【導讀】對于今天的電子產(chǎn)品,我們應該通過(guò)在集成電路中設計堅固的ESD結構來(lái)覆蓋所有ESD基板,但大多數情況下,工程師都默認器件是安全合規的,很少考慮ESD保護。
對于今天的電子產(chǎn)品,我們應該通過(guò)在集成電路中設計堅固的ESD結構來(lái)覆蓋所有ESD基板,但大多數情況下,工程師都默認器件是安全合規的,很少考慮ESD保護。
ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護等的學(xué)科。因此,國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱(chēng)為ESD,中文名稱(chēng)為靜電阻抗器。
靜電放電或ESD的定義是在不同靜電電位下的靜電電荷在物體或表面之間的轉移。放電會(huì )在短時(shí)間內釋放超高壓,在1至100納秒(ns)的千伏(kV)范圍內??梢韵胂?,對于這些類(lèi)型的電壓和時(shí)間單位,ESD事件具有快速邊沿。當發(fā)生這樣的事件時(shí),靜電荷快速轉移會(huì )造成可見(jiàn)或不可見(jiàn)的火花。
ESD通常只有敏感的電子設備才能檢測到,通過(guò)觸摸沒(méi)有ESD保護的設備,個(gè)人很可能在不知不覺(jué)中對器件造成破壞性的損壞。在高度充電的ESD環(huán)境中,其封裝內的ESD保護硅芯片將被破壞(如圖1)。

圖1.芯片ESD損壞的放大示例,顯示金屬跡線(xiàn)消失,鈍化破裂和一種熱遷移。 (:Maxim Integrated,應用筆記639)
在圖1中,芯片發(fā)生ESD事件,所造成的損害是災難性的,具有蒸發(fā)的金屬痕跡,受損的鈍化區域以及可能的電熱遷移軟錯誤。從技術(shù)上講,如果電路仍然可以工作,軟錯誤(例如規格降級)可能會(huì )在以后出現。
這種類(lèi)型的損壞最容易在封裝過(guò)程中或在芯片組裝到PCB之前發(fā)生。IC的內部ESD保護電路在預裝配處理和裝配操作期間為芯片提供了一些保護。在這種環(huán)境中,低阻抗接地路徑用作放電路徑。在封測環(huán)境中,低阻抗接地路徑的實(shí)現包括腕帶,接地地板,接地桌面和ESD電離器。一旦IC安裝在PCB中并與其他組件互連,這種受保護的環(huán)境就會(huì )大大降低。需要通過(guò)適當的ESD控制和預防,減少ESD損壞。
人們經(jīng)常在與周?chē)h(huán)境相互作用時(shí)產(chǎn)生靜電火花,這些靜電會(huì )破壞芯片原本的特性,此類(lèi)事故每年都會(huì )造成數十億美元的損失。在選擇最終產(chǎn)品之前,請務(wù)必遵循實(shí)驗室中的良好ESD預防措施,并查看產(chǎn)品數據表中的ESD保護規范。