【導讀】開(kāi)關(guān)電源中，三極管開(kāi)關(guān)電源是比較常見(jiàn)的一種。三極管開(kāi)關(guān)電源中所應用到的電子元器件都是經(jīng)常用到的，比如文中提到的基級電阻?；夒娮璺譃楹芏嗖煌念?lèi)型，那么在三極管開(kāi)關(guān)電源中，如何選取基級電阻呢？
在開(kāi)關(guān)電源的研發(fā)設計中，可以說(shuō)晶體三極管的開(kāi)關(guān)飽和區，MOS管的飽和區就是晶體管的放大區。晶體三極管的放大是電流關(guān)系的放大，即Ic=B*Ib。而MOS管的放大倍數是Ic=B*Ugs，與g、s兩端的電壓有關(guān)系。MOS管的放大倍數比較大，穩定。負載電阻被直接跨接于三極管的集電極與電源之間，而位居三極管主電流的回路上，輸入電壓Vin則控制三極管開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟(open)與閉合(closed)動(dòng)作，當三極管呈開(kāi)啟狀態(tài)時(shí)，負載電流便被阻斷，反之，當三極管呈閉合狀態(tài)時(shí)，電流便可以流通。詳細的說(shuō)，當Vin為低電壓時(shí)，由于基極沒(méi)有電流，因此集電極亦無(wú)電流，致使連接于集電極端的負載亦沒(méi)有電流，而相當于開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟，此時(shí)三極管乃工作于截止(cut off)區。
同理可證，在下面得曲線(xiàn)示意圖中我們可以清晰的了解到當Vin為高電壓時(shí)，由于有基極電流流動(dòng)，因此使集電極流過(guò)更大的放大電流，因此負載回路便被導通，而相當于開(kāi)關(guān)的閉合，此時(shí)三極管乃工作于飽和區(saturation)。
曲線(xiàn)示意圖
下面我們將對在三極管開(kāi)關(guān)中的基極電阻的選取的方法，首先需要判斷三極管的工作狀態(tài)，是放大區(增大驅動(dòng)電流)還是飽和區(開(kāi)關(guān)作用)。若工作在放大區，根據集電極負載的參數，計算出集電極的電流，之后根據三級管的放大特性計算出基極電流，再根據電流值計算出電阻。若工作在飽和區，以NPN管為例大致計算一下典型3元件開(kāi)關(guān)電路的選值：設晶體管的直流放大系數為100，Ib=(驅動(dòng)電壓-0.7Vbe結壓降)/Rb，Vce=Vcc-100Ib×Rc，令Vce=0，由此可算出臨界值(飽和區與放大區的臨界)，只要Rb小于臨界值即可，但其最小值受器件Ib容限限制，切勿超過(guò)。
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