個(gè)寄生參數，可以看作在二極管上并聯(lián)的電容。 9. 什么是二極管的寄生電感? 二極管寄生電感主要由引線(xiàn)引起，可以看作串聯(lián)在二極管上的電感。 10. 二極管正向導通時(shí)候瞬態(tài)過(guò)程是怎樣? 對于二極管的瞬態(tài)過(guò)程，通常關(guān)心比較多的是反向恢復特性。但是其實(shí)二極管從反偏轉為正向導通的過(guò)程也有值得注意的地方。在二極管剛導通的時(shí)候，正向壓降會(huì )先上升到一個(gè)最大值，然后才會(huì )下降到穩態(tài)值。而這個(gè)最大值，隨di/dt的增大而增大。也就是說(shuō)二極管帶導通瞬間會(huì )產(chǎn)生一個(gè)正向尖峰電壓，而且電壓要大于穩態(tài)電壓?？旎謴凸艿倪@個(gè)正向尖峰電壓比較小，慢恢復管就會(huì )很?chē)乐?。這個(gè)就引出了另外一個(gè)問(wèn)題： 11. 在RCD鉗位電路中，二極管到底選慢管，還是快管? RCD電路常用于一些需要鉗位的場(chǎng)合，比如flyback原邊MOS的電壓鉗位，次級整流管的電壓鉗位。有些技術(shù)文獻說(shuō)應該用慢恢復管，理由是慢恢復管由于其反向恢復時(shí)間比較長(cháng)，這樣鉗位電容中的一部分能量會(huì )在二極管反向恢復過(guò)程中回饋給電路，這樣整個(gè)RCD電路的損耗可以降低。不過(guò)這個(gè)只適合小電流，低di/dt的場(chǎng)合。比如小功率flyback的原邊鉗位電路。但是不適合大電流，高di/dt的鉗位場(chǎng)合，比如大電流輸出的電源的次級鉗位電路。因為，慢恢復管在導通的時(shí)候會(huì )產(chǎn)生很高導通壓降尖峰，導致雖然鉗位電容上的電壓很低，但是卻沒(méi)法鉗住尖峰電壓。所以應該選擇肖特基二極管之類(lèi)。 12. 什么是肖特基二極管? 肖特基二極管是一種利用肖特基勢壘工藝的二極管，和普通的PN結二極管相比，其優(yōu)點(diǎn)：更快的反向恢復時(shí)間，很多稱(chēng)之為0反向恢復時(shí)間。雖然并不是真的0反向恢復時(shí)間，但是相對普通二極管要快非常多。其缺點(diǎn)：反向漏電流比較大，所以沒(méi)法做成高壓的二極管。目前的肖特基二極管,基本都是200V以下的。雖然有些公司可以提供高壓的肖特基硅二極管，但是也是將幾個(gè)二極管串聯(lián)之后封裝在一起。當然也有公司稱(chēng)有獨特的工藝，可以制造高壓肖特基二極管，但并不知曉是什么樣的工藝。 13. 什么是碳化硅二極管? 通常大家所用的基本都是以硅為原料的二極管，但是最近比較熱門(mén)的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見(jiàn)的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應用。缺點(diǎn)：正向導通壓降比較大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流小，可靠性不高等缺點(diǎn)。但是目前已有很大改善。 14. 什么是砷化鎵二極管? 說(shuō)實(shí)話(huà)，我聽(tīng)說(shuō)砷化鎵材料早于碳化硅，但是后來(lái)就較少聽(tīng)說(shuō)了。目前砷化鎵在LED上似乎有些應用，但是功率器件上卻還比較少。 15. 二極管適合并聯(lián)么? 理論上來(lái)說(shuō)硅二極管，由于導通壓降隨溫度上升而下降，所以是不適合并聯(lián)的，但是現在很多二極管會(huì )把兩個(gè)單管封裝在一起，這樣溫升相對均勻，給并聯(lián)帶來(lái)好處。但是碳化硅是的壓降是隨溫度上升而上升，理論上是適合并聯(lián)的。
2012-10-31
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智能功率器件的原理與應用
據小編了解目前，功率器件正朝著(zhù)集成化、智能化和模塊化的方向發(fā)展。智能功率器件為機電一體化設備中弱電與強電的連接提供了理想的接口。下面小編來(lái)介紹了智能功率器件的特點(diǎn)、工作原理及典型應用。
2012-10-26
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什么是功率器件？
功率器件在電力電子電路的重要組成部門(mén)，本文將學(xué)習功率器件的相關(guān)知識，從什么是功率器件到功率器件的分類(lèi)，再到其特性，最后到其選型技巧。旨在幫助電力電子設計初學(xué)者認識和掌握功率器件的選型和應用。
2012-10-25
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完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對射頻功率器件增強耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運行的需求，飛思卡爾半導體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級別的線(xiàn)性和耐用性。
2012-10-23
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TE針對HEV/EV的電路保護方案
汽車(chē)設計中越來(lái)越多的功率器件和高數據速率連接使得人們更加迫切地需要可靠、具有成本效益的電路保護解決方案。TE針對HEV|EV的電路保護方案系統從功率電子、可替代的電源系統 、汽車(chē)聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行分享。
2012-06-05
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車(chē)用MOSFET如何尋求性能與保護的最佳組合
工程師在為汽車(chē)電子設計電源系統時(shí)可能會(huì )遇到在設計任何電源應用時(shí)都會(huì )面臨的挑戰。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì )使器件的結點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車(chē)電子應用)，溫度的迅速上升會(huì )使MOSFET意外導通，致使閾值電壓接近零伏。
2012-05-29
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提供更低成本的完全自保護的MOSFET功率器件
汽車(chē)電子系統中使用的功率器件必須能抵受極為嚴峻環(huán)境的考驗：它們必須能承受關(guān)閉瞬流和負載切斷電源故障引起的高壓毛刺；若環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃，器件結溫則將隨之而來(lái)升高；線(xiàn)束中的眾多連接器位于方便組裝和維修的位置，這可能造成器件電氣連接的間斷。由于新的負載需要的功率越來(lái)越大，所以即使在正常的條件下工作，器件承受的壓力也明顯加大。
2012-05-16
- 貿澤電子上線(xiàn)機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)
- 工程師必知的振蕩器動(dòng)態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏
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