【導讀】與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
本應用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。
損耗組成部分
根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開(kāi)關(guān)（開(kāi)通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗包括導通和關(guān)斷損耗。準確測量這些損耗通常需要使用示波器，通過(guò)電壓和電流探針監視器件運行期間的波形。測量能量需要用到數學(xué)函數。確定一個(gè)開(kāi)關(guān)周期的總能量后，將其除以開(kāi)關(guān)周期時(shí)間便可得到功耗。
圖 1. TO?247 封裝，顯示了 IGBT 芯片（左）和二極管芯片（右）
IGBT開(kāi)通
圖 2. IGBT 開(kāi)通損耗波形
將開(kāi)通波形的電壓和電流相乘，即可計算出該周期的功率。功率波形的積分顯示在屏幕底部。這就得出了 IGBT 開(kāi)通損耗的能量。
功率測量開(kāi)始和結束的時(shí)間點(diǎn)可以任意選擇，但是一旦選定了一組標準，測量就應始終遵循這些標準。
IGBT導通損耗
圖 3. IGBT 傳導損耗波形
導通損耗發(fā)生在開(kāi)通損耗區和關(guān)斷損耗區之間。同樣應使用積分，因為該周期內的功率并不是恒定的。
IGBT關(guān)斷
圖 4. IGBT 關(guān)斷損耗波形
開(kāi)通、導通和關(guān)斷損耗構成了IGBT芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計，不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個(gè)能量之和乘以開(kāi)關(guān)頻率。
IGBT 損耗必須使用阻性負載或在負載消耗功率的部分周期內進(jìn)行測量。這樣可消除二極管導通。
圖 5. 二極管導通損耗波形
FWD反向恢復
圖 6. 二極管反向恢復波形
圖 5 和圖 6 顯示了二極管在整流器或電抗模式下工作期間的電流和電壓波形。二極管損耗的計算類(lèi)似于 IGBT 損耗。
需要了解的是，損耗以半正弦波變化。需要考慮從峰值到過(guò)零的變化，以得出器件的平均功耗。
IGBT 和二極管功耗計算
測量完這五個(gè)損耗分量后，需要將它們與測量條件相關(guān)聯(lián)，以便計算每個(gè)芯片的總功耗。
圖 7. 感性負載波形
圖 7 顯示了感性負載（如電機）的典型電壓和電流波形。
從 t0 到 t1，電流為電抗性，二極管傳導電流。
從 t1 到 t2，電流為阻性，IGBT 傳導電流。
這些時(shí)間段的功耗具有重要價(jià)值?；趩蝹€(gè)脈沖計算每個(gè)時(shí)間段的平均功耗非常復雜，但我們可以合理的精度進(jìn)行估算。為此，我們需要計算該時(shí)間段的平均功耗。
在這種情況下，有必要計算平均（或加熱）當量。對于電壓和電流值，它是均方根值；對于功率，它是平均值。
平均功耗
此公式計算的是正弦波每個(gè)四分之一部分的功率，因此要進(jìn)行校正，我們需要在分母中添加一個(gè)因子 4。只要電壓過(guò)零點(diǎn)在 0° 和 90°之間（對于感性負載必定如此），這就是有效的，故公式變?yōu)椋?/p>
二極管
二極管在 t0 到 t1 期間傳導電流。利用電壓過(guò)零點(diǎn)的波形可得出二極管的峰值功耗。知道此功耗值后，我們可以使用 t0 到 t1 期間的平均功耗公式來(lái)求得二極管的平均功耗。
此時(shí)間段的示例計算如下所示。
2 W 功率出現在進(jìn)入周期后的 2.5 ms 時(shí)。要計算正弦波峰值處的等效功率，我們需要比較這兩點(diǎn)的幅度。
峰值幅度出現在 90° 或 π/2 弧度處，相當于幅度 1。2.5 ms 處的幅度為 sin(π × 2.5 ms/10 ms) 或 0.707，因此正弦波峰值處的功率為：
IGBT
對于正電壓半周期，IGBT 在 t1 到 t2 期間傳導電流。IGBT 的平均功耗計算與二極管功耗的計算方法類(lèi)似。其示例計算如下所示。
對于 IGBT 分析，我們將計算完整半正弦波期間 (t0 – t2) 的 IGBT 功耗，然后計算二極管導通期間 (t0 – t1) 的 IGBT 功耗，再從前一功耗中減去后一功耗。
然后計算二極管導通期間的功耗
由于 t2 = T/2，故公式變?yōu)?/p>
芯片溫度計算
一旦計算出兩個(gè)芯片的功耗值，就可以使用數據表中的曲線(xiàn)計算芯片溫度。兩個(gè)芯片的溫度一般不相同。每個(gè)芯片有一個(gè) θ，并有一個(gè)交互作用系數 Psi。
θ 是從芯片到封裝外殼或引線(xiàn)的熱阻，它有不同的名稱(chēng)，例如 RΘJC 是結至外殼熱阻。Psi 是一個(gè)常數，表示芯片中未被計算的熱效應。它基于芯片之間的距離。
通常，對于 IGBT 使用的大多數 TO-247 和 TO-220 封裝，0.15°C/W 是一個(gè)合理的估計值。
圖 8. IGBT 熱曲線(xiàn)
圖 9. 二極管熱曲線(xiàn)
圖 8 和圖 9 顯示了典型封裝中 IGBT 和二極管的熱響應曲線(xiàn)。曲線(xiàn)上給出了直流值。對于 IGBT，它是 0.486°C/W；對于二極管，它是 1.06°C/W。
為了計算給定功率水平對應的穩態(tài)溫度，只需要功耗值、直流 θ 和外殼溫度。計算如下：
示例：
交互作用系數 Psi = 0.15°C/W
IGBT 的穩態(tài)結溫為：
TJ-IGBT = 97.6°C（平均結溫）
二極管的穩態(tài)結溫為：
TJ-DIODE = 85.2°C（平均結溫）
為了計算峰值結溫，我們可以將脈沖值增加到穩態(tài)（或平均）溫度中。此計算需要上述計算得出的結溫，并加上瞬時(shí)溫度變化。
唯一需要的新常數是 IGBT 或二極管對于所需脈沖寬度的脈沖值。在 50 Hz 的線(xiàn)頻率下，半周期的時(shí)間為 10 ms。根據圖 8，對于 10 ms 脈沖和 50% 占空比，RIGBT 值為 0.375°C/W；根據圖 9，相同條件下的 RDIODE 值為 0.95°C/W。
基本公式如下：
因此，對于上述條件，峰值結溫為：
總結
僅使用 θ 值無(wú)法計算多芯片封裝中的結溫。利用從數字示波器獲得的波形和數學(xué)公式，可以計算每個(gè)器件的功耗。給定 IGBT 的功耗、θ 和 psi，便可計算平均和峰值結溫值。
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