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關(guān)于占空比,這些知識你可能會(huì )用的上~

發(fā)布時(shí)間:2020-08-24 來(lái)源:ADI 責任編輯:wenwei

【導讀】開(kāi)關(guān)穩壓器使用占空比來(lái)實(shí)現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時(shí)間(TON) 與整個(gè)周期時(shí)長(cháng)(關(guān)斷時(shí)間 (TOFF)加上導通時(shí)間)之比,定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素,但在以下這些說(shuō)明中,這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲決定。降壓型(降壓)轉換器具有占空比D,D = 輸出電壓/輸入電壓,如圖1所示。對于升壓型(升壓)轉換器,占空比D = 1 –(輸入電壓/輸出電壓)。
 
關(guān)于占空比,這些知識你可能會(huì )用的上~
圖1. 采用ADP2441的典型降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器。
 
這些關(guān)系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個(gè)模式下,電感電流在時(shí)間段T內不會(huì )降至0。以額定負載工作的電路一般使用這種模式。在低負載下,或者間歇性工作時(shí),線(xiàn)圈電流在關(guān)斷時(shí)間放電。這個(gè)模式稱(chēng)之為斷續導通模式(DCM)。這兩種工作模式在特定輸入電壓和輸出電壓下,都有自己的占空比關(guān)系。
 
圖2所示為時(shí)域中的開(kāi)關(guān)行為示例。在這個(gè)示例中,我們考慮在非間歇工作模式下的降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器;即,在連續導通模式下。占空比與開(kāi)關(guān)頻率無(wú)關(guān)。時(shí)段T一般在20 μs (50 kHz)和330 ns (3 MHz)之間。如果輸入電壓和輸出電壓的值相同,那么需要占空比 = 1。這意味著(zhù),只存在導通時(shí)間,不存在關(guān)斷時(shí)間。但是,并非每個(gè)開(kāi)關(guān)穩壓器都能實(shí)現。如圖1所示,為了實(shí)現這個(gè)占空比,高壓側MOSFET必須持續導通。如果這個(gè)開(kāi)關(guān)設計為N通道MOSFET,其柵極電壓需要高于電路的輸入電壓,器件才能運行。
 
如果每次導通之后都需要關(guān)斷一定時(shí)間(占空比<1時(shí)的情形),根據電荷泵原理,可以輕松生成比電源電壓高的電壓。但是,對于100%占空比,這不可能實(shí)現。所以,對于占空比為100%的開(kāi)關(guān)穩壓器,要么采用不依賴(lài)開(kāi)關(guān)穩壓器MOSFET、獨立運行的精密電荷泵,要么將圖1所示的高壓側開(kāi)關(guān)設計為P通道MOSFET。這些都會(huì )導致工作量和成本增加。
 
關(guān)于占空比,這些知識你可能會(huì )用的上~
圖2. 降壓型開(kāi)關(guān)穩壓器開(kāi)關(guān)的時(shí)域表示(CCM模式下線(xiàn)圈電流)。
 
圖3所示為開(kāi)關(guān)穩壓器 ADP2370,該穩壓器通過(guò)將P通道MOSFET用作高壓側開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現100%占空比。對于這種類(lèi)型的降壓轉換器,輸入電壓可以降低至非常接近輸出電壓。將P通道開(kāi)關(guān)集成到開(kāi)關(guān)穩壓器中,可以避免產(chǎn)生額外成本。
 
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圖3. 可實(shí)現100%占空比的開(kāi)關(guān)穩壓器示例。
 
如果應用要求輸入電壓能夠降至非常接近輸出電壓設置點(diǎn)的水平,則應選擇允許占空比 = 1或100%的開(kāi)關(guān)穩壓器。
 
ADP2370
 
●  輸入電壓范圍:3.2 V至15 V,輸出電流:800 mA
●  省電模式(PSM)下靜態(tài)電流小于14 µA
●  效率:>90%
●  Force PWM引腳(SYNC),600 kHz/1.2 MHz頻率引腳(FSEL)
●  固定輸出:0.8 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.0 V、3.3 V、5 V和可調選項
●  占空比能力:100%
●  初始精度:±1%
●  低關(guān)斷電流:<1.2 µA
●  快速輸出放電(QOD)選項(ADP2371)
●  可與外部時(shí)鐘同步
●  8引腳、0.75 mm × 3 mm × 3mm LFCSP (QFN)封裝
●  ADIsimPower設計工具支持
 
 
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