什么產(chǎn)品，特性如何？

EPC2035(60V)及EPC2036(100V)是EPC最新推出的專(zhuān)為降低價(jià)格，并且在性能上超越傳統硅器件的兩款eGaN功率晶體管。

與等效功率MOSFET器件相比，GaN器件在最高導通電阻額定值RDS(on)上不分伯仲，具有相同的最高擊穿電壓額定值VDS(max)。此外，在下面的數據表中比較了開(kāi)關(guān)速度的數據，包括QOSS、QGD及 QG。在這些數據中，較低的數值代表器件具備更優(yōu)越的性能。

此外，與等效MOSFET器件相比，EPC2035及EPC2036器件的電容小很多。同時(shí)，EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。

價(jià)格！價(jià)格！

EPC2035功率晶體管在批量為1000片時(shí)的單價(jià)為0.36美元，1萬(wàn)片的單價(jià)為0.29美元。EPC2036晶體管在批量為1000片時(shí)的單價(jià)為0.38美元、1萬(wàn)片的單價(jià)為0.31美元。目前低價(jià)位的eGaN器件只出現在60V和100V兩款上，其它電壓的器件是否會(huì )出現相同的更大降價(jià)趨勢？這是我的問(wèn)題。

“該兩款器件的推出只是我們開(kāi)始降低價(jià)格的開(kāi)端，隨著(zhù)eGaN在市場(chǎng)上接受程度和技術(shù)的進(jìn)步，價(jià)格降低的領(lǐng)域將擴展到所有工作電壓范圍。”Alex Lidow博士回答到。EPC只是眾多GaN器件廠(chǎng)商的其中一家，從你的觀(guān)點(diǎn)看，整個(gè)GaN產(chǎn)業(yè)是否也再做相同的動(dòng)作？這是我追問(wèn)的問(wèn)題。

Lindow并沒(méi)有直接回答這個(gè)問(wèn)題，他回答道：“EPC是采用標準硅晶圓代工廠(chǎng)高效制造GaN晶圓的領(lǐng)先廠(chǎng)商。這種方式的制造成本低，這可能是低成本的最大原因，當然會(huì )導致低售價(jià)。此外，器件采用了芯片級(Chipscale)封裝，這種封裝較傳統功率器件的塑料封裝可靠性更高，而在總成本上也降低了50%。”看來(lái)制程和封裝是目前降低GaN器件總體成本的兩個(gè)主要因素。

GaN更適合在哪些應用領(lǐng)域替代MOSFET？

“目前有4類(lèi)應用占據了eGaN器件全球潛在應用市場(chǎng)的一半，中國也置身其中：無(wú)線(xiàn)功率傳輸；LiDAR；包絡(luò )線(xiàn)跟蹤；以及電信和服務(wù)器DC-DC電源。”

按照他的分析，至2018年，全球無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)將達到100億美元，年復合增長(cháng)率為42.6%。“高頻率(6.78MHz)已成為無(wú)線(xiàn)功率傳輸的標準頻率，但MOSFET在這個(gè)頻率上性能欠佳，而eGaN器件則有用武之地。這些應用領(lǐng)域包括移動(dòng)電話(huà)、游戲、筆記本、平板電腦、醫用植入、電動(dòng)汽車(chē)等。”Lidow表示。

eGaN FET器件的轉換速率較功率MOSFET快10倍，這會(huì )為L(cháng)iDAR系統提供更高的分辨率（精度）和響應速度。LiDAR的應用包括視頻游戲的實(shí)時(shí)動(dòng)作識別，手勢識別以及全自動(dòng)駕駛汽車(chē)等。

在服務(wù)器和電信設備中，需要將48V電壓轉換為12V。eGaN FET器件具備體積小、高效的優(yōu)勢。“為了展示如何實(shí)現更高的功率密度、更低的成本和更佳的效率，EPC設計了一款全整流、隔離式1/8磚調壓器，輸出功率為500W時(shí)全載效率可達96.5%，而在此條件下的eGaN FET器件的溫度為或低于91攝氏度。”Lidow進(jìn)一步補充了eGaN器件的性能。

如何用好GaN器件？

為了簡(jiǎn)化對全新eGaN FET產(chǎn)品系列進(jìn)行評估，EPC也推出了兩款單價(jià)均為104.4美元的開(kāi)發(fā)板，使得工程師可以容易對EPC2035及EPC2036在電路中的性能進(jìn)行評估。開(kāi)發(fā)板采用半橋拓撲并包含eGaN FET、板載柵極驅動(dòng)器、電源及旁路電容等。

現在，功率系統工程師可以采用GaN器件設計出具備更低價(jià)格、更優(yōu)越開(kāi)關(guān)速度及更小尺寸的最終產(chǎn)品。

相關(guān)閱讀：

未來(lái)電源設計的進(jìn)步，GaN氮化鎵將是突破點(diǎn)
SiC和GaN，新興功率器件如何選？
第四講：基于GaN的高能效設計