-
如何在有限空間里實(shí)現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實(shí)現了功率密度最大化和系統成本最小化。
2023-09-18
-
SiC功率半導體市場(chǎng)，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說(shuō)是第二，就沒(méi)有人敢說(shuō)第一了。隨著(zhù)原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來(lái)沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢所趨。
2023-09-15
-
如何選擇和開(kāi)始使用功率器件驅動(dòng)器
所有的分立式開(kāi)關(guān)功率器件都需要驅動(dòng)器，無(wú)論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動(dòng)器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開(kāi)關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時(shí)有著(zhù)嚴格的要求。
2023-09-14
-
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
-
IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
-
派恩杰半導體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì )
11月1日-3日，中國第三代半導體功率器件的領(lǐng)先品牌--派恩杰半導體將于廣州保利世貿博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車(chē)技術(shù)展覽會(huì )。
2023-07-31
-
安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng )新可持續的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(cháng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
-
實(shí)測案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測試
氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)速度，能夠顯著(zhù)提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時(shí)，極快的開(kāi)關(guān)速度又對其動(dòng)態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會(huì )得到錯誤結果。
2023-07-18
-
比較兩種并聯(lián)驅動(dòng)方式對功率回路耦合特性分析
隨著(zhù)電力電子應用越發(fā)趨于高壓與高功率密度，單個(gè)模塊已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足其需求，功率器件的并聯(lián)應用由于其經(jīng)濟性與可行性成為了解決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統的總體布局無(wú)法達到完全的對稱(chēng)，使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。
2023-07-12
-
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì )從AQG324這個(gè)測試標準的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗證。
2023-07-10
-
新能源汽車(chē)加速爆發(fā)，功率器件迎來(lái)增長(cháng)新契機
在當前全球經(jīng)濟衰退和整個(gè)半導體行業(yè)下行周期背景下，汽車(chē)半導體似乎成為了一個(gè)逆勢的窗口產(chǎn)業(yè)。與此同時(shí)，隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化、共享化等新四化發(fā)展趨勢，以及新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)兩旺的持續景氣市場(chǎng)，汽車(chē)電子迎來(lái)結構性變革機遇。
2023-07-05
-
英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割
近兩年新能源汽車(chē)和光伏儲能市場(chǎng)的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶(hù)對SiC的使用更有經(jīng)驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點(diǎn)，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個(gè)市場(chǎng)的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。
2023-06-27
- 電容選型避坑手冊：參數、成本與場(chǎng)景化適配邏輯
- IO-Link技術(shù)賦能智能工廠(chǎng)傳感器跨協(xié)議通信實(shí)戰指南
- CMOS有源晶振電壓特性與精準測量指南
- 有機實(shí)心電位器選型避坑指南：國際大廠(chǎng)VS國產(chǎn)新勢力
- 電解電容技術(shù)全景解析：從核心原理到國產(chǎn)替代戰略
- 意法半導體拓展新加坡“廠(chǎng)內實(shí)驗室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作
- 超越視距極限！安森美iToF技術(shù)開(kāi)啟深度感知新紀元
- 英飛凌推出全新緊湊型CoolSET封裝系統（SiP）
- AI全景觀(guān)賽革命，海信116英寸巨幕電視+星海大模型重塑家庭綠茵場(chǎng)?
- 科技照亮銀發(fā)生活 創(chuàng )新編織幸福晚年
- 意法半導體攜邊緣人工緣智能方案重磅登陸新加坡半導體展會(huì )
- 振蕩電路不起振怎么辦？專(zhuān)家教你步步排查
- 車(chē)規與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰
- 汽車(chē)模塊拋負載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng )新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
