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RS瑞森半導體LLC恒流方案的應用市場(chǎng)
首先介紹芯片具有的特性：RSC6105S系列芯片是適用于LLC諧振拓撲，帶有半橋驅動(dòng)恒流控制電路的芯片，最高工作頻率在130KHZ。其中內部集成的模塊包括：邏輯輸入信號處理電路、欠壓檢測電路、過(guò)壓保護電路、過(guò)溫保護電路、CS反饋信號整流電路、誤差放大器電路、壓控振蕩電路、電流過(guò)零檢測電路（ZCD）、電平位移電路等模塊，可以自動(dòng)設置死區時(shí)間，防止高端和低端輸出功率管的同時(shí)導通，使方案設計更簡(jiǎn)單可靠，同時(shí)對功率器件的選擇精度放寬，便于備料。該系列芯片還具備開(kāi)路保護、短路保護、過(guò)溫保護等保護功能。
2023-02-17
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有源鉗位技術(shù)解析
在風(fēng)電、光伏、新能源汽車(chē)、工業(yè)變頻等大功率應用場(chǎng)合，主電路中母線(xiàn)電容到功率器件間存在較大雜散電感 (幾十到幾百nH)。功率器件在關(guān)斷時(shí)，由于雜散電感Ls的存在，通過(guò)Ls*di/dt感應產(chǎn)生浪涌電壓，此感應高電壓與前端母線(xiàn)電容電壓方向一致，因此功率器件兩端疊加的電壓尖峰會(huì )超過(guò)母線(xiàn)電壓，在過(guò)流或短路發(fā)生時(shí)甚至可能會(huì )超過(guò)功率器件的耐受電壓而導致?lián)p壞。功率器件保護方式有RC吸收回路、軟開(kāi)關(guān)以及飽和壓降檢測限流等，其中RC吸收回路具有以犧牲回路效率為代價(jià)，同時(shí)可能帶來(lái)吸收回路溫度過(guò)高的風(fēng)險。有源鉗位可以直接加在驅動(dòng)回路里面，通過(guò)延緩驅動(dòng)關(guān)斷來(lái)吸收浪涌能量，能夠有效減小尖峰電壓起到保護作用，因此有源鉗位方案具有占用面積小、成本低、響應速度快、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2023-01-13
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碳化硅器件動(dòng)態(tài)特性測試技術(shù)剖析
提到動(dòng)態(tài)特性，大家的第一反應一定是開(kāi)關(guān)特性，這確實(shí)是功率器件的傳統核心動(dòng)態(tài)特性。由于其是受到器件自身參數影響的，故器件研發(fā)人員可以根據開(kāi)關(guān)波形評估器件的特性，并有針對性地進(jìn)行優(yōu)化。另外，電源工程師還可以基于測試結果對驅動(dòng)電路和功率電路設計進(jìn)行評估和優(yōu)化。
2023-01-10
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車(chē)規碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )最新數據顯示，2022年1月至11月，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛，同比均增長(cháng)1倍，市場(chǎng)占有率達到25%。由此可見(jiàn)新能源汽車(chē)的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車(chē)道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線(xiàn)系統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線(xiàn)系統，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優(yōu)勢，使得它非常適合用來(lái)制造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線(xiàn)系統對于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非?？春?00V母線(xiàn)系統的發(fā)展，有一些研究機構，預測截至到2026年，SiC在整個(gè)功率器件市場(chǎng)的占比將達到12%以上。
2023-01-10
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電動(dòng)車(chē)快速直流充電：常見(jiàn)的系統拓撲結構和功率器件
直流快速充電（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“DCFC”）在消除電動(dòng)車(chē)采用障礙方面的作用是顯而易見(jiàn)的。對更短充電時(shí)間的需求推動(dòng)近400千瓦的高功率電動(dòng)車(chē)快充進(jìn)入市場(chǎng)。本博客將講述典型的電源轉換器拓撲結構和用于DCFC的AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2023-01-06
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OBC DC/DC SiC MOSFET驅動(dòng)選型及供電設計要點(diǎn)
新能源汽車(chē)動(dòng)力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開(kāi)關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)，更適合車(chē)載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場(chǎng)景高頻驅動(dòng)和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點(diǎn)，介紹了車(chē)載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場(chǎng)景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動(dòng)芯片方案。最后，本文根據SiC MOSFET驅動(dòng)對供電的特殊要求，對不同供電設計方案的優(yōu)劣勢進(jìn)行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅動(dòng)專(zhuān)利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專(zhuān)利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專(zhuān)利，其中就包括采用RC電路的負壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
近年來(lái)新能源汽車(chē)發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿(mǎn)足現有的市場(chǎng)需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見(jiàn)的母線(xiàn)電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類(lèi)拓撲進(jìn)行參數設計，選取三種功率器件方案：
2022-12-13
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動(dòng)汽車(chē)電池的充電能力
終端用戶(hù)希望新的電動(dòng)汽車(chē)設計能夠最大限度地減少車(chē)輛的空閑時(shí)間，尤其是在長(cháng)途駕駛中。電動(dòng)汽車(chē)設計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實(shí)現終端用戶(hù)期望的快速充電。目前，單個(gè)單元充電器的設計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個(gè)單元元件組合到模塊化設計中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實(shí)現占地面積更小、靈活性更高和可擴展性的目標。對有源功率元件使用先進(jìn)的隔離封裝，可實(shí)現更高的功率密度并顯著(zhù)減少電路設計中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰。
2022-12-13
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數測試效率的7個(gè)方法
對功率器件動(dòng)態(tài)參數進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結果用于驗證、評價(jià)、對比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數測試系統時(shí)需要著(zhù)重關(guān)注的，一個(gè)高效的測試系統能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結果、提升工作效率、節約時(shí)間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統柵極驅動(dòng)的隔離式 DC／DC 轉換器
電動(dòng)汽車(chē)充電系統正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線(xiàn)電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線(xiàn)電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開(kāi)關(guān)速率以及更高的電壓會(huì )對柵極驅動(dòng)器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類(lèi)柵極驅動(dòng)應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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