【導讀】這里的一張圖就能讓大家搞清楚GaN功率管的結構及工作原理，常關(guān)型GaN功率管通常稱(chēng)為增強型GaN功率管，設計增強型GaN功率管有四種方法。
1、GaN和AlGaN材料特性不同，GaN和AlGaN構成的異質(zhì)結的表面形成應力，由于晶體產(chǎn)生的壓電效應，在GaN表層內部靠近結的一個(gè)薄層區域產(chǎn)生電子聚集，從而形成導電層，這個(gè)薄層的導電區域就是所謂的二維電子氣2-DEG，如圖中紅色虛線(xiàn)和紅色圖例所示。
2-DEG：Two Dimensional Electron Gas
2、GaN和AlGaN異質(zhì)結內在的產(chǎn)生導電的二維電子氣，常開(kāi)型GaN器件通常稱(chēng)為耗盡型GaN功率晶體管，必須在Gate加上反壓，才能將Gate下面AlGaN層中的二維電子氣去除，從而將器件關(guān)斷。這種常開(kāi)型器件在應用中會(huì )產(chǎn)生許多問(wèn)題，因此不太適合實(shí)際的應用。
耗盡：Depletion
金屬絕緣半導體：Metal Insulated Semiconductor
3、常關(guān)型GaN功率管通常稱(chēng)為增強型GaN功率管，設計增強型GaN功率管有四種方法：
（1）Gate在A(yíng)lGaN層中凹陷下移
當Gate在A(yíng)lGaN層中下移，Gate下方AlGaN層變薄，結應力減小，當其尺寸減小到一定值，就可以去除Gate下方GaN層中的二維電子氣。Gate加正向電壓，電子被吸引到其下方，Gate電壓大于一定值時(shí)，就可以恢復Gate下方GaN層中的二維電子氣，從而開(kāi)始導電。
（2）Gate下方AlGaN層中注入氟原子
AlGaN層中的氟原子可以捕獲電子，從而去除Gate下方GaN層中的二維電子氣。
（3）使用P型Gate
P型Gate產(chǎn)生正電荷，從而去除Gate下方GaN層中的二維電子氣，這也是目前商業(yè)化產(chǎn)品常用一種方法。
（4）使用級連的結構
將一個(gè)MOSFET和GaN串聯(lián)級連，從而形成常關(guān)型器件，早期GaN采用這種結構，現在越來(lái)越少使用。
4、襯底Substrate主要是Si、SiC或其它材料。
