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您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時(shí)間?

發(fā)布時(shí)間:2020-12-15 責任編輯:wenwei

【導讀】當測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時(shí)間時(shí),即使有1GHz的觀(guān)察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細心留意您的測量設置和設備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進(jìn)行準確測量的最佳實(shí)踐方法。
 
在訂購LMG5200評估模塊(EVM)之前,請確認您的試驗臺設備可準確測量基于GaN(美國能源部認為是“基礎性”技術(shù),可更好地利用我們的能源資源)的寬帶隙(WBG)半導體產(chǎn)品,如LMG5200。如果您的設備看起來(lái)像此處展示的設備,那么您可能需要升級您的觀(guān)察儀器和探針。
 
測量WBG半導體的電壓轉換需要具有足夠測量帶寬的設備。示波器帶寬的特點(diǎn)是擁有-3dB的頻率 —— 在該頻率下正弦波(顯示在示波器上)的幅度已下降到輸入信號的1/√2或0.707。一般而言,如果輸入信號的帶寬等于觀(guān)察儀器的帶寬,那么示波器會(huì )有30%的振幅衰減誤差。如果您在使用數字存儲示波器(DSO),則采樣率會(huì )強行增加其它限制條件。例如,當所有的四個(gè)通道都被占用并且奈奎斯特采樣定理要求適用時(shí),一個(gè)四通道、1Gs/秒的DSO通常僅擁有250Ms/秒的能力!作為一個(gè)經(jīng)驗法則,如果觀(guān)察儀器的額定帶寬是X,那么您能如實(shí)測量(誤差在3%以?xún)龋┑淖畲笮盘栴l率是X/3。要使誤差僅為1%,您的信號帶寬應該不超過(guò)X/5。
 
此外,示波器探針也會(huì )增加測量的誤差,可將其建模成一個(gè)電阻器—電容器(RC)低通電路。更重要的是,在測量開(kāi)關(guān)轉換時(shí)您不是在看一個(gè)純正弦波,那么開(kāi)關(guān)節點(diǎn)上升和下降時(shí)間的有效帶寬是多少呢?在數學(xué)上,您可以把探針的輸出估值為應用的電壓步驟,如方程式1所示:
 
Vout = Vin(1-e^t/RC)(1)
 
上升時(shí)間在很多時(shí)候按輸出轉換(其最終值的10%至90%)來(lái)表示。采用方程式1時(shí),10%的點(diǎn)當時(shí)是0.1RC,90%的點(diǎn)是2.3RC,并且由于探針的時(shí)間常數是1/2πfRC,所以帶寬的表達式可以被確定。
 
RC = tr/(t90% - t10%) = tr/2.2RC = 1/2πf                 (2)
 
因此所需要的帶寬可通過(guò)這樣的算式計算得出:帶寬 = 0.35/tr
 
這種關(guān)系使您能根據上升時(shí)間來(lái)評估信號的等效帶寬。例如,倘若您希望自己的GaN器件在500ps的時(shí)間內打開(kāi),那么您需要一個(gè)能實(shí)現0.35/500ps(700MHz)的觀(guān)察儀器 —— 而且您還需要一個(gè)至少有那么多帶寬的探針。知道您的探針和觀(guān)察儀器帶寬,您就可以申請一個(gè)和的平方根(RSS),以便基于本文中所述相關(guān)測量設備的統計誤差來(lái)評估實(shí)際上升時(shí)間。
 
為了確認預期的需求,筆者評估了三種測量設置。第一種設置具有100MHz/500Ms/秒的手持式TekScope;第二種設置是500MHz/2.5Gs/秒的DPO4051;第三種設置是1GHz/5Gs/秒的MDO4104-6。經(jīng)過(guò)筆者的設置,LMG5200在電流為5A時(shí)可將24V的電壓轉換成12V的電壓。開(kāi)關(guān)頻率被設定為1MHz;52%的占空比很有必要,因為需補償功率級的損失。筆者測得功率轉換的效率為~96%。
 
為測定上升時(shí)間,筆者使用了觀(guān)察儀器游標。如果想用觀(guān)察儀器來(lái)計算上升時(shí)間,一定要設置采樣率以采集足夠數量的數據點(diǎn)。奈奎斯特定理要求至少有兩到三個(gè)采樣點(diǎn),但筆者建議在上升沿要有四個(gè)或五個(gè)采樣點(diǎn)。這表明,如果上升時(shí)間少于1ns,那么即便是5Gs/秒的采樣能力仍將是微不足道的。
 
探針帶寬同樣重要;即使筆者的探針帶寬為1GHz,仍會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)的誤差。注意,在一些情況下,觀(guān)察儀器具備的能力可能超過(guò)規定標準也可能低于規定標準,這取決于制造商、設置校準以及觀(guān)察儀器和探針的老化程度。根據測試筆者會(huì )說(shuō),為了測量WBG開(kāi)關(guān)轉換,1GHz的系統帶寬是絕對最低要求。
 
那么,筆者有什么發(fā)現呢?采用本文中描述的低電感探測技術(shù),圖1所示100MHz的觀(guān)察儀器測得的上升時(shí)間為3ns —— 這顯然是不夠準確的測定值,因為當與圖2所示1GHz帶寬的系統的測定值相比較時(shí),您會(huì )發(fā)現后者測得的上升時(shí)間為780ps。而500MHz的觀(guān)察儀器測得的上升時(shí)間為1ns。
 
您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時(shí)間?
圖1:100MHz的觀(guān)察儀器系統(可測量LMG5200開(kāi)關(guān)節點(diǎn),同時(shí)還可在1MHz的頻率下將24V的電壓轉換成12V的電壓,上升時(shí)間等于3ns)
 
您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時(shí)間?
圖2:LMG5200開(kāi)關(guān)節點(diǎn)的100 GHz觀(guān)察儀器系統(可在1MHz的頻率下將24V的電壓轉換成12V的電壓,上升時(shí)間等于780ns)
 
采用前面討論的RSS方法,可計算出:780ps的測定值仍比使用更高帶寬的系統的測定值慢29%。為了準確測定上升時(shí)間(誤差在1%以?xún)龋?,需?GHz的系統測量帶寬!假如這種設備可用,那么筆者測得的780ps的上升時(shí)間本來(lái)可以是600ps —— 那是40V/ns的壓擺率!在下一篇文章中,筆者將考察精心挑選組件和布局的重要性,以最大限度地減少與這種dv/dt相關(guān)的輻射發(fā)射。
 
 
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