【導讀】負載開(kāi)關(guān)Q1導通瞬間會(huì )暫時(shí)流過(guò)比穩態(tài)電流大得多的電流。輸出側的負載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì )流過(guò)大充電電流。
關(guān)于負載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流
負載開(kāi)關(guān)Q1導通瞬間會(huì )暫時(shí)流過(guò)比穩態(tài)電流大得多的電流。輸出側的負載容量CL的電荷接近零時(shí)，向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì )流過(guò)大充電電流。
這種流過(guò)大電流的現象稱(chēng)作浪涌電流（Flash Current）。
浪涌電流的峰值大體可以通過(guò)輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS(on)和負載側負載容量CL的ESR確定，輸入電壓VIN變大時(shí)，電流也相應變大。
浪涌電流顯著(zhù)變大時(shí)，有可能會(huì )引起誤動(dòng)作和系統問(wèn)題。
而且，在超過(guò)最大額定電流時(shí)，有導致破壞的危險。通過(guò)與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。
■負載開(kāi)關(guān)等效電路圖
關(guān)于Nch MOSFET負載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應對措施
■Nch MOSFET負載開(kāi)關(guān)等效電路圖
Nch MOSFET 負載開(kāi)關(guān)：RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF時(shí)，負載SWQ1 ON。（Q1的柵極電壓設定在VO(VGSQ1)之上。）
Q2 ON時(shí)，負載SWQ1 OFF。
Q1 ON時(shí)，由于會(huì )流過(guò)浪涌電流，所以作為應對措施追加C2。
關(guān)于負載開(kāi)關(guān)OFF時(shí)的逆電流
即使在負載開(kāi)關(guān)Q1從ON到OFF時(shí)，由于存在輸出側負載容量CL，所以輸出VO引腳的電壓會(huì )殘留一定時(shí)間。
輸入VI側比輸出VO側電壓低時(shí)，由于MOSFET Q1的漏極、源極間存在寄生二極管，所以有時(shí)寄生二極管導通會(huì )發(fā)生從輸出VO側到輸入VIN側的逆電流。
要注意，不要超過(guò)MOSFET Q1的額定電流值。
關(guān)于輸入旁路電容器CIN的容量值，請在充分探討負載側條件、上升時(shí)間后再決定。
■負載開(kāi)關(guān)等效電路圖
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