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通過(guò)利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動(dòng)汽車(chē)充電系統正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線(xiàn)電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線(xiàn)電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì )對柵極驅動(dòng)器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅動(dòng)應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導體高壓MOS在開(kāi)關(guān)電源中的應用
開(kāi)關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開(kāi)關(guān)管，控制其關(guān)斷開(kāi)啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數據手冊參數解析（上）
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設
新能源是支撐國家可持續發(fā)展的關(guān)鍵，隨著(zhù)“碳達峰”和“碳中和”目標的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)電與用電區域不均衡，風(fēng)電、太陽(yáng)能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽(yáng)能（光伏）等發(fā)電方式波動(dòng)性較大，在新能源布局較多的西北部地區，由于用電負荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現象。
2022-10-31
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庖丁解?？?span id="ccuck0w" class='red'>功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統應用等各個(gè)環(huán)節，測試結果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標和安全，可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目前隨著(zhù)科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來(lái)越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類(lèi)型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類(lèi)型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器件，會(huì )給使用者帶來(lái)更大的熱設計挑戰。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產(chǎn)廠(chǎng)商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠(chǎng)商水平，在A(yíng)C BTI可靠性上更是超越國際一流廠(chǎng)商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。
2022-10-19
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱(chēng)為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳的有零電壓開(kāi)通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現在的電源產(chǎn)品中，絕大多數的采用軟開(kāi)關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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紅外熱成像儀對放大器的芯片結溫的仿真測試
隨著(zhù) GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問(wèn)題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導率高達 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
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延時(shí)校準、脈沖測試一定要做的事兒！
進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開(kāi)關(guān)特性，可以說(shuō)它伴隨著(zhù)功率器件從研發(fā)制造到應用的整個(gè)生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開(kāi)關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過(guò)對開(kāi)關(guān)過(guò)程的分析驗證器件設計方案并提出改進(jìn)方向、提取開(kāi)關(guān)特征參數制作器件規格書(shū)、計算開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復損耗為電源熱設計提供數據支撐、不同廠(chǎng)商器件開(kāi)關(guān)特性的對比等。
2022-09-20
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數的非線(xiàn)性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴(lài)關(guān)系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
- 電容選型避坑手冊：參數、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
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