【導讀】在《什么是 LDO 噪聲？第一部分》中，我們談到了什么是噪聲、如何分類(lèi)，并介紹了安森美半導體提供的超低噪聲低壓降穩壓器。今天，我們將進(jìn)一步詳細談?wù)勈裁词欠e分噪聲。
積分噪聲值由噪聲譜密度函數的積分導出。然而，用函數表示任何一條曲線(xiàn)并將其積分非常復雜。將測量曲線(xiàn)分割成小部分更容易。如果每部分的頻差 fn+1 – fn 趨于0，則所有貢獻之和等于函數的積分。
在實(shí)際測量中，實(shí)現 fn+1 – fn 的零頻差是不可能的，但有可能使其接近于零。噪聲譜密度測量有多個(gè)點(diǎn)，使我們能夠獲得較好精度的積分噪聲和檢測振蕩峰。在我們的例子中，我們有6,400點(diǎn)在10赫茲至100千赫的頻率范圍內。噪聲譜密度曲線(xiàn)由6,399個(gè)區間插值，表示為 VNOISE,AVG,n 。
下圖顯示 NCP110 LDO 穩壓器的噪聲譜密度。如果我們將 NCP110 LDO 穩壓器的測量值插入到最后的方程中，我們將得到積分噪聲的結果，如下表所示。雖然噪聲譜密度曲線(xiàn)由于 COUT 值較高而移動(dòng)到一個(gè)較低的頻率，但積分噪聲增加。為什么會(huì )這樣呢？如下圖所示，您可看到這是因為與 IOUT 和 COUT 相關(guān)的峰值移動(dòng)到 10 Hz 至 100 kHz 的范圍內，在此范圍內計算積分噪聲。
為什么不選一些輸出電容值高的 LDO？如您所見(jiàn)，在輸出電容值升高，輸出電流降低時(shí)，與輸出電流和輸出電容有關(guān)的峰值，會(huì )上升并移動(dòng)到有用的頻率范圍 10 Hz 至 100 kHz。
高輸出電容值，例如 10 uF，改善瞬態(tài)響應。更好的瞬態(tài)響應可能是使用高輸出電容值的一個(gè)原因。在本例中，NCP110 在使用較高的輸出電容值時(shí)具有振鈴 (超過(guò)一個(gè)下沖) 和較長(cháng)的對瞬態(tài)事件的穩定時(shí)間，但它仍然穩定。振鈴使峰值增大，積分噪聲也增加，如下表所示。NCP110 LDO 穩壓器是為 1 uF 較低的輸出電容值而設計，附加電容改善了系統的瞬態(tài)響應，但影響了系統的噪聲性能。
積分噪聲是一種表示 LDO 在特定頻率范圍內產(chǎn)生多少噪聲的方法。了解如何測量這種噪聲和系統級設計選擇的影響在設計干凈的電源時(shí)很重要。請繼續關(guān)注下一篇關(guān)于電源抑制比 (PSRR) 的文章，我們將談?wù)勅绾螠y量及對系統級設計的影響。同時(shí)，請查看我們的 NCP110 數據表，以了解有關(guān)本主題的更多信息。
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