下一代MEMS器件將采用壓電或磁性材料和3D封裝等先進(jìn)技術(shù)以增強MEMS產(chǎn)品的功能性。該項目由納米電子行業(yè)公私合營(yíng)組織歐洲納米計劃顧問(wèn)委員會(huì )(ENIAC)合作組織(JU)發(fā)起。

ST攜手研究機構開(kāi)發(fā)下一代MEMS的試制生產(chǎn)線(xiàn)
為運作這個(gè)2800萬(wàn)歐元為期30個(gè)月的Lab4MEMS項目,意法半導體與橫跨9個(gè)歐洲國家的大學(xué)、研究機構和技術(shù)授權組織進(jìn)行合作。該項目運用意法半導體在法國、意大利和馬耳他的MEMS設施建立一整套集研制測試封裝于一體的下一代MEMS制造能力中心。
意法半導體擁有800余項MEMS專(zhuān)利,產(chǎn)品銷(xiāo)量已突破30億顆大關(guān),自營(yíng)產(chǎn)能日產(chǎn)量超過(guò)400萬(wàn)顆,這些驕人的業(yè)績(jì)讓意法半導體成為L(cháng)ab4MEMS項目進(jìn)行下一代MEMS研究的領(lǐng)導者。該項目將開(kāi)發(fā)壓電(PZT)薄膜等技術(shù)以增強現有純硅MEMS的特性,如下一代MEMS將實(shí)現更大的位移、更高的感應功能及能量密度。智能傳感器、執行器、微泵和能量收集器的制造需要這些先進(jìn)技術(shù),以滿(mǎn)足未來(lái)數據存儲器、噴墨打印機、醫療保健設備、汽車(chē)電子系統、工業(yè)控制和智能樓宇以及智能手機和導航設備等消費電子應用的需求。
該項目還將開(kāi)發(fā)先進(jìn)封裝技術(shù)和芯片垂直互連技術(shù),采用倒裝片、芯片通孔、封裝通孔技術(shù)實(shí)現3D集成器件,滿(mǎn)足人體局部傳感器和遠程健康監護應用的需求。完善適合量產(chǎn)的壓電沉積制程,并將其整合至復雜的MEMS制程,在系統級芯片上實(shí)現創(chuàng )新的執行器和傳感器,是該項目的主要目標之一。
Lab4MEMS是ENIAC JU簽定的一個(gè)關(guān)鍵使能技術(shù)(KET)試制項目,旨在于開(kāi)發(fā)對社會(huì )影響重大的技術(shù)和應用領(lǐng)域。意法半導體歐洲研發(fā)與公共事務(wù)部項目經(jīng)理Roberto Zafalon表示:“ENIAC JU研究項目與意法半導體的運用科技提高生活品質(zhì)的承諾相結合可產(chǎn)生更大的協(xié)同效應,項目成員和利益相關(guān)者受益,包括ENIAC成員國,都會(huì )從這個(gè)重要項目受益。我們期望開(kāi)發(fā)成果最終可轉化為長(cháng)期的市場(chǎng)增長(cháng)和寶貴的知識型就業(yè)機會(huì )。”
ENIAC JU是一個(gè)公私合營(yíng)的產(chǎn)學(xué)聯(lián)盟,成員包括ENIAC成員國、歐盟和歐洲納米電子技術(shù)研究協(xié)會(huì )(AENEAS),目前該組織通過(guò)競標的形式為其招標的研發(fā)項目提供大約18億歐元的研發(fā)經(jīng)費。意法半導體負責的Lab4MEMS項目于2012年中標,2013年1月開(kāi)始運作。