【導讀】本文介紹了使用霍爾效應電流傳感器集成電路的一些進(jìn)展。本文檔包含將主電流路徑合并到系統中的各種封裝概念、IC 參數的主要改進(jìn)以及 UPS、逆變器和電池監控的典型應用電路的一些示例。
本文介紹了使用霍爾效應電流傳感器集成電路的一些進(jìn)展。本文檔包含將主電流路徑合并到系統中的各種封裝概念、IC 參數的主要改進(jìn)以及 UPS、逆變器和電池監控的典型應用電路的一些示例。
介紹
過(guò)去十年，工業(yè)、汽車(chē)、商業(yè)和通信系統對低成本、、小尺寸電流傳感器解決方案的需求迅速增長(cháng)?？梢允褂酶鞣N技術(shù)將電流轉換為成比例的電壓?；魻栃判蕴綔y器的優(yōu)點(diǎn)是與電流路徑的固有電壓隔離以及將霍爾元件和接口電子器件集成在單個(gè)硅芯片上。 [1] 新的設計理念和先進(jìn) BiCMOS 技術(shù)的系統使用使得 IC 性能得到進(jìn)一步提高。通過(guò)支持在同一電流傳感器 IC 中集成電源保護等附加功能，這些還為新產(chǎn)品方法打開(kāi)了大門(mén)。
包裝理念
Allegro 電流傳感器 IC 器件的特點(diǎn)是將單片線(xiàn)性霍爾 IC 和低電阻初級電流傳導路徑集成到單次注塑封裝中。通過(guò)霍爾傳感器相對于銅導體的緊密接近和定位來(lái)優(yōu)化設備精度。低功耗和高電壓隔離是封裝概念的本質(zhì)特征。封裝電流測量系統的終尺寸、形狀和附加組件取決于待測量的初級電流的幅度。本節詳細介紹了不同電流測量范圍的創(chuàng )新封裝技術(shù)。
電流高達 20 A
對于高達 ±20 A 的小標稱(chēng)電流，霍爾芯片和主電流路徑采用標準尺寸 SOIC8 表面貼裝封裝，如圖 1 和圖 3 所示。這提供了一種緊湊、薄型的解決方案，可兼容具有大批量自動(dòng)化電路板組裝技術(shù)。倒裝芯片技術(shù)的使用可以?xún)?yōu)化霍爾元件的有源面與被感測電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)之間的磁耦合。因此不需要通量集中器。用于電流檢測的銅路徑的內阻通常為 1.5 mΩ，以實(shí)現低功耗。電源端子也與低壓信號 I/O 引腳電氣隔離。精心的 IC 和封裝設計可以進(jìn)一步改善器件的電壓隔離，
圖 1 ACS 封裝的內部結構，顯示 U 形初級銅導體和單個(gè)倒裝芯片安裝的霍爾 IC。
圖 2 CB 封裝的內部結構，顯示初級導體（銅，左）、通量集中器（紅色）以及線(xiàn)性 sip 霍爾 IC（黑色）和信號引腳（銅，右）。
圖 3 ±20 A（LC 封裝）和 ±200 A（CB 封裝）電流傳感器 IC 的照片，用硬幣顯示以進(jìn)行比較。
電流高達 200 A
對于更高的電流，必須增加銅導體的橫截面以適應 CB 封裝中提供的材料內的電流密度。由于較厚的導體和線(xiàn)性霍爾元件之間存在磁耦合，因此必須使用通量集中器。銅路徑、線(xiàn)性 SIP 霍爾器件和集中器在包覆成型之前經(jīng)過(guò)組裝。通過(guò)精心設計系統，初級導體電阻通常低至 100 ?Ω，并且初級路徑和信號側之間可實(shí)現 3 kV 的均方根隔離電壓（60 Hz，持續 1 分鐘）。圖 2 顯示了這種 ±200 A 電流傳感器的內部結構，圖 3 顯示了該傳感器和 ±20 A 封裝類(lèi)型的照片。
免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問(wèn)題，請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設計
