射頻微機電(RF MEMS)今年將大舉進(jìn)駐高階LTE手機。多頻多模4G手機現階段最多須支援十五個(gè)以上頻段，引發(fā)內部RF天線(xiàn)尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題；為此，一線(xiàn)手機廠(chǎng)已計劃擴大導入RF MEMS元件，透過(guò)天線(xiàn)頻率調整(Antenna Frequency Tuning)等新技術(shù)，降低天線(xiàn)數量、尺寸，并增強訊號接收效能與頻寬。

Cavendish Kinetics總裁暨執行長(cháng)Dennis Yost認為，RF MEMS系未來(lái)5～10年手機設計中的關(guān)鍵技術(shù)，已吸引不少元件供應商、手機廠(chǎng)加緊投入研發(fā)。

Cavendish Kinetics總裁暨執行長(cháng)Dennis Yost表示，隨著(zhù)智慧型手機持續擴增支援頻段，如何維持RF天線(xiàn)性能，且不影響系統占位空間與功耗表現，已成為RF元件和手機廠(chǎng)的產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn)，因而帶動(dòng)新一波RF技術(shù)革命，給予能同時(shí)兼顧尺寸和效能的RF MEMS方案崛起契機。

Yost透露，內建RF MEMS的LTE手機可望于今年夏天競相出籠，目前RF MEMS元件供應商Cavendish Kinetics正與多家手機業(yè)者緊密合作，初期將鎖定高階LTE多頻多模手機應用，待逐步達到量產(chǎn)經(jīng)濟規模后，再往下朝中低階手機市場(chǎng)扎根，讓RF MEMS成為新一代手機標配。

RF MEMS基于機械式諧振結構，只要改變內部隔板(Plate)距離就能使電容流量產(chǎn)生變化，可免除外部電容與開(kāi)關(guān)(Switch)等零組件，減輕天線(xiàn)總體功耗與體積；此外，其具備可編程功能，有助簡(jiǎn)化RF前端模組(FEM)設計，并實(shí)現天線(xiàn)頻率調整、可調式阻抗匹配(Tunable Impedance Matching)等控制方案，對增強訊號接收效能、頻寬及減少天線(xiàn)數量也大有幫助。由于RF MEMS優(yōu)勢顯著(zhù)，因此近來(lái)已有不少手機廠(chǎng)研擬改搭此方案，以全面改善傳統RF天線(xiàn)的功能缺失。

值得注意的是，高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等應用處理器大廠(chǎng)近來(lái)也積極強化RF方案，前者更率先推出業(yè)界首款互補式金屬氧化物半導體(CMOS)功率放大器(PA)，大幅改善RF效能與成本，引發(fā)RF MEMS市場(chǎng)擴展速度將放緩的疑慮；然而，Cavendish Kinetics行銷(xiāo)與業(yè)務(wù)發(fā)展執行副總裁Larry Morrell解釋?zhuān)幚砥鳂I(yè)者的RF方案僅對處理器端的訊號增強與雜訊消除有益，對優(yōu)化RF天線(xiàn)尺寸與傳輸功耗的效果有限，因此RF MEMS仍將是推動(dòng)LTE多頻多模手機設計成形的關(guān)鍵角色。

Morrell補充，手機廠(chǎng)對換料的評估通常較慎重，以免增加投資風(fēng)險，但實(shí)際上RF MEMS因減少周邊零組件用量，整體物料清單(BOM)成本反而比傳統RF設計更優(yōu)異，且在各種LTE頻段中平均能提高35%傳輸效率，勢將大舉攻占LTE、LTE-Advanced多頻多模手機RF應用版圖。

Yost更強調，2014～2016年，RF MEMS技術(shù)將再度躍進(jìn)，包括RF前端模組的功率放大器、濾波器(Filter)和雙工器(Duplexer)均可動(dòng)態(tài)調整，進(jìn)而達成更高效率；另外，由于RF MEMS相容CMOS制程并支援數位介面，未來(lái)亦可望與邏輯晶片進(jìn)一步結合，實(shí)現更高整合度的手機系統解決方案。

相關(guān)閱讀：
智能手機和平板電腦驅動(dòng)MEMS運動(dòng)傳感器以?xún)晌粩翟鲩L(cháng)
http://zzmyjiv.cn/sensor-art/80020207
智能手機五大模塊的ESD防護設計
http://zzmyjiv.cn/cp-art/80018216
智能手機聯(lián)動(dòng)電視，Wi-Fi Display竟被視為主流？
http://zzmyjiv.cn/rf-art/80017783