【導讀】2021年開(kāi)局至今，整個(gè)存儲行業(yè)可以用“兇猛”來(lái)形容，漲價(jià)兇猛、缺貨兇猛。受供應鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長(cháng)等因素影響，導致產(chǎn)品成本大幅上升，不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價(jià)通告。
2021年開(kāi)局至今，整個(gè)存儲行業(yè)可以用“兇猛”來(lái)形容，漲價(jià)兇猛、缺貨兇猛。受供應鏈情況日益緊張、晶圓及封裝資源緊缺且費用大幅上漲、投產(chǎn)周期延長(cháng)等因素影響，導致產(chǎn)品成本大幅上升，不少芯片企業(yè)紛紛發(fā)出漲價(jià)通告。
目前，存儲行業(yè)的高景氣度現象持續爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)普遍出現超額下單情況，甚至競標得晶圓產(chǎn)能等。未來(lái)，存儲市場(chǎng)走勢如何，持續多久，讓我們靜觀(guān)其變。
話(huà)不多說(shuō)，先來(lái)一覽存儲大廠(chǎng)最新市場(chǎng)動(dòng)向。
：三星在2021年仍保持相當積極的產(chǎn)能擴張計劃，而西安的晶圓二廠(chǎng)便是其中重點(diǎn)。三星轉移到128L的過(guò)程有些延遲，但在2021年的主力仍是92L堆棧工藝。
：KIOXIA和Western Digital宣布，已經(jīng)共同開(kāi)發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。96L BiCS4的堆迭工藝將成為Western Digital今年制造NAND Flash的主要技術(shù)。
：SK海力士也持續積極提高NAND Flash堆棧的層數。2021年起也有望開(kāi)始量產(chǎn)176L的產(chǎn)品。
：目前鎂光主要的堆棧制程仍為96L，2021上半年將加速轉移到176L；因此美光也將128L制程視為是臨時(shí)過(guò)渡期技術(shù)。
：目前KIOXIA大部分的NAND Flash產(chǎn)品仍采用96L BiCS4的制程生產(chǎn)。展望未來(lái)，KIOXIA計劃今年要提高112L BiCS5產(chǎn)品的出貨量。
：Intel計劃直接從64L制程升級到144L。此外，即使Intel仍在開(kāi)發(fā)TLC產(chǎn)品，其產(chǎn)品組合也會(huì )傾向于QLC架構。
閃存2020-2021年供給/滿(mǎn)足率
滿(mǎn)足率: 供給至Q2底仍將不足
庫存: 低于正常水位
價(jià)格趨勢: 256Gb TLC合約價(jià)至2021年底將維持上漲態(tài)勢
控制器與被動(dòng)組件: 2021整年將持續短缺，臺積電刪減了更多給控制器廠(chǎng)商的晶圓供應
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依應用分析全球NAND Flash需求比重
依應用分析2021 Q2 NAND Flash需求比重，前三名為:
Top 1：手持式裝置
Top 2：PC用SSD
Top 3：企業(yè)級SSD
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2020-2021年DDR4價(jià)格趨勢
內存滿(mǎn)足率: 供不應求
庫存: 緊張
價(jià)格趨勢: 持續上漲
由于DRAM IC供不應求，價(jià)格自2021年Q1就開(kāi)始上漲，且將持續到2021年底。
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關(guān)于工業(yè)級5G應用
與4G相比，5G技術(shù)擁有超高傳輸速度與超低延遲的優(yōu)勢，可加速各項物聯(lián)網(wǎng)應用的發(fā)展，包括5G基礎建設（基站）、邊緣計算、云服務(wù)、AI人工智能（深度學(xué)習）、智慧工廠(chǎng)、車(chē)載應用、醫療照護等領(lǐng)域。
為滿(mǎn)足不同5G裝置的存儲與運算需求，威剛提供一系列規格完整的工業(yè)級Flash存儲產(chǎn)品（SSD、DOM、記憶卡、嵌入式存儲卡），以及DDR4內存。
除了性能優(yōu)異，還支持多項技術(shù)，如威剛獨家開(kāi)發(fā)的A+SLC技術(shù)、PLP（斷電保護）、抗硫化、耐寬溫（-40ºC至85ºC），確保產(chǎn)品耐用性及傳輸穩定性。
此外，威剛還有專(zhuān)業(yè)的軟件與固件研發(fā)團隊，能根據客戶(hù)需求進(jìn)行定制化服務(wù)，量身打造理想的解決方案。
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5G應用 – 閃存解決方案推薦
閃存重點(diǎn)技術(shù)
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威剛閃存解決方案
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5G應用 – 內存解決方案推薦
內存重點(diǎn)技術(shù)
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威剛內存解決方案
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