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運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?

發(fā)布時(shí)間:2019-08-22 責任編輯:wenwei

【導讀】運放輸出電壓到不了電源軌的這種明坑踩了后,我選擇了軌到軌的運放,哈哈,這樣運放終于可以輸出到電源軌了。高興的背后是一個(gè)隱蔽大坑等著(zhù)我:
 
1.運放十坑之軌到軌
 
運放輸出電壓到不了電源軌的這種明坑踩了后,我選擇了軌到軌的運放,哈哈,這樣運放終于可以輸出到電源軌了。高興的背后是一個(gè)隱蔽大坑等著(zhù)我:
 
看看我常用的某公司對軌到軌運放產(chǎn)品的介紹:“高速(>50MHz)軌到軌運算放大器支持以更低的電源電壓、更接近供電軌的擺幅和更寬的動(dòng)態(tài)范圍工作。”看到?jīng)]有:
 
“以更低的電源電壓、更接近供電軌的擺幅和更寬的動(dòng)態(tài)范圍工作。”
“更接近供電軌的擺幅”
“更接近”
“接近”
...
 
看一個(gè)軌到軌運放的手冊:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
輸出電壓的確是到不了電源的5V,why?
 
運放的輸出級可以簡(jiǎn)化為下面這種的結構形式:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
由于MOS管有導通電阻,當流過(guò)電流時(shí),導致了電壓降,因此,當負載越大時(shí),導通壓降越大,輸出電壓越不能達到軌。
 
所以說(shuō),軌到軌運放不是完全的可以使輸出到達電源值,要使用的時(shí)候,還需要看負載和溫度(影響導通電阻阻值)的關(guān)系來(lái)決定輸出能達到多大電壓。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
2. 運放十坑之不可忽略的輸入偏置電流
 
設計了一個(gè)分壓電路,理論上輸入1V,輸出2V,可是一測,總是多了近6,7百個(gè)mV。這要是進(jìn)12位3V量程ADC,可是要吃掉600多個(gè)碼。點(diǎn)解?
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
原來(lái)運放正向輸入端和反向輸入端由于TVS漏電流和管子輸入偏置電流,導致了兩個(gè)輸入端存在輸入偏置電流(而且由于沒(méi)有任何一個(gè)器件和另外一個(gè)器件一模一樣,這兩者輸入偏置電流還不盡相同);這兩個(gè)偏置電流會(huì )與外部電阻一起形成偏置電壓后,輸出到后端,形成誤差。如果你不巧選擇了一個(gè)基于BJT設計的運放,它具有較大的輸入偏置電流,就會(huì )造成很大的后級誤差。如下圖這種運放,真是“豈止于大,簡(jiǎn)直是莽”。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
下面假設,兩個(gè)輸入端的輸入偏置電流相同。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
對于,正向輸入端來(lái)說(shuō),Ib+帶來(lái)偏置電壓幾乎等于0,而對于反向輸入端來(lái)說(shuō),Ib-帶來(lái)的偏置電壓等于350mV(計算時(shí),假設Vout接地,相當于R1//R2)。因此,需要的是在正向輸入端增加一個(gè)電阻,來(lái)補償反向輸入端帶來(lái)的誤差。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
正如前文所述,正反相輸入偏置電流不盡相同,補償只能減小失調電壓,而正反相輸入偏置電流差也稱(chēng)為失調電流。在進(jìn)行高精度或小信號采樣時(shí),可以選用低失調電流運放,因為加入補償電阻,也代入了一個(gè)新的噪聲源,要慎重加入。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
偏置電流是運放的主要誤差之一,在之后的坑中,還會(huì )介紹一些影響后級的誤差源。
 
3.運放十坑之快速下降的PSRR
 
當我是個(gè)菜鳥(niǎo)工程師的時(shí)候,做運放設計從來(lái)不考慮PSRR,當聽(tīng)說(shuō)過(guò)PSRR之后,每次選運放都會(huì )在成本控制基礎上選擇一個(gè)有較高PSRR的運放。
 
比如這款運放PSRR達到了160dB:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
根據計算公式:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
即使電源電壓在4.5V-5.5V區間內發(fā)生變化,電源對運放輸出的影響只有10nV。
 
很可惜,這個(gè)指標是指電源電壓的直流變化,而不包括電源電壓交流的變化(如紋波),在交流情況下,這個(gè)指標會(huì )發(fā)生非常大的惡化。Spec.里面提到的只是直流變化,交流變化在后面圖示里面,一般情況下,非資深工程師對待圖示都是滑滑地翻過(guò)去。
 
如果運放電路使用了開(kāi)關(guān)電源,又沒(méi)有把去耦、濾波做得很好的話(huà),后級輸入精度會(huì )受到極大的影響。來(lái)看,同一款運放的交流PSRR。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
對于500kHz開(kāi)關(guān)頻率的紋波,PSRR+惡化到只有50dB,假設紋波大小為100mV,那么對于后級的影響惡化會(huì )達到0.3mV。對于很多小信號采集的應用來(lái)說(shuō),這個(gè)誤差是不可接受的。因此,有些應用場(chǎng)景甚至會(huì )在運放電源入口做一個(gè)低通濾波(請注意電阻功耗和電阻熱噪聲)。
 
4.運放十坑之亂加的補償電容
 
以前有個(gè)“老工程師”對我說(shuō),反饋電路加個(gè)電容,電路就不會(huì )震蕩。一看到“震蕩”這么高大上的詞語(yǔ),我當場(chǎng)就懵逼了,以后所有的電路都并一個(gè)小電容,這樣才professional。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
直到一天,我要放大一個(gè)100kHz(運氣很好,頻率還沒(méi)有太高,不然電壓反饋運放都沒(méi)法玩)的信號,也是按照經(jīng)驗并上一個(gè)電容,然后。。。信號再也沒(méi)有正常。。。因為,并上了這個(gè)電容反饋阻抗對于100kHz的信號變成了只有不到200Ω,導致放大系數變化。
 
然,這還不是關(guān)鍵,問(wèn)題在于:真的需要一個(gè)補償電容嗎?
 
首先,運放內部存在一個(gè)極點(diǎn)(把它想成就是RC低通造成的),它會(huì )造成相位的改變,最大到-90°:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
如果再增加一個(gè)極點(diǎn)呢,它又會(huì )再次對相位進(jìn)行改變,最大還可以增加到90°:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
這樣相位就到了-180°,這有什么問(wèn)題呢?那就是“震蕩”??匆幌码妷贺摲答佭\放的增益:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
當某些頻率點(diǎn)上的環(huán)路增益Aβ等于1,而相位為-180°的時(shí)候,這時(shí),Vout/Vin會(huì )變成無(wú)窮大,電路就不穩定了。因此,當外部增加一個(gè)零點(diǎn)時(shí),運放就會(huì )在某些頻率點(diǎn)進(jìn)入震蕩,比如引腳上的分布電容,如下圖:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
這時(shí),我們并上一個(gè)電容,相當于人為引入一個(gè)零點(diǎn),把拉下去的相位,拉上來(lái),但是,這個(gè)分布電容一般很小,使得它環(huán)路增益Aβ等于1的位置非常遠,在這么遠的頻點(diǎn)上,運放早就不能正常工作了。而看手冊這個(gè)運放自身在100k的時(shí)候,相位余量相當的高,超過(guò)了90°,完全不需要增加額外的補償電容。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
因此,對于具體情況,要具體分析,不能被“老工程師”帶著(zhù)跑了。
 
5.運放十坑之被冤枉的共模輸入范圍
 
以前遇到過(guò)一個(gè)問(wèn)題,前級運放放大后,再由運放跟隨進(jìn)ADC,進(jìn)ADC的信號是0.3V-1.5V。感覺(jué)是個(gè)很簡(jiǎn)單的電路,但是后面實(shí)測這顆工作電壓為單電源5V的運放,有部分板卡在輸出1.5V左右的時(shí)候,它的輸出值并沒(méi)有完全跟隨到輸入值,而低于比1.5V的信號,跟隨都沒(méi)問(wèn)題,但是一旦接近就不對。
 
當然,這個(gè)問(wèn)題就上了硬件組的會(huì )議,最后討論的結果是:“這個(gè)運放有問(wèn)題,我們要找廠(chǎng)商嚎盤(pán),但是我們是xx企業(yè),別個(gè)又不得理我們,這樣吧,我們換一個(gè)其它公司的運放”。不幸的是,我們冤枉了一顆運放,并且沒(méi)有找到問(wèn)題原因,幸運的是,在沒(méi)有完全弄清原理的前提下,我們碰巧選到了一顆可以正常工作的運放。
 
來(lái)看下這款運放的一個(gè)指標,運放共模輸入范圍:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
運放共模輸入范圍是運放輸入電壓的一個(gè)區間,它表征的是運放能夠線(xiàn)性工作的區間,即輸入電壓共模值在這個(gè)區間內,當輸入電壓發(fā)生變化時(shí),輸出電壓能夠線(xiàn)性的發(fā)生變化。
 
對于跟隨電路,由于存在負反饋,基本上可認為正相輸入端電壓和負相輸入端電壓是同一個(gè)值,而這顆運放在5V供電時(shí),它的共模輸入范圍是-0.1V至1.5V。因此,當輸入電壓在1.5V左右的時(shí)候,運放就存在不能正常線(xiàn)性跟隨的情況。
 
為什么不能跟隨呢?來(lái)看一個(gè)三極管放大電路,它也是運放的組成部分之一,來(lái)進(jìn)行舉例說(shuō)明。
 
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當輸入的Vb發(fā)生變化時(shí),Ie就會(huì )隨著(zhù)Vb發(fā)生相應的變化,從而引起Vc的變化,這就是跟隨。若Vb繼續增大到,使得Vc=Vcc-Ie x Rc計算值為負數的時(shí)候,而實(shí)際上Ie x Rc并不能超過(guò)Vcc,這時(shí)放大電路達到飽和甚至電流反相,導致輸出電壓固定或削峰或反向等。
 
6.運放十坑之不可忽略的壓擺率
 
做1pps驅動(dòng)電路,要求上升沿≤5ns,FPGA輸出的信號用運放跟隨增強驅動(dòng)后,發(fā)現上升沿達不到要求。為什么呢?因為沒(méi)有考慮到一個(gè)重要的指標,壓擺率。壓擺率是指:輸入為階躍信號時(shí),閉環(huán)放大器的輸出電壓時(shí)間變化率的平均值。即輸入一個(gè)理想的階躍信號,輸出會(huì )是一個(gè)帶斜率信號,這個(gè)信號的爬升速率就是壓擺率。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
看一下這個(gè)運放的壓擺率:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
根本達不到要求啊,5ns只能爬升20mV,所以,上升沿根本達不到設計需求。怎么辦呢?后期飛線(xiàn)增加了一個(gè)脈沖增強電路。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
脈沖增強電路C4和R4,相當于一個(gè)微分電路C4和RL(當C x RL遠小于壓擺率時(shí)間)加一個(gè)直流電阻R4,使得負載RL上的信號邊沿變得更加陡峭。分析一下:
 
a.電容C4與RL形成分壓電路,根據下圖的計算公式,C4上電壓的變化率等于RL上的電壓值。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
b.那么假設電容電壓變化率在0-τ范圍內是幾乎不變化的,那么負載RL上面的電壓也是幾乎不變的,一旦電容開(kāi)始充電(電壓發(fā)生變化),負載RL的電壓就上升到頂點(diǎn)。記為波形1,如下圖。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
c.然后在電容充電結束后開(kāi)始下落,為了解決沒(méi)有變化率就沒(méi)有電壓的問(wèn)題,增加一個(gè)直流電阻R4維持波形,它是一個(gè)直通波形,也就是原始波形,記為波形2。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
d.兩個(gè)波形合在一起后,由于波形1,波形2的上升沿得到極大增強,從而使得合成波形上升沿得以改善。
 
7.運放十坑之被遺忘的反饋電阻
 
為了擴大外部驅動(dòng)能力,一般會(huì )在最后一級增加一個(gè)跟隨電路,選擇電流反饋運放-CFA增加運放的輸出帶寬。好簡(jiǎn)單哦,可惜你就是調不出來(lái)。還是先看圖吧。好簡(jiǎn)單哦,可惜你就是調不出來(lái)。還是先看圖吧。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
什么電源軌、共模輸入范圍、增益積帶寬、帶載能力、壓擺率。。。我全都考慮了啊,還是不對呢?
 
因為,CFA和VFA(電壓反饋運放)不一樣,讀書(shū)時(shí)學(xué)的運放,基本上老師都是拿VFA進(jìn)行舉例和講解。下圖是CFA運放的模型:
 
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它與VFA區別是,輸入端不再是兩個(gè)都虛斷,反相輸入電阻ZB是個(gè)非常小的值,但又絕對不能認為是零;它的開(kāi)環(huán)增益Gout不再是非常大,而是約等于1;它的跨阻Z可以認為是無(wú)窮大。
 
因此,CFA的跟隨電路的電路模型如下:
 
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解出Aβ等于:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
它的閉環(huán)增益是:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
當沒(méi)有反饋電阻ZF的時(shí)候,A約等于1,ZF趨近于0,Aβ趨近于無(wú)窮,增益趨近于0,和想要的跟隨電路完全不一樣,也就是網(wǎng)上常說(shuō)的“CFA不加反饋電阻就沒(méi)信號”。(沒(méi)找到這句話(huà),忘記是在哪里看到的了,只能看下CFA手冊上對反饋電阻的介紹)
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
因此,要增加一個(gè)反饋電阻,電路就會(huì )正常工作了。
 
PS:上面推導計算有技巧,只能從Aβ進(jìn)行計算推導,因為CFA的計算前提是反相輸入電阻ZB是個(gè)非常小的值;它的跨阻Z可以認為是無(wú)窮大,所以,要在求極限是找到一個(gè)單一變量,如果按照最終表達進(jìn)行求極限,一個(gè)函數,三個(gè)變量(ZF趨近于0,ZB趨近于0,Z趨近于無(wú)窮),沒(méi)法玩,如下圖。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
8.運放十坑之失效的AD620
 
在我讀大學(xué)的年代,儀用放大器絕對是一個(gè)高X格的詞語(yǔ),在那個(gè)還常見(jiàn)三運放搭差分運放的年代,儀放是超高共模抑制比、高溫度穩定性的代名詞,正相反相兩個(gè)電壓差一減,就得到了結果,這絕對是一個(gè)采集EEG信號的好東西啊。
 
由于EEG信號幅度很小,加上前級放大,也不過(guò)1V左右,因此,屢試不爽也沒(méi)什么問(wèn)題。后來(lái)要做一個(gè)工業(yè)現場(chǎng)信號檢測,就不正常了。還是先看圖吧:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
采集4-20mA電流,得到1V-5V電壓差,放大2倍后進(jìn)入后級ADC。為了防止電阻功耗過(guò)高,R128,R129,R130三個(gè)電阻采用了并聯(lián)取值的方式,最終取到了250Ω這個(gè)值。
 
分析一下,正相輸入端2V-10V,符合器件輸入范圍(VCC-1.4V),反相輸入端1V-5V,我加了負電,那更是符合了;然后看放大倍數2倍,Vmax=10V,也符合器件輸出范圍(VCC-1.4V);電源、放大倍數、去耦等等都沒(méi)有問(wèn)題。這是一個(gè)顯得沒(méi)有任何錯誤的原理圖,但是實(shí)際上,它會(huì )在高輸入電壓值時(shí)發(fā)生錯誤。
 
看下內部原理,就明白了(這里選一個(gè)手上有的資料,非AD620的內部原理,其實(shí)儀放原理都差不多)
 
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正相輸入電壓和反相輸入電壓體現在儀放內部的R2處,而真正進(jìn)行輸出的電壓,是由V1out和V2out體現的,換一句話(huà)說(shuō),最終增加的電壓值平分為兩份,一份由V1out提供,它會(huì )比V1高,另外一份由V2out提供,它會(huì )比V2低。
 
再看原理圖,在20mA的時(shí)候,Vin+達到了10V,Vin-是5V,放大2倍,在儀放內部需要將Vin+放大到12.5V。這已經(jīng)超過(guò)了儀放供電電壓,因此,是絕對不可能正常工作的。
 
9.運放十坑之ADC的采樣時(shí)間被運放拖累
 
ADC采集信號,信號穩定的時(shí)候,很準確;信號變化的時(shí)候,數據不穩定。當然了,ADC有采樣時(shí)間,軟件工程師也知道,他采了10次,只取后5次,但是數據還是有不穩定的狀態(tài)。讓硬件來(lái)看電路,硬件工程師說(shuō),電路當然沒(méi)有問(wèn)題了,全是從別人那里扣來(lái)的,怎么在我這就有問(wèn)題了?
 
先看ADC的指標Tcycmin=500ns和Tacqmin=80ns,這是顆SAR型ADC,速度能上Mbps,還算挺快的。所以,它連續采樣10次,所用時(shí)間也才10μs左右。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
而運放從信號輸入到輸出,并不是一個(gè)無(wú)延時(shí)的過(guò)程,而是一個(gè)有延時(shí)還帶震蕩的過(guò)程,同時(shí),這個(gè)過(guò)程的時(shí)間還會(huì )因為后級線(xiàn)路的PCB設計而增大。如下圖:
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
看一下運放的指標,當4V時(shí),達到0.01%,時(shí)間為5.1μs,此時(shí)帶來(lái)的波動(dòng)誤差是0.4mV,而在4V范圍內,一個(gè)16位ADC的1LSB為0.06mV。誤差可以吃掉6,7個(gè)碼字,如果再加上分布電容和走線(xiàn)電阻,這個(gè)時(shí)間會(huì )進(jìn)一步增加,使得后級穩定時(shí)間增長(cháng),從而導致誤差變得更加的大。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
后來(lái),軟件工程師調低了采樣率,增加了采集時(shí)間,問(wèn)題得以解決。
 
10.運放十坑之被遺忘的功耗
 
做過(guò)一款板卡,功耗要求很?chē)栏?,因此,設計完成后,就畫(huà)了電源樹(shù),計算了每個(gè)器件的功耗,沒(méi)有超,然后投版,調試,一上電,功耗超標。
 
后面一檢查,發(fā)現是運放功耗計算的時(shí)候出現了問(wèn)題,下圖這樣的運放電路用了5個(gè)。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
由于是直流驅動(dòng),在計算的時(shí)候,只考慮了運放本身的靜態(tài)功耗,PD=15V x 4.2mA =63mW,按照最大靜態(tài)功耗來(lái)考慮,功耗余量還綽綽有余。
 
運放設計這十個(gè)坑點(diǎn),你遇到過(guò)幾個(gè)?
 
實(shí)際上,忽略了一個(gè)重要的功率消耗點(diǎn):運放供電電壓15V到輸出電壓(1V-4.5V)之間的電壓差,全部在運放里面消耗了,按照最大壓差計算,一個(gè)電路就消耗140mW。這種耗散功率,以前從來(lái)沒(méi)有考慮過(guò),所以,全部都選擇性的忽略了,當遇到功耗要求緊張的需求時(shí),問(wèn)題就暴露出來(lái)了。
 
后面改版的時(shí)候,選擇了低電壓給運放供電,減少了耗散功耗,滿(mǎn)足了指標要求。
 
 
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