-
線(xiàn)性L(fǎng)ED驅動(dòng)IC對比：盤(pán)點(diǎn)幾款大功率LED線(xiàn)性驅動(dòng)
如果你認為線(xiàn)性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉換型DC-DC類(lèi)型IC進(jìn)行對比分析，講解線(xiàn)性功率器件IC設計的一些注意要點(diǎn)，并盤(pán)點(diǎn)了幾款線(xiàn)性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
-
隔離驅動(dòng)IGBT功率器件設計技巧八大問(wèn)
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過(guò)載、短路造成的損害。本文通過(guò)Avago參與的八大問(wèn)答討論隔離驅動(dòng)IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
-
富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數降半
富士通半導體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質(zhì)因數(FOM)可降低近一半?；诟皇客ㄐ滦虶aN功率器件，用戶(hù)可以設計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
-
SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場(chǎng)未來(lái)10年預計增長(cháng)18倍，主要需求市場(chǎng)是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅動(dòng)。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現，GaN功率器件更是剛剛才在市場(chǎng)上出現。他們誰(shuí)會(huì )成為未來(lái)新興功率器件市場(chǎng)的主角？我們現在應該選用他們嗎？
2013-06-19
-
孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場(chǎng)效應晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時(shí)，使用氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數，相比先進(jìn)的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場(chǎng)效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽(tīng)本文細細分解。
2013-05-16
-
電源轉換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內率先商業(yè)付運可大幅提高現有電源轉換系統效率的GaN功率器件，預示著(zhù)電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠將客戶(hù)的電源應用的性能指數(FOM)提升10倍。
2013-05-15
-
硅功率MOSFET前景堪憂(yōu)？
30年前硅功率MOSFET的出現使市場(chǎng)快速接受開(kāi)關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來(lái)，MOSFET不可避免地進(jìn)入到性能瓶頸期；然而與此同時(shí)，增強型GaN HEMT器件在開(kāi)關(guān)性能和整個(gè)器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。硅功率MOSFET在電源轉換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
-
第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過(guò)結合改進(jìn)的電源電路拓撲和概念與改進(jìn)的低損耗功率器件，開(kāi)關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無(wú)需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
-
通過(guò)建立優(yōu)化模型和目標函數實(shí)現電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設備，提高整流效率、降低額外損耗是這類(lèi)電力電子變換裝置的一個(gè)重要的課題。隨著(zhù)大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進(jìn)，均流問(wèn)題也不再突出，所以從效率、損耗方面進(jìn)行優(yōu)化設計是必要的。
2013-01-07
-
無(wú)Y電容的充電器變壓器補償設計方法
在開(kāi)關(guān)電源中，功率器件高頻導通/關(guān)斷的操作導致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會(huì )使輸入和輸出線(xiàn)間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機充電器會(huì )讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開(kāi)始采用無(wú)Y電容的充電器，然而，去除Y電容會(huì )給EMI的設計帶來(lái)困難，本文將介紹無(wú)Y電容的充電器變壓器補償設計方法。
2012-12-18
-
GaN壓力來(lái)襲，降低成本是SiC器件大規模商用的前提
受限于價(jià)格過(guò)高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實(shí)際應用都很少。隨著(zhù)降低環(huán)境負荷的要求日益提高，傳統Si材料功率器件的局限性越來(lái)越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點(diǎn)，受到越來(lái)越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時(shí)才會(huì )實(shí)現大規模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。
2012-12-13
-
MOS晶體管
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開(kāi)通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動(dòng)態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來(lái)在電力裝置和電力系統中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開(kāi)展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結構：MOS場(chǎng)控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開(kāi)關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
- 貿澤電子上線(xiàn)機器人資源中心：賦能工程師探索智能自動(dòng)化未來(lái)
- 工程師必知的振蕩器動(dòng)態(tài)相位噪聲優(yōu)化四重奏
- 利用智能監測技術(shù)提高電機能效與可持續性
- 高/低電平復位電路的底層邏輯與實(shí)戰陷阱
- 戰略升級！胡祖忻兼任福迪威亞太總裁與福祿克國際業(yè)務(wù)全球副總裁
- 云母電容技術(shù)解析與產(chǎn)業(yè)格局深度研究
- Qorvo推出全新QPG6200系列三款系統級芯片（SoC）正式量產(chǎn)
- ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無(wú)線(xiàn)開(kāi)發(fā)
- 薄膜電容選型指南：解鎖高頻與長(cháng)壽命的核心優(yōu)勢
- 艾邁斯歐司朗OSP協(xié)議，用光解鎖座艙照明交互新維度
- 瑞典森爾(Senseair)以免接觸檢測技術(shù)，賦能交通執法、工業(yè)安防等領(lǐng)域應用
- 元器件江湖群英會(huì )！西部電博會(huì )暗藏國產(chǎn)替代新戰局
- 車(chē)規與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰
- 汽車(chē)模塊拋負載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng )新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
