場(chǎng)效應晶體管的輸出曲線(xiàn)實(shí)例一：

 

問(wèn)：如圖，Vgs=8V，Vds=20V的時(shí)候，Id都接近300A了。這個(gè)數據是怎么測試出來(lái)的？要知道我把12V的電壓短接在D，S之間，瞬間就爆管了。

 

 

答：你看到的部分曲線(xiàn)是指管芯封裝無(wú)限制，管芯溫度恒定為25°c時(shí)的理想電流曲線(xiàn)，IR的一般有測試的，國內的mos一般沒(méi)有做測試，基本上是理論曲線(xiàn)。但是TO220或者其他封裝的mos受到封裝限制，實(shí)際Id大小分兩種，一是受到封裝的限制，二是受到管芯溫度的限制，你做這個(gè)實(shí)驗前可以參考IR官網(wǎng)的應用筆記，或者按照pdf上的測試條件做。按你說(shuō)的，一般是行不通的，假如12v測試電源電流足夠大，當mos完全導通時(shí)，其Id會(huì )很高，從而導致mos功耗過(guò)大損壞，因此你做的實(shí)驗沒(méi)有什么意義。

 

另外場(chǎng)效應管G極是不能懸空的，否則極易由于感應電壓，使管子導通，導通時(shí)的內阻非常低，如果測試電壓內阻也非常小，必爆管無(wú)疑。

 

場(chǎng)效應晶體管的輸出曲線(xiàn)實(shí)例二：

 

模電如何根據他們的輸出特性曲線(xiàn)和轉移特性曲線(xiàn)來(lái)分場(chǎng)效應管？

 

通過(guò)輸出特性曲線(xiàn)和轉移特性曲線(xiàn)來(lái)區分場(chǎng)效應管前，首先需要了解一個(gè)概念，場(chǎng)效應管是壓控型器件，它區別于雙極型晶體管（流控型器件），場(chǎng)效應管工作時(shí)柵極一般只需要一個(gè)電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實(shí)現這點(diǎn)，結型場(chǎng)效應管和MOS型采用不同的辦法實(shí)現了這個(gè)效果，導致了其特性曲線(xiàn)不同。

 

結型場(chǎng)效應管，利用柵極和溝道間的一個(gè)反向二極管，并在二極管上施加反向電壓，利用二極管反向工作時(shí)，電流很小的特點(diǎn)，實(shí)現壓控效果，所以結型場(chǎng)效應管工作時(shí)，柵極控制電壓UG總是需要保證那個(gè)二極管反向工作，即N溝道，柵極電壓為負，P溝道柵極電壓為正。至于漏極電流的極性，可以通過(guò)N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。所以，下圖的曲線(xiàn)就很好記憶了。

 

 

而MOS管，直接將柵極與溝道間絕緣阻斷，沒(méi)有任何電流通過(guò)。所以按正常的正電壓控制N溝道，負電壓控制P溝道的原則。工作時(shí)，N溝道柵極電壓為正，P溝道柵極電壓為負。電流方向和結型管的判斷方法一樣，N溝道，N代表負，外部電流流入D極，電流方向即為正，P溝道電流流出D極，電流方向即為負。就可以確定MOS管的特性曲線(xiàn)。至于增強型和耗盡型如何區分，只要看控制曲線(xiàn)與y軸有交叉即可，即，當UG=0時(shí)，漏極電流不為零，即為耗盡型，UG=0時(shí)，漏極電流為零，即為增強型。如下圖所示。

 

 

場(chǎng)效應晶體管的輸出曲線(xiàn)實(shí)例三：

 

根據場(chǎng)效應管的轉移特性曲線(xiàn)，怎么判斷它是什么類(lèi)型的溝道？

 

 

首先判斷N型還是P型，這個(gè)簡(jiǎn)單，只要觀(guān)察曲線(xiàn)是在坐標上方還是下方，上方就是N型溝道（規定）；至于是增強型還是耗盡型，也簡(jiǎn)單，增強型只在1/4區間坐標內，而耗盡型一般處于半個(gè)坐標內；另外，關(guān)于結型還是絕緣柵型則是看曲線(xiàn)幅度，無(wú)限接近于坐標軸的是結型，絕緣柵型曲線(xiàn)是有起始點(diǎn)的在坐標軸上，且曲線(xiàn)幅度比較陡。

 

場(chǎng)效應管根據導電溝道的有無(wú)分為結型場(chǎng)效應管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）兩種主要類(lèi)型。

 

 

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