【導讀】在不斷發(fā)展的便攜式設備領(lǐng)域，對更小、更高效和更強大的解決方案的持續需求是。實(shí)現這一目標的一個(gè)關(guān)鍵方面是優(yōu)化電池管理電路，而這正是 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 突破性的 MRigidCSP（模制剛性芯片級封裝）技術(shù)發(fā)揮作用的地方。
在不斷發(fā)展的便攜式設備領(lǐng)域，對更小、更高效和更強大的解決方案的持續需求是。實(shí)現這一目標的一個(gè)關(guān)鍵方面是優(yōu)化電池管理電路，而這正是 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 突破性的 MRigidCSP（模制剛性芯片級封裝）技術(shù)發(fā)揮作用的地方。
AOS的 MRigidCSP 技術(shù)專(zhuān)為電池管理應用而定制。這項創(chuàng )新技術(shù)旨在降低導通電阻，同時(shí)增強機械強度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AOCR33105E，這是一款 12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET。AOCR33105E 具有 2.08 × 1.45 mm 的緊湊尺寸、超低導通電阻（V GS = 4.5 V時(shí)低至 3 mΩ ）以及 HBM 2 級 (2 kV) 額定值的強大 ESD 保護。其獨特的共漏極配置（其中兩個(gè) MOSFET 共享一個(gè)公共漏極）對于電池管理應用特別有價(jià)值，為便攜式電子設備中常見(jiàn)的細長(cháng) PCB 提供了節省空間的解決方案。
AOS MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)總監 Peter Wilson 在接受《電力電子新聞》采訪(fǎng)時(shí)表示，AOS 的 MRigidCSP 技術(shù)是用于鋰離子電池管理的雙向 MOSFET 的創(chuàng )新方法，特別是在智能手機、平板電腦和超級移動(dòng)設備等移動(dòng)設備中。薄筆記本。與傳統的晶圓級芯片級封裝 (WLCSP) 不同，在傳統的晶圓級芯片級封裝 (WLCSP) 中，裸片充當封裝并依賴(lài)厚基板來(lái)實(shí)現機械強度，而 MRigidCSP 將機械和電氣考慮因素分開(kāi)。
“MRigidCSP 允許基板變薄 [<1.35 mm]，從而降低寄生電阻并為高充電電流提供更低的電阻，”Wilson 說(shuō)?！盀榱嗽?PCB 組裝和產(chǎn)品使用壽命期間保持機械強度，MRigidCSP 添加了保護元件，確保 MOSFET 的耐用性。這種封裝技術(shù)滿(mǎn)足了快速充電移動(dòng)應用中對更小、高性能、雙向 MOSFET 不斷增長(cháng)的需求，將機械要求與電氣性能分離，以獲得結果?！?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;"/>
在手機和筆記本電腦等消費電子系統中，保護電路模塊 (PCM) 的關(guān)鍵組件用于管理鋰離子電池組的充電和放電，確保其安全高效運行。PCM 由各種元件組成，包括電池保護 IC、功率 MOSFET 和其他電子元件。
PCM 中采用了兩個(gè)功率 MOSFET：一個(gè)用于充電，另一個(gè)用于放電。這些 MOSFET 通常是 N 溝道 MOSFET，因其低導通電阻而被選擇。它們以?xún)煞N配置串聯(lián)連接：
配置 1：兩個(gè) MOSFET 的漏極相連。
配置 2：兩個(gè) MOSFET 的源極相連。
PCM 提供兩種將功率 MOSFET 與電池串聯(lián)的選項：
低側放置：在此模式下，功率 MOSFET 位于電池的負極端，通常稱(chēng)為“接地端”。這種配置有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，具體取決于具體的系統要求。
高側放置：在此模式下，功率 MOSFET 放置在電池的正極。這稱(chēng)為“高端”配置，并且根據應用的需求也有其自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
不同功率MOSFET背靠背連接模式及其布局的選擇是根據系統的具體要求進(jìn)行的。系統設計、安全考慮和效率目標等因素會(huì )影響這些決策?？傮w而言，PCM 是確保消費電子產(chǎn)品中鋰離子電池組正常運行和保護的關(guān)鍵組件。
圖 1：電池保護板電路圖（Alpha and Omega Semiconductor）
便攜式設備中的電池管理
便攜式設備的快速充電要求電池管理電路具有更低的功率損耗，因此需要超低電阻。傳統的 WLCSP 會(huì )產(chǎn)生很大的電阻，尤其是在使用背對背 MOSFET 時(shí)。減少基板厚度以降低電阻會(huì )損害機械強度，可能會(huì )在 PCB 組裝回流過(guò)程中引起問(wèn)題。
AOS 的 MRigidCSP 技術(shù)旨在應對這些挑戰，提供電氣性能改進(jìn)和穩健性。它與高深寬比 CSP 芯片尺寸兼容，解決與電池管理應用相關(guān)的生產(chǎn)問(wèn)題。AOCR33105E采用的溝槽功率MOSFET技術(shù)設計。這種先進(jìn)的封裝結構可確保增強的電池 MOSFET 在電路板制造過(guò)程中保持彈性，從而提供更高的性能和可靠性。
MRigidCSP 的主要特性之一是能夠降低電池管理電路的導通電阻。更低的導通電阻意味著(zhù)更少的功率損耗，這在快速充電時(shí)代尤其重要。
“隨著(zhù)快速充電應用中電流的增加，雙向 MOSFET 需要具有較低的電阻，以降低功率損耗，”Wilson 說(shuō)?！肮β蕮p耗增加了需要減少的額外熱量。因此，需要一種低歐姆、雙向、共漏極 MOSFET，同時(shí)保持較小的外形尺寸?！?br style="padding: 0px; margin: 0px auto;"/>
通過(guò)采用薄晶圓工藝，MRigidCSP 降低了共漏極 MOSFET 的寄生電阻。電阻的降低不僅可以加快充電速度，還可以確保 MOSFET 產(chǎn)生更少的熱量，從而防止損壞電池和其他組件。較低的電阻終會(huì )延長(cháng)電池的充電壽命，這對消費者來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大的好處。
技術(shù)特點(diǎn)
減小芯片級封裝中的基板厚度通常會(huì )引起對機械強度的擔憂(yōu)。然而，MRigidCSP 技術(shù)通過(guò)在薄晶圓上添加模制層來(lái)克服這一挑戰。這種創(chuàng )新方法有效地平衡了厚度的減小和必要的機械強度，確保封裝保持堅固可靠。
在標準 WLCSP 中，襯底電阻可能是影響性能的重要因素。MRigidCSP 技術(shù)通過(guò)優(yōu)化封裝設計緩解了這一問(wèn)題。Wilson 表示，標準 WLCSP 依賴(lài)于芯片的總厚度來(lái)提高機械強度，而 MRigidCSP 采用薄晶圓和模塑層組合來(lái)實(shí)現機械強度和降低基板電阻。
AOS 對質(zhì)量和可靠性的承諾在其 MRigidCSP 技術(shù)中得到體現。制造過(guò)程采用了的自動(dòng)化技術(shù)，以確保高產(chǎn)量和穩健性。
“AOS 工藝采用的自動(dòng)化制造技術(shù)，確保制造具有高產(chǎn)量和高可靠性，”Wilson 說(shuō)。
AOCR33105E 的 ESD 保護是確保便攜式設備安全和性能的重要功能。它可以防止在制造過(guò)程中和設備的整個(gè)使用壽命期間發(fā)生靜電放電事件，從而保護設備和用戶(hù)。
圖 2：12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET（Alpha and Omega Semiconductor）
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