【導讀】5G基站是5G網(wǎng)絡(luò )的核心設備，實(shí)現有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò )與無(wú)線(xiàn)終端之間的無(wú)線(xiàn)信號傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設備專(zhuān)用電源。
一、前言
5G基站是5G網(wǎng)絡(luò )的核心設備，實(shí)現有線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò )與無(wú)線(xiàn)終端之間的無(wú)線(xiàn)信號傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設備專(zhuān)用電源。
5G基站電源，分兩大主流：目前，5G基站供電系統有兩大主流，一是UPS供電系統，二是HVDC 供電系統。5G基站電源的發(fā)展趨勢主要向著(zhù)解決方案小型化、高頻化、高可靠性以及效率提升的目標前進(jìn)。
二、典型應用拓撲
針對MOS管在5G電源上的應用，推薦瑞森半導體兩款產(chǎn)品系列；
在PFC線(xiàn)路和Flyback線(xiàn)路，推薦瑞森半導體超結MOSFET系列：
由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝，具有低導通電阻，優(yōu)異EMI特性，低損耗，高效率，低溫升等特性。能夠顯著(zhù)降低高電壓下單位面積的導通電阻，進(jìn)而降低導通損耗。同時(shí)，超結MOSFET擁有極低的FOM值，從而擁有極低的開(kāi)關(guān)能量損耗和驅動(dòng)能量損耗。
為適應電源系統高效率小型化的需求，同步整流線(xiàn)路圖推薦使用瑞森半導體低壓SGT MOS系列：
采用SGT溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術(shù)，具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優(yōu)點(diǎn)。
三、推薦產(chǎn)品選型
針對5G線(xiàn)路圖的PFC線(xiàn)路和Flyback線(xiàn)路，推薦瑞森半導體超結MOSFET系列。
為適應電源系統高效率小型化的需求，同步整流線(xiàn)路推薦使用瑞森半導體低壓SGT MOS系列。
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