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多波束相控陣接收機混合波束成型功耗優(yōu)勢的定量分析

發(fā)布時(shí)間:2022-09-28 來(lái)源:ADI 責任編輯:wenwei

【導讀】本文對模擬、數字和混合波束成型架構的能效比進(jìn)行了比較,并針對接收相控陣開(kāi)發(fā)了這三種架構的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說(shuō)明了各種器件對總功耗的貢獻,以及功耗如何隨陣列的各種參數而變化。對不同陣列架構的功耗/波束帶寬積的比較表明,對于具有大量元件的毫米波相控陣,混合方法具有優(yōu)勢。


簡(jiǎn)介


本文比較了不同波束成型方法,重點(diǎn)關(guān)注這些方法創(chuàng )建多個(gè)同時(shí)波束的能力和能效比。相控陣在現代雷達和通信系統中發(fā)揮著(zhù)越來(lái)越重要的作用,這使人們對提高系統性能和效率重新產(chǎn)生了興趣。數十年來(lái),數字波束成型(DBF)及其與傳統模擬方法相比的優(yōu)勢已廣為人知,但與數字信號處理相關(guān)的各種挑戰阻礙了它的應用。隨著(zhù)特征尺寸的不斷縮小以及由此帶來(lái)的計算能力的指數級增長(cháng),我們看到,現在大家普遍有興趣采用數字相控陣。雖然DBF具有許多吸引人的特性,但更高的功耗和成本仍然是一個(gè)問(wèn)題?;旌喜ㄊ尚头椒ň哂谐錾哪苄П?,可能適合于許多應用。


模擬與數字波束成型


波束成型的核心是延遲和求和運算,它可以發(fā)生在模擬域或數字域中。根據延遲或相移在信號鏈中應用的位置,模擬波束成型又可以分為多個(gè)子類(lèi)別。本文僅考慮射頻波束成型。如圖1a所示,來(lái)自天線(xiàn)元件的信號經(jīng)過(guò)加權和合并,產(chǎn)生一個(gè)波束,然后由混頻器和信號鏈其余部分加以處理,這就是相控陣的傳統實(shí)現方式。


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圖1. (a) 模擬和 (b) 數字波束成型架構的比較。


這種架構的缺點(diǎn)之一是難以創(chuàng )建大量同時(shí)波束?,F在,為了創(chuàng )建多個(gè)波束,每個(gè)元件的信號需要先分離,再獨立地延遲和求和。為此所需的可變幅度和相位(VAP)模塊的數量與元件數量和波束數量成正比。VAP模塊以及網(wǎng)絡(luò )的分路和合并需要占用很大的面積,而且除了幾個(gè)波束之外,網(wǎng)絡(luò )分路和合并造成的不斷增加的面積要求和復雜性使得實(shí)現多個(gè)同時(shí)模擬波束變得不切實(shí)際。對于平面陣列,不斷增加的面積還使得難以將電子器件安裝在元件間距所決定的網(wǎng)格內。此外,更為根本的是,每次分路時(shí),信噪比(SNR)都會(huì )降低,而且本底噪聲限制了信號可以分路的次數,超過(guò)此次數,信號就會(huì )淹沒(méi)在本底噪聲中。


而使用DBF的話(huà),創(chuàng )建多個(gè)同時(shí)波束相對較容易。如圖1b所示,每個(gè)元件的信號都被獨立數字化,然后在數字域中進(jìn)行波束成型操作。一旦進(jìn)入數字域,就可以在不損失保真度的情況下創(chuàng )建信號的副本,然后將信號的新副本延遲并求和以創(chuàng )建新波束。這可以根據需要重復多次,理論上可產(chǎn)生無(wú)限數量的波束。實(shí)踐中,數字信號處理及相關(guān)功耗和成本不是無(wú)限的,這會(huì )限制波束數量或波束帶寬積。此外,DBF中的波束數量可以隨時(shí)重新配置,這是模擬技術(shù)無(wú)法做到的。DBF還支持更好的校準和自適應歸零。所有這些優(yōu)點(diǎn)使得DBF對通信和雷達系統中的各種相控陣應用非常有吸引力。但是,所有這些好處都是以增加成本和功耗為代價(jià)的?;鶐BF需要為每個(gè)元件配備一個(gè)ADC和一個(gè)混頻器,而模擬波束成型只需要為每個(gè)波束配備相關(guān)器件。器件數量的增加會(huì )顯著(zhù)提高功耗和成本,尤其是對于大型陣列。此外,DBF中的波束成型發(fā)生在基帶,混頻器和ADC會(huì )受到每個(gè)元件的廣闊視場(chǎng)中存在的任何信號的影響,因此需要有足夠的動(dòng)態(tài)范圍來(lái)處理可能的干擾。對于模擬波束成型,混頻器和ADC享有空間濾波的好處,因此動(dòng)態(tài)范圍要求可以放寬。在分配高頻LO信號的同時(shí)保持相位相干性,也是DBF實(shí)現方案的一個(gè)挑戰,而且會(huì )增加功耗。


數字波束成型的計算需求是總體功耗的一個(gè)重要貢獻因素。DSP須處理的數據量與元件數量、波束數量和信號的瞬時(shí)帶寬成正比。


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對于在毫米波頻率運行的大型陣列,信號帶寬通常很大,數據負載可能高得像天文數字。例如,對于一個(gè)具有500 MHz帶寬和8位ADC的1024元件陣列,DSP需要處理每波束每秒大約8 Tb的數據。移動(dòng)和處理如此大量的數據需要消耗相當多的電力。就計算負載而言,這相當于為每個(gè)波束每秒執行大約4×1012次乘法運算。對于全信號帶寬的多個(gè)波束,所需的計算能力超出了當今的DSP硬件的能力范圍。在典型實(shí)現中,波束帶寬積保持不變,若增加波束數量,總帶寬將在各波束之間分配。數字信號處理通常以分布式方式進(jìn)行,以便能夠應對大量數據。但這通常需要權衡各種因素,如波束成型靈活性、功耗、延遲等。除了處理能力之外,各種DSP模塊的高速輸入/輸出數據接口也會(huì )消耗大量電力。


混合波束成型


顧名思義,混合波束成型是模擬和數字波束成型技術(shù)的結合,在兩者之間提供了一個(gè)中間地帶。做法之一是將陣列劃分為更小的子陣列,并在子陣列內執行模擬波束成型。如果子陣列中的元件數量相對較少,則產(chǎn)生的波束相對較寬,如圖2所示。每個(gè)子陣列可以被認為是具有某種定向輻射圖的超級元件。然后使用來(lái)自子陣列的信號執行數字波束成型,產(chǎn)生對應于陣列全孔徑的高增益窄波束。采用這種方法時(shí),與全數字波束成型相比,混頻器和ADC的數量以及數據處理負載的大小減少的幅度等于子陣列的大小,因此成本和功耗顯著(zhù)節省。對于32×32元件陣列,若子陣列為2×2大小,則將產(chǎn)生256個(gè)子陣列,其半功率波束寬度(HPBW)為50.8°或0.61立體弧度。使用來(lái)自256個(gè)子陣列的信號,可以利用DBF在合乎實(shí)際的范圍內創(chuàng )建盡可能多的波束。對應于全孔徑的HPBW為3.2°或0.0024 sr。然后,在每個(gè)子陣列的波束內可以創(chuàng )建大約254個(gè)數字波束,它們相互之間不會(huì )明顯重疊。與全DBF相比,這種方法的一個(gè)限制是所有數字波束都將包含在子陣列方向圖的視場(chǎng)內。子陣列模擬波束當然也可以進(jìn)行控制,但在一個(gè)時(shí)間點(diǎn),模擬波束寬度會(huì )限制最終波束的指向。


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子陣列方向圖通常很寬,這對于許多應用來(lái)說(shuō)可能是一個(gè)可以接受的折衷方案。對于其他需要更大靈活性的應用而言,可以創(chuàng )建多個(gè)獨立的模擬波束來(lái)解決此問(wèn)題。這將需要在RF前端使用更多VAP模塊,但與全DBF相比,仍然可以減少ADC和混頻器的數量。如圖3所示,可以創(chuàng )建兩個(gè)模擬波束以實(shí)現更大的覆蓋范圍,同時(shí)仍能將混頻器、ADC和產(chǎn)生的數據流的數量減少兩倍。


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圖3. 多個(gè)模擬波束的混合波束成型。


與DBF相比,混合波束成型還會(huì )導致旁瓣退化。當遠離模擬波束中心掃描數字波束時(shí),相位控制的混合性會(huì )引入相位誤差。子陣列內元件之間的相位變化由模擬波束控制確定,無(wú)論數字掃描角度如何都保持固定。對于給定的掃描角度,數字控制只能將適當的相位應用于子陣列的中心;當從中心向子陣列邊緣移動(dòng)時(shí),相位誤差會(huì )增加。這導致整個(gè)陣列出現周期性相位誤差,從而降低波束增益并產(chǎn)生準旁瓣和柵瓣。這些影響隨著(zhù)掃描角度的增大而增加,與純模擬或數字架構相比,這是混合波束成型的一個(gè)缺點(diǎn)。讓誤差變成非周期性可以改善旁瓣和柵瓣的退化,這可以通過(guò)混合子陣列大小、方向和位置來(lái)實(shí)現。


能效比


本節從接收相控陣的角度比較模擬、數字和混合波束成型的能效比。模擬、數字和混合波束成型的功耗模型分別由公式2、3、4給出。表1列出了各種符號的含義以及它們在后續分析中的假定值。


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表1. 符號、含義、假定值和相關(guān)參考文獻

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關(guān)于功耗模型的一些關(guān)鍵點(diǎn)如下:


●    假設混頻器處的射頻信號功率對于所有三種波束成型架構都相同。


●    在一些公開(kāi)文獻中,有人認為對于DBF,由于A(yíng)DC的量化噪聲對SNR的影響有所降低(降幅等于陣列因子),因此與模擬波束成型相比,所需的位數可以減少。然而,在DBF中,ADC也需要具有更高的動(dòng)態(tài)范圍,因為它們不享有空間濾波的好處,而且需要處理各元件輻射圖的視場(chǎng)中存在的所有干擾??紤]到這一點(diǎn),本模型假設ADC的位數在所有情況中都相同。


●    對于DBF,波束帶寬積受DSP處理能力的限制,這一點(diǎn)在變量DSPTP中考慮。對于混合情況,最大處理能力隨著(zhù)功耗的降低而成比例降低。


●    DBF的DSP功耗有兩個(gè)部分——計算和I/O。每次復數乘法需要四次實(shí)數乘法和累加(MAC)運算,基于 "Assessing Trends in Performance per Watt for Signal Processing Applications" (信號處理應用的每瓦性能趨勢評估)一文5,MAC運算的功耗計算結果為大約1.25 mW/GMAC。在這種情況下,I/O消耗了大部分DSP功率,根據 "A 56-Gb/s PAM4 Wireline Transceiver Using a 32-Way Time-Interleaved SAR ADC in 16-nm FinFET" (16 nm FinFET中使用32路時(shí)間交錯SAR ADC的56 Gbps PAM4有線(xiàn)收發(fā)器)一文6,其估計值為10 mW/Gbps。對于需要更密集計算的更復雜波束成型方法,功耗比的偏斜會(huì )更小,但DSP總功耗會(huì )增加。此外,此模型中的I/O功耗假設基于最低數據傳輸。根據DBF架構,I/O的功耗可能更高。


●    ADC和DSP計算的功耗與位數呈指數關(guān)系。因此,可以通過(guò)減少位數來(lái)大幅降低這些功耗數值。另一方面,作為最大貢獻因素的DSP I/O功耗隨位數的變化不是那么劇烈。


●    布線(xiàn)損耗(Lpath)通過(guò)合并硅IC和低損耗PCB上的GCPW傳輸線(xiàn)的損耗來(lái)計算。對于片內傳輸線(xiàn),假設損耗為0.4 dB/mm,而對于PCB走線(xiàn)8,損耗取為0.025 dB/mm。另外,據估計,5%的線(xiàn)路是在芯片上,其余是在PCB上。模擬波束成型考慮射頻合并相關(guān)的布線(xiàn)損耗,而數字波束成型考慮LO分配網(wǎng)絡(luò )的損耗。


●    對于混合模型,假設每個(gè)波束對應于陣列的全孔徑。


功耗與波束數量的依賴(lài)關(guān)系如圖4所示。對于模擬情況,改變波束數量需要更改設計,而在DBF中,波束數量可以隨時(shí)改變,設計則保持不變。對于混合情況,考慮具有固定數量模擬波束(ns)的單一設計。另外假設,當波束數量小于ns時(shí),未使用路徑中的放大器關(guān)斷。


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圖4. 模擬、數字和混合(具有四個(gè)模擬波束)波束成型架構的功耗與波束數量的關(guān)系對于模擬情況,超過(guò)四個(gè)波束時(shí)曲線(xiàn)顯示為虛線(xiàn),表示使用模擬技術(shù)難以實(shí)現更多波束。對于數字和混合情況,一旦達到DSP的容量,每個(gè)波束的功率和帶寬就變得恒定。


對于單個(gè)波束,由于額外混頻器、LO放大器和ADC的開(kāi)銷(xiāo),數字實(shí)現方案會(huì )消耗更多功率。對于數字情況,功耗增加的速率取決于聚合數據速率的增加情況;對于模擬情況,功耗增加的速率與補償分路和附加VAP模塊造成的損耗所需的功率有關(guān)。由于上述網(wǎng)絡(luò )分路和合并的復雜性,使用模擬波束成型實(shí)現大量波束是不切實(shí)際的,超過(guò)四個(gè)波束的虛線(xiàn)反映了這一事實(shí)。對于DBF,一旦達到最大DSP容量,功耗便不再增加。超過(guò)這一點(diǎn)之后,若增加波束數量,則每個(gè)波束的帶寬會(huì )減少。在功耗方面,DBF與ABF不相上下,有大量波束時(shí)功耗更少。與DBF相比,混合方法顯著(zhù)降低了功耗開(kāi)銷(xiāo)和斜率,并更快地達到盈虧平衡點(diǎn)。


圖5顯示了每波束帶寬積的功耗,并比較了三種波束成型情況的能效比??梢钥闯?,模擬波束成型始終更有效率?;旌戏椒◤膬蓚€(gè)極端之間的某個(gè)位置開(kāi)始,隨著(zhù)波束數量增加而變得與模擬情況相當。


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圖5. 比較模擬、數字和混合波束成型架構的能效比。


結論


本文介紹的比較和功耗模型僅適用于接收(Rx)相控陣。對于發(fā)射情況,一些基本假設將會(huì )改變,全DBF架構的功耗增加可能不那么嚴重。即使對于接收情況,三種架構之間的差異在很大程度上也取決于公式2至4中所示的參數。對于表1中未給出的參數值,圖表之間的差異將會(huì )變化。但可以肯定地說(shuō),混合方法可讓許多應用大幅節省功耗,同時(shí)保留數字波束成型的大部分優(yōu)勢。如前所述,采用混合路線(xiàn)有缺點(diǎn),但對于許多應用而言,這些不足可以被節省的功耗所抵消。


參考電路


1. Chaojiang Li、Omar El-Aassar、Arvind Kumar、Myra Boenke和Gabriel M. Rebeiz。 “采用CMOS SOI工藝的LNA設計—l.4dB NF K/Ka頻段LNA?!盜EEE/MTT-S國際微波研討會(huì )—IMS,2018年6月。


2. Charley Wilson和Brian Floyd?!?0–30 GHz混頻器—首款采用45-nm SOI CMOS技術(shù)的接收器?!?IEEE射頻集成電路研討會(huì )(RFIC),2016年5月。


3. Boris Murmann?!癆DC 性能調查1997-2021?!?ISSCC和VLSI 研討會(huì )。


4. Maarten Baert和Wim Dehaene。 “基于VCO的20.1 A 5GS/s 7.2 ENOB時(shí)間交錯ADC可實(shí)現30.5fJ/轉換器步進(jìn)?!盜EEE 國際固態(tài)電路大會(huì )—(ISSCC),2019年2月。


5. Brian Degnan、Bo Marr和Jennifer Hasler?!霸u估信號處理應用的每瓦性能趨勢?!?IEEE超大規模集成(VLSI)系統會(huì )刊,第24卷第1期,2016年1月。


6. Yohan Frans、Jaewook Shin、Lei Zhou、Parag Upadhyaya、Jay Im、Vassili Kireev、Mohamed Elzeftawi、Hiva Hedayati、Toan Pham、Santiago Asuncion、Chris Borrelli、Geoff Zhang、Hongtao Zhang和Ken Chang?!?6-nm FinFET中使用32路時(shí)間交錯SAR ADC的56-Gb/s PAM4有線(xiàn)收發(fā)器?!?IEEE固態(tài)電路雜志,第52卷第4期,2017年4月。


7. Umut Kodak和Gabriel M. Rebeiz?!?5nm CMOS SOI 中用于高效率高線(xiàn)性度5G系統的雙向倒裝芯片28 GHz相控陣內核芯片?!?IEEE射頻集成電路研討會(huì )(RFIC),2017年6月。


8. John Coonrod。 “毫米波電路的PCB設計和制造問(wèn)題?!?高頻電子,Rogers Corp.,2021年3月


來(lái)源:ADI

作者:Prabir Saha



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