【導讀】人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現了更小的占用空間。
SiC 已經(jīng)是一種成熟的技術(shù)，并成為需要電力傳輸系統的一種非常常見(jiàn)的解決方案，特別是在儲能應用中，如電動(dòng)汽車(chē)充電和附加電池的太陽(yáng)能系統。這些系統一般包含幾個(gè)應用 SiC 技術(shù)的器件，如 DC/DC 升壓轉換器，雙向逆變器（交流電和直流電互相轉換），和靈活的電池充電電路。簡(jiǎn)而言之，SiC 使系統效率提高了 3%，功率密度提高了 50%，并減少了無(wú)源元件的體積和成本。
大多數儲能系統（ESS）都有多個(gè)能源轉換步驟，可以從 SiC 器件中獲益。Wolfspeed 提供了多種封裝的器件，如肖特基二極管 / MOSFET（具有高達 100 A 額定電流封裝 / 196 A 裸片封裝）和 WolfPACK 系列器件中所使用的具有高達 450 A 額定電流的功率模塊。無(wú)論是單相家用系統（5 - 15 kW）還是三相商用系統（30 - 100 kW），其架構和電源電路拓撲基本相似；但是它們可以根據功率級別進(jìn)行調整。
圖1 為一個(gè)典型的 ESS 架構，包含了電源（光伏 PV，值得注意的是， 這個(gè)應用可以使用任何替代能源替換）， DC/DC 轉換器，電池充電機，把能量輸送到家庭端或輸送回電網(wǎng)的逆變器。這種配置下的三個(gè)電源模塊中，SiC 可以提高效率，減少尺寸、重量和成本。
圖 1：家用或商用的 ESS 配置
#1 SiC 在 ESS 電源模塊中的優(yōu)勢
如上所示，當對收集到的能源進(jìn)行轉換并將其用于存儲或為住宅/建筑供電時(shí)，涉及到幾個(gè)能源轉換步驟。DC/DC 轉換通常由一個(gè)用于光伏應用的升壓變換器實(shí)現，這時(shí)更高的系統效率和功率密度會(huì )發(fā)揮更大作用。與 Si 等傳統技術(shù)相比，SiC 技術(shù)的獨特優(yōu)勢包括系統尺寸減少 70%，能源消耗減少 60% 以上，系統成本降低 30% 之多。
圖 2 為基于 SiC 的 60 kW 交錯升壓變換器（來(lái)自 Wolfspeed 參考設計 CRD-60DD12N）的示例，其中包含幾個(gè) SiC MOSFET 和二極管。四路交錯并聯(lián)幫助調節輸出功率高達 60 kW，同時(shí)在輸出 850 VDC 時(shí)保持 99.5% 的效率。該設計包含兩個(gè) C3M0075120K MOSFET（帶開(kāi)爾文源極引腳的 TO-247-4L 封裝），每路拓撲有兩個(gè) C4D10120D 二極管和一個(gè) CGD15SGOOD2 隔離式柵極驅動(dòng)器。
圖 2：基于 SiC 的 60 kW 交錯升壓變換器的參考設計
在上圖的參考設計中，對不同開(kāi)關(guān)頻率下的 BOM 成本進(jìn)行了分析/對比。在更高的頻率下（100 kHz 相對于 60 kHz），得益于更小、更輕的組件/磁性材料，成本明顯降低，而冷卻系統可能會(huì )由于更高的運行溫度而增加一些成本。但總的來(lái)說(shuō)，更高的頻率通常意味著(zhù)更高的功率密度、更高的系統效率和更低的成本。這就是為何 SiC 能夠以更低的價(jià)格提供更好的性能。
另一個(gè) Wolfspeed 參考設計（圖3）突出了 SiC 在逆變器和 DC/DC 充電電路中的優(yōu)勢。該設計在單相或三相模式下運行，充電和放電的峰值效率大于 98.5%。變換器部分包括一個(gè)簡(jiǎn)單兩電平 AC/DC 變換器，兼容單相和三相連接，并且只有 6 個(gè) SiC MOSFET。這種應用不像大多數的 IGBT 轉換器那樣成本低廉，但會(huì )在效率和損耗方面表現得更好。雖然 T 型 AC/DC 變換器提供了相似的開(kāi)關(guān)頻率和效率，但它往往擁有復雜的控制系統和更多數量的部件與較低的功率密度。
圖 3：采用 SiC MOSFET 的簡(jiǎn)單兩電平逆變器 / AFE
在上圖的設計中，直流輸出電壓可以高達 900 V，而電池電壓通常在 800 V 左右。受電熱應力的影響，Wolfspeed 公司的 C3M0032120K 1200 V 32 mΩ SiC MOSFET 是非常合適的，因為它具有一流的品質(zhì)因數、易于控制和 Vgs 驅動(dòng)特性、開(kāi)爾文源極封裝等優(yōu)點(diǎn)，可以減少開(kāi)關(guān)損耗和串擾等問(wèn)題。
這種拓撲結構適合于可實(shí)現不同功能的先進(jìn)數控方案，如單相交錯 PFC 方案或基于 DQ 變換的三相空間矢量 PWM 方案，這些方案可以達成所有器件開(kāi)關(guān)損耗的平衡，進(jìn)而形成一個(gè)非常靈活的參考平臺。利用 PWM 控制開(kāi)關(guān)有助于檢測和功耗平衡，同時(shí)優(yōu)化熱性能，提高效率和可靠性。
在測試、測量各種負載下的效率和單相充電的電壓范圍時(shí)，結果表明，SiC 的效率高達 98.5%，而 IGBT 的最高效率為 96%， 因此 SiC 的損耗降低約 38%。圖 4 顯示了在不同功率水平下充電和放電的 AFE 的兩組圖表。
圖 4：在多個(gè)功率級別下
充電（左）和放電（右）模式的 AFE 效率
三相充電實(shí)現了相同的峰值效率，同時(shí)在系統和設備限制下熱性能也運行良好。盡管 T 型拓撲也可以達到類(lèi)似的性能，但它通常更復雜，成本更高。
對 22 kW 逆變器 / AFE 配置總結一下，C3M0032120K SiC MOSTET 和靈活的控制方案可以實(shí)現高效率（>98.5%），高功率密度（4.6 W/L），低損耗（60%），以及雙向工作，支持來(lái)自三相 AC 和單相 AC 輸入，也支持輸出 200 - 800 VDC 的電池電壓范圍。
#2 SiC 在 DC/DC 電池充電電路中的優(yōu)勢
很多拓撲支持隔離型 DC/DC 轉換器。然而，最主流的解決方案是半橋 LLC 和全橋 LLC 轉換器。參考設計（Wolfspeed 的 CRD-22DD12N）展示了一種 22 kW 的解決方案，可配置在級聯(lián)變換器或單個(gè)兩級變換器。級聯(lián)變換器可以使用 650V Si MOSFET 或 SiC 器件，但通常會(huì )需要更多數量的部件，更高的導通損耗，更復雜的控制，以及更高的系統成本。使用 SiC 器件的單級兩電平變換器可在更高的電壓（1200 V）和高達 200 kHz 的開(kāi)關(guān)頻率下工作。SiC 基的最大優(yōu)勢是更高的效率/更低的損耗，并具有一些額外的特性，如零電壓導通、低電流關(guān)斷和更低的電磁干擾 EMI 風(fēng)險。這種拓撲結構比級聯(lián)變換器的部件數更少，有助于降低系統成本，提供更簡(jiǎn)單的控制。圖 5 展示了這兩種拓撲的差異。
圖 5：22 kW 全橋 CLLC DC/DC 變換器
- 級聯(lián)（左）和單級兩電平（右）
當考慮 22 kW 設計的功率元件時(shí)，再次證明了 C3M0032120K 1200V 32mΩ MOSFET 提供了最佳的電應力和熱特性來(lái)配適轉換器。此外，它的 Vgs 可以支持 15 V，使之更易驅動(dòng)?？勺冎绷麈溌冯妷嚎刂疲ɑ诟兄碾姵仉妷海┦瓜到y效率達到最佳，并確保 CLLC 運行接近諧振頻率。當電池電壓較低時(shí)，控制切換到相移模式，這樣就降低了增益，防止在諧振頻率范圍外低效地運行。這意味著(zhù)使用相同的硬件也可以在較低的輸出電壓下實(shí)現類(lèi)似的高效率。如果需要更低的電池電壓，CLLC 原邊可以作為半橋運行，這進(jìn)一步降低了增益，但保持了效率區。由于運行成本較低，熱設計不那么嚴格，這種低效率仍然可以接受。
圖 6 顯示了全橋配置的充電和放電模式的波形。充電模式圖顯示零電壓導通，低電流關(guān)斷，運行效率高。波形也非常干凈，有低過(guò)沖開(kāi)關(guān)，有助于消除 EMI 問(wèn)題。
圖 6：22 kW SiC DC/DC變換器的充放電模式
轉換器的效率值與逆變器參考設計相似，在大多數負載上的峰值效率為 98.5%。在設計采用半橋模式之前，可變直流鏈路電壓和最終效率都保持在 97% 以上，這限制了充電時(shí)的效率和功率傳輸能力。一般來(lái)說(shuō)，SiC MOSFET 加上靈活的控制方案可以實(shí)現高效率（>98.5% 的充電/放電效率）和高功率密度（8 kW/L），支持單相 AC 和三相 AC 輸入的雙向充電。與 Si 相比，由于柵極驅動(dòng)器的簡(jiǎn)單性、熱管理組件、減少的部件數量和更小的磁性元件，它實(shí)現了更高的效率和功率密度，進(jìn)而成本得以明顯降低。
#3 總結 Wolfspeed SiC 的優(yōu)勢
碳化硅器件使得如今的工業(yè)獲得極大發(fā)展，主要得益于其熱性能、更快的開(kāi)關(guān)和更低的損耗。由于導通電阻對溫度的依賴(lài)性較低，MOSFET 在較高溫度下的導通損耗較低，并能實(shí)現高頻開(kāi)關(guān)。此外，高性能體二極管允許高可靠性的諧振變換器應用，而較小的輸出電容使 LLC 變換器實(shí)現零電壓導通變得容易。
圖 7 顯示了 SiC 對比 Si 器件（額定 650 V）在尺寸/重量上的獨特優(yōu)勢。通常，硅器件需要一個(gè)變壓器和諧振電感，而 SiC 配置可以不用集成變壓器/電感，節省了重量和空間。
圖 7：SiC 和 Si 在尺寸和重量上的對比
在效率方面，中等負載的峰值為 98.5%（如前面示例所示），但在輸入范圍的最大負載時(shí)，峰值大于 97.5%。Wolfspeed SiC 器件系列適應于應用的所有功率范圍，范圍從 1 千瓦到兆瓦不等，也可用于大功率模塊。Wolfspeed 系列有適合低應用的分立式解決方案、適合中功率級別的 WolfPACK 模塊、以及適合高端的大功率模塊解決方案，設計人員可以在降低 BOM 成本和優(yōu)化物理尺寸 / 布局的同時(shí)，選擇多種拓撲和源流。功率模塊將最大限度地提高功率密度，簡(jiǎn)化布局和配件（符合行業(yè)標準的占用空間），支持高功率系統的可擴展性，并在較低的勞力和元件成本下確保最高的效率和可靠性。
Wolfspeed 提供了多種拓撲的參考設計和評估工具包，如 AC/DC 功率因數校正、降壓型/升壓型 DC/DC、高頻 DC/DC 和雙向 AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 工具包。SpeedFit 設計模擬器有助于描述系統級電路的特征，為通用拓撲建模，并為你的電子應用選擇合適的 SiC 器件。
無(wú)論是使用分立式模塊還是大功率模塊，從住宅到工業(yè)的儲能應用，SiC 都顯示出了巨大的商機，Wolfspeed 的組合/資源可以在確保低成本、小空間的同時(shí)實(shí)現最靈活、可擴展、高性能的設計。
來(lái)源：Wolfspeed
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