形象記憶法 ：

學(xué)過(guò)能量守恒定律的我們都知道，能量不會(huì )無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生，所以由此可見(jiàn)三極管一定不會(huì )產(chǎn)生能量。它只是把電源的能量轉換成信號的能量罷了。但三極管厲害的地方在于：它可以通過(guò)小電流控制大電流。假設三極管是個(gè)大壩，這個(gè)大壩奇怪的地方是，有兩個(gè)閥門(mén)，一個(gè)大閥門(mén)，一個(gè)小閥門(mén)。小閥門(mén)可以用人力打開(kāi)，大閥門(mén)很重，人力是打不開(kāi)的，只能通過(guò)小閥門(mén)的水力打開(kāi)。所以，平常的工作流程便是，每當放水的時(shí)候，人們就打開(kāi)小閥門(mén)，很小的水流涓涓流出，這涓涓細流沖擊大閥門(mén)的開(kāi)關(guān)，大閥門(mén)隨之打開(kāi)，洶涌的江水滔滔流下。如果不停地改變小閥門(mén)開(kāi)啟的大小，那么大閥門(mén)也相應地不停改變，假若能?chē)栏竦匕幢壤淖?，那么，完美的控制就完成了?br />
我們可以這樣形容這個(gè)過(guò)程：這里我們可以設定Ube是小水流，Uce是大水流，人就是輸入信號。當然，如果把水流比為電流的話(huà)，會(huì )更確切，因為三極管畢竟是一個(gè)電流控制元件。如果水流處于可調節的狀態(tài)，這種情況就是三極管中的線(xiàn)性放大區。如果那個(gè)小的閥門(mén)開(kāi)啟的還不夠，不能打開(kāi)大閥門(mén)，這種情況就是三極管中的截止區。如果小的閥門(mén)開(kāi)啟的太大了，以至于大閥門(mén)里放出的水流已經(jīng)到了它極限的流量，這種情況就是三極管中的飽和區。但是你關(guān)小小閥門(mén)的話(huà)，可以讓三極管工作狀態(tài)從飽和區返回到線(xiàn)性區。如果有水流存在一個(gè)水庫中，水位太高(相應與Uce太大)，導致不開(kāi)閥門(mén)江水就自己沖開(kāi)了，這就是二極管的反向擊穿。PN結的擊穿又有熱擊穿和電擊穿。當反向電流和反向電壓的乘積超過(guò)PN結容許的耗散功率，直至PN結過(guò)熱而燒毀，這種現象就是熱擊穿。電擊穿的過(guò)程是可逆的，當加在PN結兩端的反向電壓降低后，管子仍可以恢復原來(lái)的狀態(tài)。電擊穿又分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類(lèi)，一般兩種擊穿同時(shí)存在。電壓低于5-6V的穩壓管，齊納擊穿為主，電壓高于5-6V的穩壓管，雪崩擊穿為主。電壓在5-6V之間的穩壓管，兩種擊穿程度相近，溫度系數最好，這就是為什么許多電路使用5-6V穩壓管的原因。

學(xué)過(guò)模電的人應該都遇到過(guò)，模擬電路中一般閥門(mén)是半開(kāi)的，通過(guò)控制其開(kāi)啟大小來(lái)決定輸出水流的大小。沒(méi)有信號的時(shí)候，水流也會(huì )流，所以，不工作的時(shí)候，也會(huì )有功耗。而在數字電路中，閥門(mén)則處于開(kāi)或是關(guān)兩個(gè)狀態(tài)。當不工作的時(shí)候，閥門(mén)是完全關(guān)閉的，沒(méi)有功耗。比如用單片機外界三極管驅動(dòng)數碼管時(shí)，確實(shí)會(huì )對單片機管腳輸出電流進(jìn)行一定程度的放大，從而使電流足夠大到可以驅動(dòng)數碼管。但此時(shí)三極管并不工作在其特性曲線(xiàn)的放大區，而是工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)(飽和區)。當單片機管腳沒(méi)有輸出時(shí)，三極管工作在截止區，輸出電流約等于0。在制造三極管時(shí)，要把發(fā)射區的N型半導體電子濃度做的很大，基區P型半導體做的很薄，當基極的電壓大于發(fā)射極電壓(硅管要大0.7V，鍺管要大0.3V)而小于集電極電壓時(shí)，這時(shí)發(fā)射區的電子進(jìn)入基區，進(jìn)行復合，形成Ie；但由于發(fā)射區的電子濃度很大，基區又很薄，電子就會(huì )穿過(guò)反向偏置的集電結到集電區的N型半導體里，形成Ic；基區的空穴被復合后，基極的電壓又會(huì )進(jìn)行補給，形成Ib。
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理論記憶法：

下面我們來(lái)說(shuō)一下理論記憶法，根據下圖我們可以設定三極管的發(fā)射結和集電結均為反向偏置(VBE<0，VBC<0)，只有很小的反向漏電流IEBO和ICBO分別流過(guò)兩個(gè)結，故iB≈ 0，iC≈ 0，VCE ≈ VCC，對應于下圖中的A點(diǎn)。這時(shí)集電極回路中的c、e極之間近似于開(kāi)路，相當于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱(chēng)為截止。 

根據示意圖可知，當發(fā)射結和集電結均為正向偏置(VBE>0，VBC>0)時(shí)，調節RB，使IB=VCC / RC，則BJT工作在上圖中的C點(diǎn)，集電極電流iC已接近于最大值VCC / RC，由于iC受到RC的限制，它已不可能像放大區那樣隨著(zhù)iB的增加而成比例地增加了，此時(shí)集電極電流達到飽和，對應的基極電流稱(chēng)為基極臨界飽和電流IBS，而集電極電流稱(chēng)為集電極飽和電流ICS(VCC / RC)。此后，如果再增加基極電流，則飽和程度加深，但集電極電流基本上保持在ICS不再增加，集電極電壓VCE=VCC-ICSRC=VCES=2.0-0.3V。這個(gè)電壓稱(chēng)為BJT的飽和壓降，它也基本上不隨iB增加而改變。由于VCES很小，集電極回路中的c、e極之間近似于短路，相當于開(kāi)關(guān)閉合一樣。BJT的這種工作狀態(tài)稱(chēng)為飽和。由于BJT飽和后管壓降均為0.3V，而發(fā)射結偏壓為0.7V，因此飽和后集電結為正向偏置，即BJT飽和時(shí)集電結和發(fā)射結均處于正向偏置，這是判斷BJT工作在飽和狀態(tài)的重要依據。下圖示出了NPN型BJT飽和時(shí)各電極電壓的典型數據。

因此我們可以得出結論，那就是在開(kāi)關(guān)電路中三極管相當于一個(gè)由基極電流所控制的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。三極管處于放大狀態(tài)還是開(kāi)關(guān)狀態(tài)要看給三極管基極加的電流Ib(偏流)，隨這個(gè)電流變化，三極管工作狀態(tài)由截止-線(xiàn)性區-飽和狀態(tài)變化而變。BJT截止時(shí)相當于開(kāi)關(guān)“斷開(kāi)”，而飽和時(shí)相當于開(kāi)關(guān)“閉合”。NPN型BJT截止、放大、飽和三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)列于下表中。