【導讀】從STM32F0部分型號開(kāi)始，比如STM32F04x和STM32F09x，STM32越來(lái)越多的型號具有了空片檢測（Empty Check）功能。以前，STM32的啟動(dòng)由BOOT0和BOOT1來(lái)決定，在引入了空片檢測功能之后，則在BOOT0=0的情況下，還需要分兩種情況：
一是內部已經(jīng)存在代碼，則從用戶(hù)存儲區啟動(dòng)；
二是如果是空片，則從系統存儲區啟動(dòng)，執行內部Bootloader。
它帶來(lái)什么好處呢？客戶(hù)如果是空片上板，無(wú)需對BOOT0引腳進(jìn)行跳線(xiàn)，就可以直接使用內部Bootloader進(jìn)行串口或其他通訊口進(jìn)行代碼燒錄了，可以說(shuō)非常地方便。但是，這同時(shí)為GPIO的設計帶來(lái)一個(gè)非常大的風(fēng)險，在電路設計時(shí)需要引起注意，做好相應的措施。
問(wèn)題起源
某客戶(hù)在其產(chǎn)品的設計中，使用STM32G0B1RET6。有一天，客戶(hù)工程師在測試電流的時(shí)候，無(wú)意間發(fā)現一個(gè)情況，說(shuō)“有個(gè)比較奇怪的情況，STM32G0B1沒(méi)有燒錄代碼的情況下，會(huì )比有燒錄代碼的情況下電流多了幾十毫安?！卑次覀円酝恼J知，在沒(méi)有燒錄代碼的情況下，沒(méi)有任何操作，不該會(huì )出現這種情況啊。那么這是什么情況呢？
問(wèn)題分析
測量STM32G0B1在沒(méi)有燒錄代碼下的GPIO在懸空下的電平，可以發(fā)現有部分GPIO呈現為高電平，比如PA2/PA3和PA9/PA10。而客戶(hù)在PA9上接了一個(gè)外部驅動(dòng)電路，由高電平驅動(dòng)，所以PA9的高電平，帶動(dòng)了該部分電路的工作，導致了電流的增加。
從參考手冊RM0444的GPIO一章，我們知道STM32G0的GPIO在上電后應該為模擬狀態(tài)，所以這些呈現高電平的GPIO顯得有點(diǎn)奇怪。
突然想起STM32F091等型號早就已經(jīng)有的空片檢測功能，就繼續查看STM32G0的參考手冊RM0444的 “Memory and bus architecture”一章，果然，發(fā)現STM32G0系列同樣擁有空片檢測功能。也就是說(shuō)，STM32G0B1在沒(méi)有燒錄代碼的情況下，它是要到系統存儲區去執行內部Bootloader的。
此時(shí)，需要打開(kāi)應用筆記AN2606《STM32微控制器系統存儲器自舉模式》了解一下STM32G0B1在系統Bootloader下GPIO的狀態(tài)。
由于之前已經(jīng)檢測到PA2/PA3和PA9/PA10為高電平，而這兩個(gè)引腳對剛好是Bootloader中所用到USART1和USART2對應的GPIO引腳。于是，檢查其在Bootloader中的配置狀態(tài)，請參考圖1。
Figure 1 系統Bootloader下USART1/2的端口狀態(tài)
從圖1中可以了解到PA2/PA3/PA9/PA10均配置為復用推挽結構，帶上拉電阻。其中PA10/PA3為輸入口，PA2/PA9為輸出口。
使用一個(gè)1k?的電阻來(lái)測量PA9/PA10的端口狀態(tài)，來(lái)確定其高電平的來(lái)源。系統VDD的電壓為3.22V。
測量之前，需要了解一下GPIO的結構，如圖2。
Figure 2 復用功能配置下的I/O的結構
從圖2中可以得知，當作為輸出時(shí)，端口上呈現的高電平來(lái)自P-MOS上的VDDIOX；當作為輸入時(shí)，端口上呈現的高電平來(lái)自上拉電阻上的VDDIOX。下面來(lái)驗證測試一下。
先對輸出口PA9進(jìn)行測量，使用1k?電阻串入PA9與VSS之間，并串上電流表，測得電流為3.22mA。由U=I·R公式，剛剛好，總電阻R = U / I = 3.22V ÷ 3.22mA = 1k?。也就是說(shuō)，PA9的高電平由推挽結構中的P-MOS連接的VDDIOX提供，內部沒(méi)有電阻。
再來(lái)對輸入口PA10進(jìn)行測量，使用1k?電阻串入PA10與VSS之間，并串上電流表，測得電流為85.4uA?？傠娮鑂 = U / I = 3.22V ÷ 85.4uA = 37.7k?，大于在外部串接的1k?電阻。也就是說(shuō)，PA10的高電平來(lái)自上拉電阻所連接的VDDIOX，而且內部上拉電阻RPU = 37.7k? - 1k? = 36.7k?。
多加一步再次確認輸入口PA10的情況，這次不使用1k?電阻，而是直接將PA10串上電流表連接到VSS，得到電流值為87.7uA。內部上拉電阻RPU = U / I = 3.22V ÷ 87.7uA = 36.7k?，與上面的測試是相同的。也符合STM32G0B1數據手冊中內部上拉電阻的范圍，如圖3。
Figure 3 I/O的上下拉電阻參數
存在的風(fēng)險
到此，已經(jīng)清楚用戶(hù)存儲區沒(méi)有燒錄代碼的時(shí)候，STM32啟動(dòng)將進(jìn)入系統 Bootloader，PA9被設置為復用輸出并輸出高電平，從而推動(dòng)外部電路產(chǎn)生的電流增加。但是我們應該更加深入地研究這個(gè)問(wèn)題?？蛻?hù)的情況還算是比較好的，接的是一個(gè)驅動(dòng)電路，并不會(huì )帶來(lái)?yè)p壞。
想象一下，如果在客戶(hù)的應用中，PA9是用作輸入口，用來(lái)連接一個(gè)傳感器的中斷輸出，比如連接3軸MEMS加速度計LIS2DH12的INT1/2引腳。查看LIS2DH12的數據手冊，可以得知INT1和IN2引腳的初始狀態(tài)是輸出低電平的，如圖4。
Figure 4 LIS2DH的INT1/INT2引腳初始狀態(tài)
由于LIS2DH12的INT引腳初始狀態(tài)是推挽輸出且輸出低電平，如果直接連接到PA9，而用戶(hù)打算將空片先焊接于用戶(hù)板，再進(jìn)行代碼燒錄的話(huà)，那么，當上電的時(shí)候，LIS2DH12的INT引腳輸出低電平，而STM32G0B1進(jìn)入內部Bootloader后PA9輸出高電平，直連將導致短路，電流從STM32G0B1的PA9內部的VDDIOX經(jīng)過(guò)P-MOS，從PA9引腳出來(lái)，經(jīng)過(guò)連接線(xiàn)，到達LIS2DH12的INT引腳，從內部的M-MOS流到VSS，中間因為沒(méi)有電阻而造成短路，很可能會(huì )對芯片產(chǎn)生損壞。所以必須加以注意！
PA10作為復用輸入功能，倒是沒(méi)有這個(gè)風(fēng)險。
結論
由于空片檢測功能的存在，帶有此功能的STM32型號在空片的情況下啟動(dòng)，將會(huì )進(jìn)入系統存儲區，執行內部Bootloader。內部Bootloader會(huì )將部分GPIO設置為復用功能輸出引腳并輸出高電平或低電平，如果此引腳在用戶(hù)應用中作為輸入引腳連接到外部芯片的輸出引腳，那么STM32空片事先焊接于用戶(hù)板時(shí)，上電將可能帶來(lái)極大的風(fēng)險。在GPIO設計中如遇到有空片檢測功能的STM32必須對此加以注意。
解決辦法
兩種解決辦法供用戶(hù)選擇。
1) 在兩個(gè)芯片的連接中串入電阻進(jìn)行保護，流經(jīng)此電阻的電流必須要低于GPIO的注入電流，而且還必須保證不影響雙邊的高低電平識別。
2) 在使用帶有空片檢測功能的STM32型號中，在硬件設計上要預先檢查AN2606中所描述的Bootloader使用并配置的復用功能輸出引腳，在GPIO設計時(shí)避免在用戶(hù)應用中將其作為輸入引腳。
以上兩種方法，推薦使用第二種方法，更簡(jiǎn)單、更穩妥。
來(lái)源：STM32單片機
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