【導讀】Charley Moser擁有EE博士學(xué)位，是我最早的模擬設計導師之一。從他那里，我學(xué)到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于穩定性分析的Bode圖對最小相位系統的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設計緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調節低功率是最引人注目的創(chuàng )新；這對我來(lái)說(shuō)極具價(jià)值，因為我是多家儀器公司帶電粒子光學(xué)方案中所用高壓電源設計領(lǐng)域的高手。
他教我用接地基極高壓晶體管進(jìn)行并聯(lián)調節，并通過(guò)運算放大器驅動(dòng)發(fā)射極。晶體管的增益帶寬將在其fT下降低3dB。用低電壓輸入控制高壓輸出需要很大的反饋分壓比，這會(huì )導致開(kāi)環(huán)增益降低；因此晶體管在接地基極配置中對電壓增益的巨大貢獻非常有用，而且對于穩定的環(huán)路來(lái)說(shuō)應該不難控制。
該仿真演示了這一概念：
基于人人喜愛(ài)的彩電晶體管實(shí)用電路及其大信號階躍響應，可能看起來(lái)是這樣的：
使用超出其開(kāi)路基極電壓額定值的晶體管有些冒險，但將基極接地可以消除集電極基極漏電，使其盡可能不發(fā)生故障。正軌電壓降至5V，這樣基極發(fā)射極也不會(huì )發(fā)生雪崩，從而避免晶體管老化。在調整補償值的過(guò)程中，我們很快就會(huì )發(fā)現很難改善穩定時(shí)間。
但是，如今的寬帶隙FET使這種電路的設計變得微不足道：無(wú)需擔心額定電壓，而且補償更容易，只需花費上述設計的一小部分時(shí)間即可實(shí)現穩定；此外，也無(wú)需負軌。
如果您連接負載的布線(xiàn)電容足夠低，則可能需要更小JFET的更高阻抗版本，以利用其較低電容的優(yōu)勢。
我在40年前與Charley失去了聯(lián)系（我的錯），但我覺(jué)得他會(huì )非常喜歡使用寬帶隙FET。
作者：Mike Engelhardt 來(lái)源：Qorvo
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